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Tese (Doutorado)
Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria (2025)
Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos
Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA COMPUTACIONAL, SISTEMAS HAMILTONIANOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria. 2025. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76135/tde-14052025-091111/. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2025). Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76135/tde-14052025-091111/
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria [Internet]. 2025 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76135/tde-14052025-091111/
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Ajuste realístico de parâmetros de Hamiltonianos efetivos do tipo k·p a partir de suas propriedades de simetria [Internet]. 2025 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76135/tde-14052025-091111/
Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors (2024)
Wanderley, Adilson Barros ; Alves, Horácio Wagner Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
NLM
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
Trabalho de evento-resumo
Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho (2024)
Santos, Eduardo Afonso Moreira; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
SANTOS, Eduardo Afonso Moreira e SIPAHI, Guilherme Matos. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Santos, E. A. M., & Sipahi, G. M. (2024). Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf
NLM
Santos EAM, Sipahi GM. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf
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Santos EAM, Sipahi GM. Análise da usabilidade do método DFT-1/2 no VASP: avaliação de desempenho [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8eaa671f-5108-4d97-9340-ad31c4dfeea0/3230613.pdf
Trabalho de evento-resumo
Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido (2024)
Mazziero, Mateus Lopes; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SISTEMAS HAMILTONIANOS, RECONHECIMENTO DE PADRÕES, CARBONO, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
MAZZIERO, Mateus Lopes e SIPAHI, Guilherme Matos. Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Mazziero, M. L., & Sipahi, G. M. (2024). Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf
NLM
Mazziero ML, Sipahi GM. Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf
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Mazziero ML, Sipahi GM. Análise da simetria da supercélula formada pelo pontos de sobreposição no grafeno bicamada torcido [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b963ae8f-7197-408c-bfc4-c886419e9949/PROD036745_3232684.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor (2024)
Wanderley, Adilson Barros ; Alves, Horácio Wagner Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, APRENDIZADO COMPUTACIONAL, FÍSICA COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
NLM
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
Trabalho de evento-resumo
K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Alves, Horácio Wagner Leite; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, FÍSICA COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Alves, H. W. L., Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2024). K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf
NLM
Sandoval MAT, Alves HWL, Wanderley AB, Sipahi GM. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf
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Sandoval MAT, Alves HWL, Wanderley AB, Sipahi GM. K·p hamiltonian and band structure fitting strategies applied to III-V semiconductors to determine interband momentum elements and spin-orbit interaction elements [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5291e39b-e237-4f4f-92fd-9d907a4ad96e/PROD036716_3232084.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade (2024)
Sipahi, Guilherme Matos ; Pauli, Ian Giestas
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, COMPUTAÇÃO QUÂNTICA, SISTEMA QUÂNTICO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e PAULI, Ian Giestas. Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., & Pauli, I. G. (2024). Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf
NLM
Sipahi GM, Pauli IG. Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Pauli IG. Estudo de propriedades quânticas de materiais semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/8799295f-858f-46b9-8ae1-f20ce6afaf5a/3227835.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita (2024)
Sipahi, Guilherme Matos ; Siqueira, Anderson Henrique
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, MODELOS MATEMÁTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson Henrique. Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita. 2024, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. H. (2024). Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf
NLM
Sipahi GM, Siqueira AH. Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Siqueira AH. Efeitos de strain em nanoestruturas de perovskita [Internet]. Livro de Resumos. 2024 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6da385cd-c3b4-4c2d-a6ca-bd90e09141c8/3230615.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Oliveira, Caio Estevão de
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e OLIVEIRA, Caio Estevão de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Oliveira, C. E. de. (2023). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do strain em nanofios politípicos (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos do strain em nanofios politípicos. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2023). Efeitos do strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Trabalho de evento-resumo
Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP (2023)
Prado, Ana Mara Marques da Cunha ; Moraes, Juliana de Souza ; Almeida, Edison Santiago de; Pelozio, Márcio do Santos; Sipahi, Guilherme Matos ; Aranda, Rosane Aparecida; Diegues, Célia Maria ; Ziemath, Natalina Ordiva Ribeiro; Sintra, Rui
Source: Resumos. Conference titles: Congresso dos Profissionais das Universidades Estaduais de São Paulo - CONPUESP. Unidades: IFSC, ICMC, PUSP-SC, EDUSP, EESC
Subjects: EVENTOS, LIVRARIAS, CULTURA, EXTENSÃO UNIVERSITÁRIA, BIBLIOTECA UNIVERSITÁRIA
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ABNT
PRADO, Ana Mara Marques da Cunha et al. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP. 2023, Anais.. São Paulo: Conselho de Reitores das Universidades Estaduais - CRUESP, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Prado, A. M. M. da C., Moraes, J. de S., Almeida, E. S. de, Pelozio, M. do S., Sipahi, G. M., Aranda, R. A., et al. (2023). Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP. In Resumos. São Paulo: Conselho de Reitores das Universidades Estaduais - CRUESP. doi:10.20396/conpuesp.2.2023.4955
NLM
Prado AMM da C, Moraes J de S, Almeida ES de, Pelozio M do S, Sipahi GM, Aranda RA, Diegues CM, Ziemath NOR, Sintra R. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP [Internet]. Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955
Vancouver
Prado AMM da C, Moraes J de S, Almeida ES de, Pelozio M do S, Sipahi GM, Aranda RA, Diegues CM, Ziemath NOR, Sintra R. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP [Internet]. Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955
Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade (2023)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2023). Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2023). Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
NLM
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 26 nov. 2025. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 26 nov. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2025 nov. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf

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