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Tese (Doutorado)
Desenvolvimento de um sistema de caracterização de emissores de elétrons baseado no mapeamento de corrente por imagem (2018)
Kopelvski, Maycon Max ; Galeazzo, Elisabete (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: INSTRUMENTAÇÃO VIRTUAL, ELÉTRONS, PROCESSAMENTO DE IMAGENS, PROCESSAMENTO DE SINAIS
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ABNT
KOPELVSKI, Maycon Max. Desenvolvimento de um sistema de caracterização de emissores de elétrons baseado no mapeamento de corrente por imagem. 2018. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122018-152930/. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Kopelvski, M. M. (2018). Desenvolvimento de um sistema de caracterização de emissores de elétrons baseado no mapeamento de corrente por imagem (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122018-152930/
NLM
Kopelvski MM. Desenvolvimento de um sistema de caracterização de emissores de elétrons baseado no mapeamento de corrente por imagem [Internet]. 2018 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122018-152930/
Vancouver
Kopelvski MM. Desenvolvimento de um sistema de caracterização de emissores de elétrons baseado no mapeamento de corrente por imagem [Internet]. 2018 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12122018-152930/
Trabalho de evento
Novel Si field emission devices fabrication method based on HI-PS technique for gas sensors development (2008)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Kopelvski, Maycon Max ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Meeting on Chemical Sensors. Unidade: EP
Assunto: SENSORES QUÍMICOS
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Novel Si field emission devices fabrication method based on HI-PS technique for gas sensors development. 2008, Anais.. Columbus: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2008. . Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., Kopelvski, M. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2008). Novel Si field emission devices fabrication method based on HI-PS technique for gas sensors development. In Proceedings. Columbus: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Novel Si field emission devices fabrication method based on HI-PS technique for gas sensors development. Proceedings. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Novel Si field emission devices fabrication method based on HI-PS technique for gas sensors development. Proceedings. 2008 ;[citado 2025 dez. 03 ]
Artigo de periodico
Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique (2008)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Kopelvski, Maycon Max ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: Journal of Microelectrochemical Systems. Unidade: EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique. Journal of Microelectrochemical Systems, v. 17, n. 5, p. 1263-1269, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., Kopelvski, M. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2008). Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique. Journal of Microelectrochemical Systems, 17( 5), 1263-1269. doi:10.1109/JMEMS.2008.927743
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique [Internet]. Journal of Microelectrochemical Systems. 2008 ; 17( 5): 1263-1269.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Kopelvski MM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon field-emission devices fabricated using the hydrogen implantation-porous silicon (HI-PS) micromachining technique [Internet]. Journal of Microelectrochemical Systems. 2008 ; 17( 5): 1263-1269.[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1109/JMEMS.2008.927743
Trabalho de evento
Silicon microtips arrays fabricated by HI-PS technique for application in field emission devices (2007)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Kopelvski, Maycon Max ; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Fonte: SBMicro 2007. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Silicon microtips arrays fabricated by HI-PS technique for application in field emission devices. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.2766920. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Dantas, M. O. da S., Kopelvski, M. M., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2007). Silicon microtips arrays fabricated by HI-PS technique for application in field emission devices. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society. doi:10.1149/1.2766920
NLM
Dantas MO da S, Kopelvski MM, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon microtips arrays fabricated by HI-PS technique for application in field emission devices [Internet]. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2766920
Vancouver
Dantas MO da S, Kopelvski MM, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Silicon microtips arrays fabricated by HI-PS technique for application in field emission devices [Internet]. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2766920
Dissertação (Mestrado)
Sistema de caracterização elétrica de dispositivos emissores de campo (2007)
Kopelvski, Maycon Max ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: ESPECTROMETRIA DE MASSAS, INSTRUMENTAÇÃO VIRTUAL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KOPELVSKI, Maycon Max. Sistema de caracterização elétrica de dispositivos emissores de campo. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-28032008-174207/. Acesso em: 03 dez. 2025.
APA
Kopelvski, M. M. (2007). Sistema de caracterização elétrica de dispositivos emissores de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-28032008-174207/
NLM
Kopelvski MM. Sistema de caracterização elétrica de dispositivos emissores de campo [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-28032008-174207/
Vancouver
Kopelvski MM. Sistema de caracterização elétrica de dispositivos emissores de campo [Internet]. 2007 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3142/tde-28032008-174207/

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