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Trabalho de evento
New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets (1996)
Martino, João Antonio ; Pavanello, Marcelo Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
MARTINO, João Antonio e PAVANELLO, Marcelo Antonio. New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Martino, J. A., & Pavanello, M. A. (1996). New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Martino JA, Pavanello MA. New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Martino JA, Pavanello MA. New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
New method for inverse-image computation in generating the set of equivalent states (1996)
Teruya, M Y; Wang, Jiang Chau
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
TERUYA, M Y e WANG, Jiang Chau. New method for inverse-image computation in generating the set of equivalent states. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Teruya, M. Y., & Wang, J. C. (1996). New method for inverse-image computation in generating the set of equivalent states. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Teruya MY, Wang JC. New method for inverse-image computation in generating the set of equivalent states. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Teruya MY, Wang JC. New method for inverse-image computation in generating the set of equivalent states. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model (1996)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, D. (1996). Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet (1996)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1996). Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in soi mosfet. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Boundary-scan test of multichip modules (1996)
Cossi Junior, Roberto Cangellar; Amazonas, José Roberto de Almeida
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
COSSI JUNIOR, Roberto Cangellar e AMAZONAS, José Roberto de Almeida. Boundary-scan test of multichip modules. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Cossi Junior, R. C., & Amazonas, J. R. de A. (1996). Boundary-scan test of multichip modules. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Cossi Junior RC, Amazonas JR de A. Boundary-scan test of multichip modules. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Cossi Junior RC, Amazonas JR de A. Boundary-scan test of multichip modules. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Simple technique to reduce the influence of the series resistance on the bulk and soi mosfet parameters extraction (1996)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. Simple technique to reduce the influence of the series resistance on the bulk and soi mosfet parameters extraction. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (1996). Simple technique to reduce the influence of the series resistance on the bulk and soi mosfet parameters extraction. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Nicolett AS, Martino JA. Simple technique to reduce the influence of the series resistance on the bulk and soi mosfet parameters extraction. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Nicolett AS, Martino JA. Simple technique to reduce the influence of the series resistance on the bulk and soi mosfet parameters extraction. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Simple method to reduce the transient effect in soi mosfet at 77k (1996)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Simple method to reduce the transient effect in soi mosfet at 77k. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1996). Simple method to reduce the transient effect in soi mosfet at 77k. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Simple method to reduce the transient effect in soi mosfet at 77k. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Simple method to reduce the transient effect in soi mosfet at 77k. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Fully integrated cmos clock recovery at gbits / rates (1996)
Moreira, L C; Toma, M; Soares Junior, João Navarro ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOREIRA, L C et al. Fully integrated cmos clock recovery at gbits / rates. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Moreira, L. C., Toma, M., Soares Junior, J. N., & Van Noije, W. A. M. (1996). Fully integrated cmos clock recovery at gbits / rates. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Moreira LC, Toma M, Soares Junior JN, Van Noije WAM. Fully integrated cmos clock recovery at gbits / rates. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Moreira LC, Toma M, Soares Junior JN, Van Noije WAM. Fully integrated cmos clock recovery at gbits / rates. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Design and analysis of dcfl and scfl logic gates in 'GA''AS' mesfet technology (1996)
De Marco, W M S; Custodio, R M F; Swart, Jacobus Willibrordus; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DE MARCO, W M S et al. Design and analysis of dcfl and scfl logic gates in 'GA''AS' mesfet technology. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
De Marco, W. M. S., Custodio, R. M. F., Swart, J. W., & Van Noije, W. A. M. (1996). Design and analysis of dcfl and scfl logic gates in 'GA''AS' mesfet technology. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
De Marco WMS, Custodio RMF, Swart JW, Van Noije WAM. Design and analysis of dcfl and scfl logic gates in 'GA''AS' mesfet technology. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
De Marco WMS, Custodio RMF, Swart JW, Van Noije WAM. Design and analysis of dcfl and scfl logic gates in 'GA''AS' mesfet technology. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Gerpar and gertab 2: two fsm decomposition optimization tools (1996)
Llanos Quintero, Carlos Humberto; Strum, Marius
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LLANOS QUINTERO, Carlos Humberto e STRUM, Marius. Gerpar and gertab 2: two fsm decomposition optimization tools. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Llanos Quintero, C. H., & Strum, M. (1996). Gerpar and gertab 2: two fsm decomposition optimization tools. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Llanos Quintero CH, Strum M. Gerpar and gertab 2: two fsm decomposition optimization tools. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Llanos Quintero CH, Strum M. Gerpar and gertab 2: two fsm decomposition optimization tools. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
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Internal architecture design of an image interpolator circuit using vhdl (1996)
Martins, C A P S; Zuffo, João Antonio; Kofuji, Sergio Takeo
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, C A P S e ZUFFO, João Antonio e KOFUJI, Sergio Takeo. Internal architecture design of an image interpolator circuit using vhdl. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Martins, C. A. P. S., Zuffo, J. A., & Kofuji, S. T. (1996). Internal architecture design of an image interpolator circuit using vhdl. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Martins CAPS, Zuffo JA, Kofuji ST. Internal architecture design of an image interpolator circuit using vhdl. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Martins CAPS, Zuffo JA, Kofuji ST. Internal architecture design of an image interpolator circuit using vhdl. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Improved channel lenght and series resistence extraction for short-channel mosfets suffering from mobility degradations (1996)
