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Artigo de periodico
Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Physica Status Solidi (C). Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2010). Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), 7( 3-4), 937-940. doi:10.1002/pssc.200982656
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Artigo de periodico
Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidades: EP, IEE
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 425-432, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474188. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 425-432. doi:10.1149/1.3474188
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Artigo de periodico
PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, IEE
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 116-124, 2010Tradução . . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 116-124.
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications (2010)
Oliveira, Alessandro Ricardo; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Source: Physica Status Solidi C. Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, METAIS, PROCESSOS DE MICROELETRÔNICA, SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS
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ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo e PEREYRA, Inés e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications. Physica Status Solidi C, v. 7, n. 3/4, p. 793-796, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982839. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Oliveira, A. R., Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (2010). A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications. Physica Status Solidi C, 7( 3/4), 793-796. doi:10.1002/pssc.200982839
NLM
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications [Internet]. Physica Status Solidi C. 2010 ; 7( 3/4): 793-796.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982839
Vancouver
Oliveira AR, Pereyra I, Páez Carreño MN. A study of metal contact properties on thermal annealed PECVD SiC thin films for MEMS applications [Internet]. Physica Status Solidi C. 2010 ; 7( 3/4): 793-796.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982839
Artigo de periodico
Study of TiOxNy MOS capacitors (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Souza, Denise Criado Pereira de ; Zuñiga Paez, Alejandro A.; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin et al. Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 349-358, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3183707. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Albertin, K. F., Souza, D. C. P. de, Zuñiga Paez, A. A., & Pereyra, I. (2010). Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 349-358. doi:10.1149/1.3183707
NLM
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707
Vancouver
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707
Artigo de periodico
Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer (2009)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Journal of Vacuum Science and Technology B. Unidade: EP
Assunto: DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, v. 27, n. ja/feb. 2009, p. 236-245, 2009Tradução . . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2009). Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, 27( ja/feb. 2009), 236-245.
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2009 ; 27( ja/feb. 2009): 236-245.[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2009 ; 27( ja/feb. 2009): 236-245.[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento
Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD (2008)
Oliveira, Alessandro Ricardo de; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Source: siPDusp. Conference titles: Simpósio Internacional de Pós-Doutorado. Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de e PEREYRA, Inés e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. 2008, Anais.. São Paulo: USP, 2008. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Oliveira, A. R. de, Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (2008). Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. In siPDusp. São Paulo: USP.
NLM
Oliveira AR de, Pereyra I, Páez Carreño MN. Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. siPDusp. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Oliveira AR de, Pereyra I, Páez Carreño MN. Caracterização elétrica de contatos de Al, Ni e Ti em filmes cristalizados de SiC obtidos por PECVD. siPDusp. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento
Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface (2008)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2008). Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento
Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys (2008)
Ribeiro, M; Pereyra, Inés
Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, M e PEREYRA, Inés. Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Ribeiro, M., & Pereyra, I. (2008). Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Ribeiro M, Pereyra I. Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Ribeiro M, Pereyra I. Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Desenvolvimento e caracterização de um acelerômetro de silício (2007)
Sesso, Daniel Baraldi ; Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés
Source: 15 SIICUSP: anais. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: SISTEMAS NANOELETROMECÂNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SESSO, Daniel Baraldi e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson e PEREYRA, Inés. Desenvolvimento e caracterização de um acelerômetro de silício. 2007, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha2864.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Sesso, D. B., Páez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (2007). Desenvolvimento e caracterização de um acelerômetro de silício. In 15 SIICUSP: anais. São Paulo: Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha2864.pdf
NLM
Sesso DB, Páez Carreño MN, Pereyra I. Desenvolvimento e caracterização de um acelerômetro de silício [Internet]. 15 SIICUSP: anais. 2007 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha2864.pdf
Vancouver
Sesso DB, Páez Carreño MN, Pereyra I. Desenvolvimento e caracterização de um acelerômetro de silício [Internet]. 15 SIICUSP: anais. 2007 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha2864.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations (2007)
Lino, A T; Borges, P D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silva Junior, E F da
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 03 dez. 2025. , 2007
APA
Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal

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