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Parte de monografia/livro
Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS' (1991)
Camata, R P; Scolfaro, L M R; Martins, José Manuel de Vasconcelos; Leite, J. R.; Mendonca, C A C; Meneses, E A; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.
Source: Festschrift in Honor of R C Leite. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CAMATA, R P et al. Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. Festschrift in Honor of R C Leite. Tradução . Singapura: World Scientific, 1991. . . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Camata, R. P., Scolfaro, L. M. R., Martins, J. M. de V., Leite, J. R., Mendonca, C. A. C., Meneses, E. A., et al. (1991). Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. In Festschrift in Honor of R C Leite. Singapura: World Scientific.
NLM
Camata RP, Scolfaro LMR, Martins JM de V, Leite JR, Mendonca CAC, Meneses EA, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG. Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. In: Festschrift in Honor of R C Leite. Singapura: World Scientific; 1991. [citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Camata RP, Scolfaro LMR, Martins JM de V, Leite JR, Mendonca CAC, Meneses EA, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG. Built-in eletric-field at modulation doped 'GA''AS' / 'GA''AL''AS' heterojunctions and delta-doped 'GA''AS'. In: Festschrift in Honor of R C Leite. Singapura: World Scientific; 1991. [citado 2024 out. 10 ]
Artigo de periodico
Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
Rodrigues, R; Guimaraes, P S S; Sampaio, J F; Nogueira, R A; Oliveira Junior, A T; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Scolfaro, L M R
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Trabalho de evento-resumo
Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe (1989)
Diniz, R; Chaves, A S; Guimaraes, P S S; Bezerra, J C; Dias, I F; Oliveira, A. G.; Oliveira Jr., N. F.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: EFEITO HALL
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ABNT
DINIZ, R et al. Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Diniz, R., Chaves, A. S., Guimaraes, P. S. S., Bezerra, J. C., Dias, I. F., Oliveira, A. G., & Oliveira Jr., N. F. (1989). Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Diniz R, Chaves AS, Guimaraes PSS, Bezerra JC, Dias IF, Oliveira AG, Oliveira Jr. NF. Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Diniz R, Chaves AS, Guimaraes PSS, Bezerra JC, Dias IF, Oliveira AG, Oliveira Jr. NF. Efeito hall quantico em heteroestruturas 'GA''AS' / n-'AL''GA''AS' dopadas seletivamente crescidas por mbe. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 out. 10 ]

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