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Artigo de periodico
Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon (1987)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Ponce, F A; Hahn, S; Tiller, W A
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
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ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, v. 85, n. 1-2, p. 91-6, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9. Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Ponce, F. A., Hahn, S., & Tiller, W. A. (1987). Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, 85( 1-2), 91-6. doi:10.1016/0022-0248(87)90208-9
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2024 ago. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2024 ago. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
Trabalho de evento
Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon (1987)
Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira
Source: Proceedings. Conference titles: Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Unidade: IF
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ABNT
STOJANOFF, Vivian e BULLA, Douglas Anderson Pereira. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. 1987, Anais.. Berlin: Gadest, 1987. . Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Stojanoff, V., & Bulla, D. A. P. (1987). Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. In Proceedings. Berlin: Gadest.
NLM
Stojanoff V, Bulla DAP. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Stojanoff V, Bulla DAP. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2024 ago. 15 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estudo de doadores termicos em si: b (1987)
Castro Junior, W E; Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniao da Sbpc. Unidade: IF
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ABNT
CASTRO JUNIOR, W E e STOJANOFF, Vivian e BULLA, Douglas Anderson Pereira. Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 15 ago. 2024. , 1987
APA
Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., & Bulla, D. A. P. (1987). Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Castro Junior WE, Stojanoff V, Bulla DAP. Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. 1987 ;39( 7 supl.): 277.[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Castro Junior WE, Stojanoff V, Bulla DAP. Estudo de doadores termicos em si: b. Ciência e Cultura. 1987 ;39( 7 supl.): 277.[citado 2024 ago. 15 ]
Artigo de periodico
Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si (1987)
Hahn, S; Arst, M; Rek, Z U; Stojanoff, Vivian; Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, W E; Tiller, W A
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, v. 50, n. 7 , p. 401-3, 1987Tradução . . Acesso em: 15 ago. 2024.
APA
Hahn, S., Arst, M., Rek, Z. U., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., & Tiller, W. A. (1987). Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters, 50( 7 ), 401-3.
NLM
Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2024 ago. 15 ]
Vancouver
Hahn S, Arst M, Rek ZU, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE, Tiller WA. Effects of 45 graus celsius thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily b- ad sb-doped czochralski si. Applied Physics Letters. 1987 ;50( 7 ): 401-3.[citado 2024 ago. 15 ]

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