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Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Fonte: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices (2005)
Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Camps, I.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.; Makler, Susana S.
Fonte: Physical Review B. Unidade: FZEA
Assuntos: FÍSICA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
VERCIK, Andrés et al. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, v. 71, n. 7, p. 075310/1-075310/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Camps, I., Marques, G. E., Brasil, M. J. S. P., & Makler, S. S. (2005). Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices. Physical Review B, 71( 7), 075310/1-075310/6. doi:10.1103/physrevb.71.075310
NLM
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Vancouver
Vercik A, Galvão Gobato Y, Camps I, Marques GE, Brasil MJSP, Makler SS. Kinetics of excitonic complexes on tunneling devices [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 7): 075310/1-075310/6.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.075310
Artigo de periodico
The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes (2005)
Camps, I.; Makler, S. S.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Marques, G. E.; Brasil, Maria J. S. P.
Fonte: Solid State Communications. Unidade: FZEA
Assuntos: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 241-246, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Camps, I., Makler, S. S., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Marques, G. E., & Brasil, M. J. S. P. (2005). The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes. Solid State Communications, 135( 4), 241-246. doi:10.1016/j.ssc.2005.04.026
NLM
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
Vancouver
Camps I, Makler SS, Vercik A, Galvão Gobato Y, Marques GE, Brasil MJSP. The dynamics of excitons and trions in resonant tunneling diodes [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 241-246.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.026
Artigo de periodico
Transport via excitonic complexes in resonant tunneling structures (2004)
Vercik, Andrés; Gobato, Y. G.; Brasil, M. J. S. P.
Fonte: Materials Science and Engineering B. Unidade: FZEA
Assuntos: ÓPTICA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, DIODOS
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ABNT
VERCIK, Andrés e GOBATO, Y. G. e BRASIL, M. J. S. P. Transport via excitonic complexes in resonant tunneling structures. Materials Science and Engineering B, v. 112, n. 2-3, p. 128-130, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.018. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Vercik, A., Gobato, Y. G., & Brasil, M. J. S. P. (2004). Transport via excitonic complexes in resonant tunneling structures. Materials Science and Engineering B, 112( 2-3), 128-130. doi:10.1016/j.mseb.2004.05.018
NLM
Vercik A, Gobato YG, Brasil MJSP. Transport via excitonic complexes in resonant tunneling structures [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ; 112( 2-3): 128-130.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.018
Vancouver
Vercik A, Gobato YG, Brasil MJSP. Transport via excitonic complexes in resonant tunneling structures [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ; 112( 2-3): 128-130.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.018
Trabalho de evento-anais periodico
Photophysics of Poly(p-Phenylene Vinylene) films (2004)
Anni, M.; Gigli, G.; Cingolani, R.; Gobato, Yara Galvão; Vercik, Andrés; Marletta, A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Faria, Roberto Mendonça
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IFSC, FZEA
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, LASER, FILMES FINOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
ANNI, M. et al. Photophysics of Poly(p-Phenylene Vinylene) films. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 27 nov. 2025. , 2004
APA
Anni, M., Gigli, G., Cingolani, R., Gobato, Y. G., Vercik, A., Marletta, A., et al. (2004). Photophysics of Poly(p-Phenylene Vinylene) films. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Anni M, Gigli G, Cingolani R, Gobato YG, Vercik A, Marletta A, Guimarães FEG, Faria RM. Photophysics of Poly(p-Phenylene Vinylene) films. Brazilian Journal of Physics. 2004 ; 34( Ju 2004): 659-662.[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Anni M, Gigli G, Cingolani R, Gobato YG, Vercik A, Marletta A, Guimarães FEG, Faria RM. Photophysics of Poly(p-Phenylene Vinylene) films. Brazilian Journal of Physics. 2004 ; 34( Ju 2004): 659-662.[citado 2025 nov. 27 ]
Artigo de periodico
Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes (2004)
Santos, L. F.; Vercik, Andrés; Camps, I.; Gobato, Y. G.
