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Artigo de periodico
Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells (2017)
Aquino, V M de; Iwamoto, H; Dias, I F L; Laureto, E; Silva, M A T da; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, FOTODETECTORES, ELETRÔNICA QUÂNTICA
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ABNT
AQUINO, V M de et al. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 101, n. ja, p. 236-243, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Dias, I. F. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, 101( ja), 236-243. doi:10.1016/j.spmi.2016.11.042
NLM
Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
Vancouver
Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
Artigo de periodico
Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness (2012)
Lopes, E M; Menezes, J C M; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Guimarães, P S S; Subtil, A G S; Quivy, Alain André
Fonte: Journal of Luminescence. Unidade: IF
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO
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ABNT
LOPES, E M et al. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, v. 132, n. 5, p. 1183-1187, 2012Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lopes, E. M., Menezes, J. C. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Guimarães, P. S. S., et al. (2012). Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness. Journal of Luminescence, 132( 5), 1183-1187. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
NLM
Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
Vancouver
Lopes EM, Menezes JCM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Subtil AGS, Quivy AA. Magnetophotoluminescence study of 'GA''AS'/'AL''GA''AS' coupled double quantum wells with bimodal heterointerface roughness [Internet]. Journal of Luminescence. 2012 ;132( 5): 1183-1187.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231311007344
Trabalho de evento-resumo
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells (2011)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Silva, M A T da; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André ; Cezar, D F
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Lourenço, S. A., et al. (2011). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells (2011)
Lopes, E M; Quivy, Alain André ; César, D F; Franchello, F; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Guimarães, P S S; Tanaka, R Y
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
LOPES, E M et al. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lopes, E. M., Quivy, A. A., César, D. F., Franchello, F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., et al. (2011). Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
NLM
Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Quivy AA, César DF, Franchello F, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Guimarães PSS, Tanaka RY. Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1570-1.pdf
Artigo de periodico
Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder (2010)
Lopes, E M; Duarte, J L; Poças, L C; Dias, I. F. L; Laureto, E; Quivy, Alain André ; Lamas, Tomas Eriksson
Fonte: JournalofLuminescence. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LOPES, E M et al. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, v. 130, n. 3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2010). Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder. JournalofLuminescence, 130( 3). doi:10.1016/j.jlumin.2009.10.013
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Quivy AA, Lamas TE. Exciton behavior in GaAs/AlGaAs coupled double quantum wells with interface disorder [Internet]. JournalofLuminescence. 2010 ;130( 3):[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2009.10.013
Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Artigo de periodico
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells (2009)
Morais, R R O; Dias, I F L; Silva, M A T da; Cesar, D F; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Fonte: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Artigo de periodico
The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells (2008)
Silva, M A T da; Morais, R R O; Dias, I F L; Lourenço, S A; Duarte, J L; Laureto, E; Quivy, Alain André ; Silva, Euzi Conceição Fernandes da
Fonte: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESPALHAMENTO
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ABNT
SILVA, M A T da et al. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 25, p. 255246/1-255246/9, 2008Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Silva, M. A. T. da, Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2008). The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 25), 255246/1-255246/9. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
NLM
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Vancouver
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Trabalho de evento-resumo
Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells (2008)
Cesar, Daniel Ferreira; Lopes, Èlder Mantovani; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Franchello, Flávio; Laureto, E; Guimarães, Paulo Sérgio Soares; Quivy, Alain André
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CESAR, Daniel Ferreira et al. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Cesar, D. F., Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Franchello, F., Laureto, E., et al. (2008). Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
NLM
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" (2008)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., Laureto, E., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2008). Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike (2007)
Cesar, D F; Duarte, J L; Dias, I F L; Laureto, E; Lopes, E M; Frachello, F; Lamas, T. E.; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESAR, D F et al. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Cesar, D. F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Lopes, E. M., Frachello, F., et al. (2007). Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
NLM
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE, Quivy AA. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE, Quivy AA. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells (2007)
Lourenço, Sidney Alves; Duarte, J L; Silva, M A T da; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2007). Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power (2007)
Lopes, E M; Duarte, J L; Dias, I F L; Poças, L C; Laureto, E; Cesar, D F; Lamas, T. E.; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LOPES, E M et al. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Poças, L. C., Laureto, E., Cesar, D. F., et al. (2007). Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE, Quivy AA. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE, Quivy AA. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
Trabalho de evento
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs (2006)
Lopes, E M; Duarte, J L; César, D F; Poças, L C; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, Alain André
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ (2005)
Silva, M A T; Lamas, T. E.; Quivy, Alain André ; Dias, I. F. L.; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenco, S A
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SILVA, M A T et al. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Silva, M. A. T., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., & Lourenco, S. A. (2005). Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
NLM
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Vancouver
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Artigo de periodico
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs (2004)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Poças, L C; Toginho Filho, D O; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Artigo de periodico
Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells (2002)
Laureto, E; Meneses, E A; Carvalho Junior, W; Bernussi, A A; Ribeiro, E; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Oliveira, J B B de
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LAURETO, E et al. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Laureto, E., Meneses, E. A., Carvalho Junior, W., Bernussi, A. A., Ribeiro, E., Silva, E. C. F. da, & Oliveira, J. B. B. de. (2002). Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 314-317. doi:10.1590/s0103-97332002000200017
NLM
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Vancouver
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Artigo de periodico
Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Iwamoto, H; Meneses, E A; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES NUCLEARES
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 29, n. 2, p. 225-231, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Iwamoto, H., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 29( 2), 225-231. Recuperado de http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Artigo de periodico
Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells (2001)
Lourenco, S A; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Duarte, J L; Toguinho Filho, D O; Meneses, E A; Leite, J. R.
Fonte: European Physical Journal B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENCO, S A et al. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, v. 21, n. 1, p. 11-17, 2001Tradução . . Disponível em: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lourenco, S. A., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Toguinho Filho, D. O., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, 21( 1), 11-17. Recuperado de http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
NLM
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Vancouver
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Artigo de periodico
Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Meneses, E A; Leite, J. R.; Mazzaro, I
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, v. 89, n. 11, p. 6159-6164, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1367875. Acesso em: 01 dez. 2025.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Meneses, E. A., Leite, J. R., & Mazzaro, I. (2001). Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, 89( 11), 6159-6164. doi:10.1063/1.1367875
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875

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