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  • Fonte: Coatings. Unidade: IF

    Assuntos: ESPECTROSCOPIA, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

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    • ABNT

      KAWAHALA, Nícolas Massarico et al. Thickness-dependent terahertz permittivity of epitaxially grown 'PB''TE' thin films. Coatings, v. No 2023, n. 11, p. 1855, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/coatings13111855. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Kawahala, N. M., Matos, D. A., Rappl, P. H. O., Abramof, E., Baydin, A., Kono, J., & Gonzalez Hernandez, F. G. (2023). Thickness-dependent terahertz permittivity of epitaxially grown 'PB''TE' thin films. Coatings, No 2023( 11), 1855. doi:10.3390/coatings13111855
    • NLM

      Kawahala NM, Matos DA, Rappl PHO, Abramof E, Baydin A, Kono J, Gonzalez Hernandez FG. Thickness-dependent terahertz permittivity of epitaxially grown 'PB''TE' thin films [Internet]. Coatings. 2023 ; No 2023( 11): 1855.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.3390/coatings13111855
    • Vancouver

      Kawahala NM, Matos DA, Rappl PHO, Abramof E, Baydin A, Kono J, Gonzalez Hernandez FG. Thickness-dependent terahertz permittivity of epitaxially grown 'PB''TE' thin films [Internet]. Coatings. 2023 ; No 2023( 11): 1855.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.3390/coatings13111855
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA DA LUZ, SPIN, POLARIZAÇÃO, MÉTODO DE MONTE CARLO

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    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe. Journal of Applied Physics, v. 131, n. 4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0079384. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Henriques, A. B., Kooten, S. V., Abramof, E., Rappl, P. H. O., & Galgano, G. D. (2022). Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe. Journal of Applied Physics, 131( 4). doi:10.1063/5.0079384
    • NLM

      Henriques AB, Kooten SV, Abramof E, Rappl PHO, Galgano GD. Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe [Internet]. Journal of Applied Physics. 2022 ; 131( 4):[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0079384
    • Vancouver

      Henriques AB, Kooten SV, Abramof E, Rappl PHO, Galgano GD. Bound photoinduced giant spin polaron in EuTe [Internet]. Journal of Applied Physics. 2022 ; 131( 4):[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0079384
  • Unidade: IF

    Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X

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    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. . Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2020
    • APA

      Morelhão, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2020). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
    • NLM

      Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
    • Vancouver

      Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
  • Unidade: IF

    Assuntos: FILMES FINOS, BISMUTO

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    • ABNT

      FORNARI, Celso I et al. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2020
    • APA

      Fornari, C. I., Abramof, E., Rappl, P. H. O., Kycia, S. W., & Morelhão, S. L. (2020). Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf
    • NLM

      Fornari CI, Abramof E, Rappl PHO, Kycia SW, Morelhão SL. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf
    • Vancouver

      Fornari CI, Abramof E, Rappl PHO, Kycia SW, Morelhão SL. Morphology Control in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2008/2008.02180.pdf
  • Fonte: The Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF

    Assuntos: RADIAÇÃO SINCROTRON, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, CRISTALOGRAFIA, BISMUTO

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    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, v. 123, n. 40, p. 24818-24825, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Morelhão, S. L., Kycia, S. W., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2019). Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators. The Journal of Physical Chemistry C, 123( 40), 24818-24825. doi:10.1021/acs.jpcc.9b05377
    • NLM

      Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
    • Vancouver

      Morelhão SL, Kycia SW, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2019 ; 123( 40): 24818-24825.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi-org.ez67.periodicos.capes.gov.br/10.1021/acs.jpcc.9b05377
  • Unidade: IF

    Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X

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    • ABNT

      KYCIA, Stefan et al. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1812.10804. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2018
    • APA

      Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., Abramof, E., & Morelhão, S. L. (2018). X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1812.10804
    • NLM

      Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhão SL. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2018 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.10804
    • Vancouver

      Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhão SL. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2018 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.10804
  • Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X

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    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Applied Physics Letters, v. 112, n. 12, p. 101903, 2018Tradução . . Disponível em: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Morelhão, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2018). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Applied Physics Letters, 112( 12), 101903. doi:10.1063/1.5020375
    • NLM

      Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. Applied Physics Letters. 2018 ; 112( 12): 101903.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375
    • Vancouver

      Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. Applied Physics Letters. 2018 ; 112( 12): 101903.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375
  • Fonte: Journal of Applied Crystallography. Unidade: IF

    Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
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    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis. Journal of Applied Crystallography, v. 50, n. 2, p. 399-410, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/S1600576717000760. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Morelhão, S. L., Fornari, C. I., Rappl, P. H. de O., & Abramof, E. (2017). Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis. Journal of Applied Crystallography, 50( 2), 399-410. doi:10.1107/S1600576717000760
    • NLM

      Morelhão SL, Fornari CI, Rappl PH de O, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2017 ; 50( 2): 399-410.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S1600576717000760
    • Vancouver

      Morelhão SL, Fornari CI, Rappl PH de O, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxial layers by advanced X-ray analysis [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2017 ; 50( 2): 399-410.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S1600576717000760
  • Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO

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    • ABNT

      HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, v. 95, n. 4, p. 045205/1-045205/7, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Henriques, A. B., Naupa Roque, A. R., Usachev, P. A., Pavlov, V. V., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2017). Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE'. Physical Review B, 95( 4), 045205/1-045205/7. doi:10.1103/PhysRevB.95.045205
    • NLM

      Henriques AB, Naupa Roque AR, Usachev PA, Pavlov VV, Rappl PHO, Abramof E. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 4): 045205/1-045205/7.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205
    • Vancouver

      Henriques AB, Naupa Roque AR, Usachev PA, Pavlov VV, Rappl PHO, Abramof E. Photoinduced giant magnetic polarons in 'EU''TE' [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95( 4): 045205/1-045205/7.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.045205
  • Fonte: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, RAIOS X

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    • ABNT

      FORNARI, Celso I. et al. Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 119, n. 16, p. 165303, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4947266. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., Abramof, E., & Morelhão, S. L. (2016). Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 119( 16), 165303. doi:10.1063/1.4947266
    • NLM

      Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhão SL. Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 119( 16): 165303.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4947266
    • Vancouver

      Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhão SL. Structural properties of 'BI' IND. 2''TE' IND. 3' topological insulator thin films grown by molecular beam epitaxy on (111) 'BA''F' IND. 2' substrates [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 119( 16): 165303.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4947266
  • Unidade: IF

    Assuntos: SEMICONDUTORES, RAIOS X

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2016
    • APA

      Morelhão, S. L., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2016). Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf
    • NLM

      Morelhão SL, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis [Internet]. 2016 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf
    • Vancouver

      Morelhão SL, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Nanoscale characterization of bismuth telluride epitaxic layers by advanced X-ray analysis [Internet]. 2016 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1612.09386.pdf
  • Fonte: SBF. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, TOPOLOGIA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SILVA, Matheus José da S et al. Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Silva, M. J. da S., Castro, S. de, Soares, D. A. W., Peres, M. L., Rappl, P. H. de O., Abramof, E., & Chitta, V. A. (2014). Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf
    • NLM

      Silva MJ da S, Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf
    • Vancouver

      Silva MJ da S, Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical investigation on band inversion of 'PB' IND. 1- x' 'SN' IND. x' 'TE' films [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0989-1.pdf
  • Fonte: SBF. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SPINTRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PERES, Marcelos Lima et al. Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Peres, M. L., Castro, S. de, Soares, D. A. W., Rappl, P. H. de O., Abramof, E., & Chitta, V. A. (2014). Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf
    • NLM

      Peres ML, Castro S de, Soares DAW, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf
    • Vancouver

      Peres ML, Castro S de, Soares DAW, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Electrical transport mesurements on 'BI' IND. 2' 'TE' IND. 3' topological insulator [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0942-1.pdf
  • Fonte: SBF. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOCONDUTIVIDADE

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CASTRO, Suelen de et al. Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2'. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Castro, S. de, Soares, D. A. W., Peres, M. L., Rappl, P. H. de O., Abramof, E., & Chitta, V. A. (2014). Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2'. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf
    • NLM

      Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2' [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf
    • Vancouver

      Castro S de, Soares DAW, Peres ML, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Photoconductivity kinetics in p-type 'PB''TE':'BA'F IND. 2' [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0961-1.pdf
  • Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: ALTA TEMPERATURA

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    • ABNT

      PERES, M L et al. Conduction mechanisms in p-type 'PB' IND. 1−x''EU' IND. x''TE' alloys in the insulator regime. Journal of Applied Physics, v. 111, n. ju2012, p. 123708, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4729813. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Peres, M. L., Rubinger, R. M., Ribeiro, L. H., Rubinger, C. P. L., Ribeiro, G. M., Rappl, P. H. de O., et al. (2012). Conduction mechanisms in p-type 'PB' IND. 1−x''EU' IND. x''TE' alloys in the insulator regime. Journal of Applied Physics, 111( ju2012), 123708. doi:10.1063/1.4729813
    • NLM

