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Artigo de periodico
Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation (2013)
Scopel, W. L.; Miwa, R H; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOPEL, W. L. et al. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 87, n. 16, p. 165307, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Scopel, W. L., Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 87( 16), 165307. doi:10.1103/PhysRevB.87.165307
NLM
Scopel WL, Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 87( 16): 165307.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307
Vancouver
Scopel WL, Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Graphene on amorphous 'HF''O IND.2' surface: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 87( 16): 165307.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.165307
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of impurities on the 'BI' IND. 2''SE'IND. 3' topological insulator from ab initio calculations (2011)
Schmidt, Tome M; Fazzio, Adalberto; Miwa, R H
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: CARBONO
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ABNT
SCHMIDT, Tome M e FAZZIO, Adalberto e MIWA, R H. Adsorption of impurities on the 'BI' IND. 2''SE'IND. 3' topological insulator from ab initio calculations. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2313-1.pdf. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Miwa, R. H. (2011). Adsorption of impurities on the 'BI' IND. 2''SE'IND. 3' topological insulator from ab initio calculations. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2313-1.pdf
NLM
Schmidt TM, Fazzio A, Miwa RH. Adsorption of impurities on the 'BI' IND. 2''SE'IND. 3' topological insulator from ab initio calculations [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2313-1.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A, Miwa RH. Adsorption of impurities on the 'BI' IND. 2''SE'IND. 3' topological insulator from ab initio calculations [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2313-1.pdf
Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413/1-195413/4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413/1-195413/4. doi:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413/1-195413/4.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413/1-195413/4.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195413
Artigo de periodico
Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons (2009)
Rigo, V A; Martins, T B; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Miwa, R H
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
RIGO, V A et al. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons. Physical Review B, v. 79, n. 7, p. 075435/1-075435/9, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Rigo, V. A., Martins, T. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Miwa, R. H. (2009). Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons. Physical Review B, 79( 7), 075435/1-075435/9. doi:10.1103/physrevb.79.075435
NLM
Rigo VA, Martins TB, Silva AJR da, Fazzio A, Miwa RH. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 7): 075435/1-075435/9.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435
Vancouver
Rigo VA, Martins TB, Silva AJR da, Fazzio A, Miwa RH. Electronic, structural, and transport properties of Ni-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 7): 075435/1-075435/9.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.79.075435
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study (2008)
Miwa, R H; Martins, T B; Fazzio, Adalberto
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: NANOPARTÍCULAS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e MARTINS, T B e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. Nanotechnology, v. 19, n. 15, p. 155708/1-155708/7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/15/155708. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Martins, T. B., & Fazzio, A. (2008). Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. Nanotechnology, 19( 15), 155708/1-155708/7. doi:10.1088/0957-4484/19/15/155708
NLM
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 15): 155708/1-155708/7.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/15/155708
Vancouver
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 15): 155708/1-155708/7.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/15/155708
Relatorio tecnico
Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study (2007)
Miwa, R H; Martins, T B; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e MARTINS, T B e FAZZIO, Adalberto. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf. Acesso em: 17 abr. 2024. , 2007
APA
Miwa, R. H., Martins, T. B., & Fazzio, A. (2007). Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf
NLM
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Martins TB, Fazzio A. Hydrogen adsorption on boron doped graphene: an ab initio study [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://br.arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/0705/0705.3896v1.pdf
Artigo de periodico
EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation (2007)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, v. 75, n. 16, p. 165324/1-165324/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, 75( 16), 165324/1-165324/5. doi:10.1103/physrevb.75.165324
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Artigo de periodico
Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations (2005)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 193404/1-193404/4, 2005Tradução . . Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, 72( 19), 193404/1-193404/4.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 abr. 17 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2024 abr. 17 ]
Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Artigo de periodico
Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, v. 244, p. 124-128, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces. Applied Surface Science, 244, 124-128. doi:10.1016/j.apsusc.2004.09.165
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on hydrogenated Si(0 0 1) surfaces [Internet]. Applied Surface Science. 2005 ; 244 124-128.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.09.165
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of carbon nanotubes adsorbed on hidrogeneted Si(100) surfaces [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_a.pdf
Artigo de periodico
Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube adsorbed on Si(001) (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube adsorbed on Si(001). In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Fazzio, Adalberto; Miwa, R H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto e MIWA, R H. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Fazzio, A., & Miwa, R. H. (2003). Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana W, Fazzio A, Miwa RH. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Vancouver
Orellana W, Fazzio A, Miwa RH. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Artigo de periodico
Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, v. 67, n. 20, p. 205317/1-205317, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips. Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Physical Review B, 67( 20), 205317/1-205317. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Theoretical investigation of extended defects and their interactions with vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 20): 205317/1-205317.[citado 2024 abr. 17 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000020205317000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2003)
Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e VENEZUELA, P e FAZZIO, Adalberto. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2003). Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Vancouver
Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stacking faults and vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 17 ]
Trabalho de evento
Carbon nanotube adsorbed on Si(001) (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003, Anais.. S.L: s.n, 2003. . Acesso em: 17 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube adsorbed on Si(001). In . S.L: s.n.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003 ;(S.L. : s.):[citado 2024 abr. 17 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube adsorbed on Si(001). 2003 ;(S.L. : s.):[citado 2024 abr. 17 ]

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