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  • Artigo de periodico

    In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs (2015)

    Doria, Rodrigo Trevisoli ; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Souza, Marcio Alves Sodré de; Martino, João Antonio

    Fonte: Microelectronic Engineering. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DORIA, Rodrigo Trevisoli et al. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs. Microelectronic Engineering, v. 147, n. 1, p. 92-95, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Doria, R. T., Claeys, C., Simoen, E., Souza, M. A. S. de, & Martino, J. A. (2015). In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs. Microelectronic Engineering, 147( 1), 92-95. doi:10.1016/j.mee.2015.04.056

    • NLM

      Doria RT, Claeys C, Simoen E, Souza MAS de, Martino JA. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs [Internet]. Microelectronic Engineering. 2015 ; 147( 1): 92-95.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056

    • Vancouver

      Doria RT, Claeys C, Simoen E, Souza MAS de, Martino JA. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs [Internet]. Microelectronic Engineering. 2015 ; 147( 1): 92-95.[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.056

  • Tese (Doutorado)

    Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais (2015)

    Souza, Marcio Alves Sodré de; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Assuntos: TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO, TENSÃO DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Marcio Alves Sodré de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais. 2015. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Souza, M. A. S. de. (2015). Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/

    • NLM

      Souza MAS de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/

    • Vancouver

      Souza MAS de. Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais [Internet]. 2015 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15072016-142254/

  • Trabalho de evento

    Comparative study of biaxial and uniaxial mechanical stress influence on the low frequency noise of fully depleted SOI nMOSFETs operating in triode and saturation regime (2012)

    Souza, Marcio Alves Sodré de; Doria, Rodrigo Trevisoli ; Souza, Michelly de ; Martino, João Antonio ; Pavanello, Marcelo Antonio

    Fonte: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Nome do evento: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Marcio Alves Sodré de et al. Comparative study of biaxial and uniaxial mechanical stress influence on the low frequency noise of fully depleted SOI nMOSFETs operating in triode and saturation regime. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0077ecst. Acesso em: 01 dez. 2025.

    • APA

      Souza, M. A. S. de, Doria, R. T., Souza, M. de, Martino, J. A., & Pavanello, M. A. (2012). Comparative study of biaxial and uniaxial mechanical stress influence on the low frequency noise of fully depleted SOI nMOSFETs operating in triode and saturation regime. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0077ecst

    • NLM

      Souza MAS de, Doria RT, Souza M de, Martino JA, Pavanello MA. Comparative study of biaxial and uniaxial mechanical stress influence on the low frequency noise of fully depleted SOI nMOSFETs operating in triode and saturation regime [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0077ecst

    • Vancouver

      Souza MAS de, Doria RT, Souza M de, Martino JA, Pavanello MA. Comparative study of biaxial and uniaxial mechanical stress influence on the low frequency noise of fully depleted SOI nMOSFETs operating in triode and saturation regime [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2025 dez. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0077ecst
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