      Peres ML, Rubinger RM, Ribeiro LH, Rubinger CPL, Ribeiro GM, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Conduction mechanisms in p-type 'PB' IND. 1−x''EU' IND. x''TE' alloys in the insulator regime [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ;111( ju2012): 123708.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4729813
    • Vancouver

      Peres ML, Rubinger RM, Ribeiro LH, Rubinger CPL, Ribeiro GM, Rappl PH de O, Abramof E, Chitta VA. Conduction mechanisms in p-type 'PB' IND. 1−x''EU' IND. x''TE' alloys in the insulator regime [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ;111( ju2012): 123708.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4729813
  • Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÍONS

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    • ABNT

      RIGHETTI, Victor Augusto Nieto et al. Structural and magnetic characterization of c-GaN implanted with Fe, Mn and Cu ions. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0422-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Righetti, V. A. N., Chitta, V. A., Gratens, X. P. M., Abramof, E., Godoy, M. P. F. de, Lischka, K., et al. (2012). Structural and magnetic characterization of c-GaN implanted with Fe, Mn and Cu ions. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0422-1.pdf
    • NLM

      Righetti VAN, Chitta VA, Gratens XPM, Abramof E, Godoy MPF de, Lischka K, As DJ, Schikora D. Structural and magnetic characterization of c-GaN implanted with Fe, Mn and Cu ions [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0422-1.pdf
    • Vancouver

      Righetti VAN, Chitta VA, Gratens XPM, Abramof E, Godoy MPF de, Lischka K, As DJ, Schikora D. Structural and magnetic characterization of c-GaN implanted with Fe, Mn and Cu ions [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0422-1.pdf
  • Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA

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    • ABNT

      HONDA, Bruno Silveira de Lima et al. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Honda, B. S. de L., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., Abramof, E., & Rappl, P. H. de O. (2012). Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
    • NLM

      Honda BS de L, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PH de O. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
    • Vancouver

      Honda BS de L, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PH de O. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
  • Fonte: Acta Physica Polonica A. Nome do evento: “Jaszowiec” International School and Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      PERES, M L et al. Spin–orbit coupling in n-type PbTe/PbEuTe quantum wells. Acta Physica Polonica A, v. 119, p. 602, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.119.602. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Peres, M. L., Chitta, V. A., Maude, D. K., Oliveira Jr., N. F., Rappl, P. H. de O., Ueta, A. Y., & Abramof, E. (2011). Spin–orbit coupling in n-type PbTe/PbEuTe quantum wells. Acta Physica Polonica A, 119, 602. doi:10.12693/APhysPolA.119.602
    • NLM

      Peres ML, Chitta VA, Maude DK, Oliveira Jr. NF, Rappl PH de O, Ueta AY, Abramof E. Spin–orbit coupling in n-type PbTe/PbEuTe quantum wells [Internet]. Acta Physica Polonica A. 2011 ;119 602.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.119.602
    • Vancouver

      Peres ML, Chitta VA, Maude DK, Oliveira Jr. NF, Rappl PH de O, Ueta AY, Abramof E. Spin–orbit coupling in n-type PbTe/PbEuTe quantum wells [Internet]. Acta Physica Polonica A. 2011 ;119 602.[citado 2025 nov. 27 ] Available from: https://doi.org/10.12693/APhysPolA.119.602
  • Fonte: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Nome do evento: Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. Unidade: IF

    Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

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    • ABNT

      FREITAS, Raul de Oliveira et al. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART. Acesso em: 27 nov. 2025. , 2009
    • APA

      Freitas, R. de O., Diaz, B., Abramof, E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
    • NLM

      Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
    • Vancouver

      Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
  • Fonte: Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IF

    Assuntos: MATERIAIS (PESQUISA), EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR

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    • ABNT

      ABRAMOF, Eduardo et al. Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf. Acesso em: 27 nov. 2025.
    • APA

      Abramof, E., Chitta, V. A., Rappl, P. H. de O., Mengui, Ú. A., Yukio, A., & Oliveira Jr., N. F. (2006). Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam. In Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf
    • NLM

      Abramof E, Chitta VA, Rappl PH de O, Mengui ÚA, Yukio A, Oliveira Jr. NF. Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam [Internet]. Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. 2006 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf
    • Vancouver

      Abramof E, Chitta VA, Rappl PH de O, Mengui ÚA, Yukio A, Oliveira Jr. NF. Transport and structural properties of SnTe flims grown by molecular beam [Internet]. Poster Sessions Abstracts Index : Symposium D. 2006 ;[citado 2025 nov. 27 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/IndexPosterD.pdf

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