Nicolett, Aparecido Sirley; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Improved channel lenght and series resistence extraction for short-channel mosfets suffering from mobility degradations. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1996). Improved channel lenght and series resistence extraction for short-channel mosfets suffering from mobility degradations. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Improved channel lenght and series resistence extraction for short-channel mosfets suffering from mobility degradations. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Improved channel lenght and series resistence extraction for short-channel mosfets suffering from mobility degradations. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices (1996)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1996). Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Theoretical and experimental analysis of the substrate effect on accumulation mode p-channel soi mosfet at room and at liquid nitrogen temperature (1996)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Colinge, Jean-Pierre
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e COLINGE, Jean-Pierre. Theoretical and experimental analysis of the substrate effect on accumulation mode p-channel soi mosfet at room and at liquid nitrogen temperature. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Colinge, J. -P. (1996). Theoretical and experimental analysis of the substrate effect on accumulation mode p-channel soi mosfet at room and at liquid nitrogen temperature. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Theoretical and experimental analysis of the substrate effect on accumulation mode p-channel soi mosfet at room and at liquid nitrogen temperature. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Theoretical and experimental analysis of the substrate effect on accumulation mode p-channel soi mosfet at room and at liquid nitrogen temperature. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Tumpanic temperature acquisition system (1996)
Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Ramirez, A; Perez, M; Calderon, O
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier et al. Tumpanic temperature acquisition system. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Ramírez Fernandez, F. J., Ramirez, A., Perez, M., & Calderon, O. (1996). Tumpanic temperature acquisition system. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Ramírez Fernandez FJ, Ramirez A, Perez M, Calderon O. Tumpanic temperature acquisition system. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Ramírez Fernandez FJ, Ramirez A, Perez M, Calderon O. Tumpanic temperature acquisition system. Proceedings. 1996 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Formação do siliceto de titânio em duas etapas em ambiente de nitrogênio (1993)
Laganá, Armando Antonio Maria ; Silva, Ana Neilde Rodrigues da; Swart, Jacobus Willibrordus
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SILVA, Ana Neilde Rodrigues da e SWART, Jacobus Willibrordus. Formação do siliceto de titânio em duas etapas em ambiente de nitrogênio. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Laganá, A. A. M., Silva, A. N. R. da, & Swart, J. W. (1993). Formação do siliceto de titânio em duas etapas em ambiente de nitrogênio. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Laganá AAM, Silva ANR da, Swart JW. Formação do siliceto de titânio em duas etapas em ambiente de nitrogênio. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Laganá AAM, Silva ANR da, Swart JW. Formação do siliceto de titânio em duas etapas em ambiente de nitrogênio. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Desenvolvimento de asic para um sistema de transmissao por espalhamento espectral (1993)
Amazonas, José Roberto de Almeida ; Ferreira, R O
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMAZONAS, José Roberto de Almeida e FERREIRA, R O. Desenvolvimento de asic para um sistema de transmissao por espalhamento espectral. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Amazonas, J. R. de A., & Ferreira, R. O. (1993). Desenvolvimento de asic para um sistema de transmissao por espalhamento espectral. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Amazonas JR de A, Ferreira RO. Desenvolvimento de asic para um sistema de transmissao por espalhamento espectral. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Amazonas JR de A, Ferreira RO. Desenvolvimento de asic para um sistema de transmissao por espalhamento espectral. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Implementacao de uma unidade logica e aritmetica de alto desempenho (1993)
Silveira, R; Próspero Sanchez, Pedro Luís
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, R e PRÓSPERO SANCHEZ, Pedro Luís. Implementacao de uma unidade logica e aritmetica de alto desempenho. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Silveira, R., & Próspero Sanchez, P. L. (1993). Implementacao de uma unidade logica e aritmetica de alto desempenho. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Silveira R, Próspero Sanchez PL. Implementacao de uma unidade logica e aritmetica de alto desempenho. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Silveira R, Próspero Sanchez PL. Implementacao de uma unidade logica e aritmetica de alto desempenho. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Linear algorithm for optimal static cmos cell layouts on sog structures (1993)
Romão, Fábio Luís; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROMÃO, Fábio Luís e VAN NOIJE, Wilhelmus Adrianus Maria. Linear algorithm for optimal static cmos cell layouts on sog structures. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Romão, F. L., & Van Noije, W. A. M. (1993). Linear algorithm for optimal static cmos cell layouts on sog structures. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Romão FL, Van Noije WAM. Linear algorithm for optimal static cmos cell layouts on sog structures. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Romão FL, Van Noije WAM. Linear algorithm for optimal static cmos cell layouts on sog structures. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Trabalho de evento
Implante de protons para otimizar o desempenho de diodos p-v-n (1993)
Nori, F; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Perez Lisboa, M O
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORI, F e RAMÍREZ FERNANDEZ, Francisco Javier e PEREZ LISBOA, M O. Implante de protons para otimizar o desempenho de diodos p-v-n. 1993, Anais.. Campinas: Sbmicro, 1993. . Acesso em: 15 nov. 2025.
APA
Nori, F., Ramírez Fernandez, F. J., & Perez Lisboa, M. O. (1993). Implante de protons para otimizar o desempenho de diodos p-v-n. In Anais. Campinas: Sbmicro.
NLM
Nori F, Ramírez Fernandez FJ, Perez Lisboa MO. Implante de protons para otimizar o desempenho de diodos p-v-n. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]
Vancouver
Nori F, Ramírez Fernandez FJ, Perez Lisboa MO. Implante de protons para otimizar o desempenho de diodos p-v-n. Anais. 1993 ;[citado 2025 nov. 15 ]

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