ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study (2005)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS, MATÉRIA CONDENSADA, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 288, n. 384-396, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 288( 384-396). Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Artigo de periodico
First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400008
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Artigo de periodico
Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
Trabalho de evento-resumo
Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves A, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'IND. x''Ga IND. 1-x'N quantum dots. Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2003)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Artigo de periodico
Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Trabalho de evento-resumo
First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys (2003)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. First principles of diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N and 'Al IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Diluted magnetic 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' N alloys: a first principles study (2003)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Diluted magnetic 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' N alloys: a first principles study. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2003). Diluted magnetic 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' N alloys: a first principles study. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' N alloys: a first principles study. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND.1-X' 'Mn IND.X' N alloys: a first principles study. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 07 ]
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Artigo de periodico
First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys (2002)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 405-408, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 405-408. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 set. 07 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N' (2001)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2001). Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos (2001)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÁTOMOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2001). Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras (2000)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2000). Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. Resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. Resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 07 ]
Artigo de periodico
The influence of cold working and recrystallization on the homogenization of As-cast Cu-50 wt.% Ni alloy (1997)
Nogueira, R A; Padilha, Angelo Fernando
Source: Zeitschrift Fur Metallkunde. Unidade: EP
Assunto: CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, R A e PADILHA, Angelo Fernando. The influence of cold working and recrystallization on the homogenization of As-cast Cu-50 wt.% Ni alloy. Zeitschrift Fur Metallkunde, v. 88, n. 3, p. 204-208, 1997Tradução . . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Nogueira, R. A., & Padilha, A. F. (1997). The influence of cold working and recrystallization on the homogenization of As-cast Cu-50 wt.% Ni alloy. Zeitschrift Fur Metallkunde, 88( 3), 204-208.
NLM
Nogueira RA, Padilha AF. The influence of cold working and recrystallization on the homogenization of As-cast Cu-50 wt.% Ni alloy. Zeitschrift Fur Metallkunde. 1997 ; 88( 3): 204-208.[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Nogueira RA, Padilha AF. The influence of cold working and recrystallization on the homogenization of As-cast Cu-50 wt.% Ni alloy. Zeitschrift Fur Metallkunde. 1997 ; 88( 3): 204-208.[citado 2024 set. 07 ]
Trabalho de evento
Segregacao em liga 'CU'-50% 'NI' apos solidificacao convencional e ultra-rapida (melt-spinning) (1996)
Nogueira, R A; Padilha, Angelo Fernando
Source: Anais Cbecimat. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: METAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, R A e PADILHA, Angelo Fernando. Segregacao em liga 'CU'-50% 'NI' apos solidificacao convencional e ultra-rapida (melt-spinning). 1996, Anais.. Sao Paulo: Abc/Abm/Abpol, 1996. . Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Nogueira, R. A., & Padilha, A. F. (1996). Segregacao em liga 'CU'-50% 'NI' apos solidificacao convencional e ultra-rapida (melt-spinning). In Anais Cbecimat. Sao Paulo: Abc/Abm/Abpol.
NLM
Nogueira RA, Padilha AF. Segregacao em liga 'CU'-50% 'NI' apos solidificacao convencional e ultra-rapida (melt-spinning). Anais Cbecimat. 1996 ;[citado 2024 set. 07 ]
Vancouver
Nogueira RA, Padilha AF. Segregacao em liga 'CU'-50% 'NI' apos solidificacao convencional e ultra-rapida (melt-spinning). Anais Cbecimat. 1996 ;[citado 2024 set. 07 ]
Artigo de periodico
Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
Rodrigues, R; Guimaraes, P S S; Sampaio, J F; Nogueira, R A; Oliveira Junior, A T; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Scolfaro, L M R
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 07 set. 2024.
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 set. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Date published

Subjects

Source title

Countries/Territories

Non normalized affiliation