Fonte: Materials Science and Engineering B. Unidade: FZEA
Assuntos: ÓPTICA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, DIODOS
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ABNT
SANTOS, L. F. et al. Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes. Materials Science and Engineering B, v. 112, n. 2-3, p. 131-133, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.019. Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Santos, L. F., Vercik, A., Camps, I., & Gobato, Y. G. (2004). Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes. Materials Science and Engineering B, 112( 2-3), 131-133. doi:10.1016/j.mseb.2004.05.019
NLM
Santos LF, Vercik A, Camps I, Gobato YG. Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ; 112( 2-3): 131-133.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.019
Vancouver
Santos LF, Vercik A, Camps I, Gobato YG. Photocurrent and photoluminescence studies of resonant tunneling diodes [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2004 ; 112( 2-3): 131-133.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2004.05.019
Trabalho de evento-anais periodico
Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes (2004)
Bittencourt, A C R; Marques, G. E.; Galvão Gobato, Y.; Vercik, Andrés; Camps, I.; Brasil, M J S P
Fonte: Materials Research Society Symposium Proceedings. Nome do evento: Spring Meeting - Symposium G - Semiconductor Spintronics. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, DIODOS, FÍSICA
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ABNT
BITTENCOURT, A C R et al. Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. Warrendale: Materials Research Society. . Acesso em: 27 nov. 2025. , 2004
APA
Bittencourt, A. C. R., Marques, G. E., Galvão Gobato, Y., Vercik, A., Camps, I., & Brasil, M. J. S. P. (2004). Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. Warrendale: Materials Research Society.
NLM
Bittencourt ACR, Marques GE, Galvão Gobato Y, Vercik A, Camps I, Brasil MJSP. Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2004 ; 825E[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Bittencourt ACR, Marques GE, Galvão Gobato Y, Vercik A, Camps I, Brasil MJSP. Selective voltage-controlled hole spin in non-magnetic resonant tunneling diodes. Materials Research Society Symposium Proceedings. 2004 ; 825E[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Trion assisted tunneling in double barrier diodes (2004)
Vercik, Andrés; Camps, I.; Gobato, Yara Galvão; Brasil, M. J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: FZEA
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERCIK, Andrés et al. Trion assisted tunneling in double barrier diodes. 2004, Anais.. Flagstaff: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Vercik, A., Camps, I., Gobato, Y. G., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2004). Trion assisted tunneling in double barrier diodes. In Abstracts. Flagstaff: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo.
NLM
Vercik A, Camps I, Gobato YG, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Trion assisted tunneling in double barrier diodes. Abstracts. 2004 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Vercik A, Camps I, Gobato YG, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Trion assisted tunneling in double barrier diodes. Abstracts. 2004 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
Análise da maciez da carne de bovinos através de medidas mecânicas e elétricas (2003)
Salomé, Aline; Novaes, Tatiana Santos; Souto, Sérgio Paulo Amaral (Orientador); Vercik, Andrés
Fonte: 11 SIICUSP 2003 : resumos.. Nome do evento: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: FZEA
Assuntos: BOVINOS, ANÁLISE DE ALIMENTOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALOMÉ, Aline e NOVAES, Tatiana Santos e VERCIK, Andrés. Análise da maciez da carne de bovinos através de medidas mecânicas e elétricas. 2003, Anais.. São Paulo: USP, 2003. . Acesso em: 27 nov. 2025.
APA
Salomé, A., Novaes, T. S., & Vercik, A. (2003). Análise da maciez da carne de bovinos através de medidas mecânicas e elétricas. In 11 SIICUSP 2003 : resumos.. São Paulo: USP.
NLM
Salomé A, Novaes TS, Vercik A. Análise da maciez da carne de bovinos através de medidas mecânicas e elétricas. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 27 ]
Vancouver
Salomé A, Novaes TS, Vercik A. Análise da maciez da carne de bovinos através de medidas mecânicas e elétricas. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2025 nov. 27 ]

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