Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco 
; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto; Antonelli, A
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ACÚSTICA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MECÂNICA DOS LÍQUIDOS, CRISTALOGRAFIA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, v. 302, n. 403-407, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8. Acesso em: 26 maio 2024.APA
Justo Filho, J. F., Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Antonelli, A. (2001). Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors. Physica B, 302( 403-407). doi:10.1016/s0921-4526(01)00462-8NLM
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2024 maio 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8Vancouver
Justo Filho JF, Schmidt TM, Fazzio A, Antonelli A. Segregation of dopant atoms on extended defects in semiconductors [Internet]. Physica B. 2001 ; 302( 403-407):[citado 2024 maio 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00462-8
