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Artigo de periodico
Self-interstitial defect in germanium (2000)
Silva, Antonio J R da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, Antonio J R da et al. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, v. 61, n. 15, p. 9903-9906, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 61( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Artigo de periodico
Microscopic picture of the single vacancy in germanium (2000)
Fazzio, Adalberto; Janotti, A.; Silva, Antonio Jose Roque da; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, v. 61. n. 4, p. R2401-R2404, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Silva, A. J. R. da, & Mota, R. (2000). Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, 61. n. 4, R2401-R2404. doi:10.1103/physrevb.61.r2401
NLM
Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401
Trabalho de evento-resumo
Study of intrinsic defects in germanium (2000)
Silva, Antonio Jose Roque da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e JANOTTI, A. e FAZZIO, Adalberto. Study of intrinsic defects in germanium. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., & Fazzio, A. (2000). Study of intrinsic defects in germanium. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Study of intrinsic defects in germanium. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Study of intrinsic defects in germanium. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Self-interstitial defect in germanium (2000)
Silva, Antonio Jose Roque da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, v. 62, n. 15, p. 9903-9906, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 62( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Trabalho de evento-resumo
Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface (2000)
Dalpian, G. M.; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2000). Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Ge monomers and dimers adsorbed on the Si(100) surface. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs (1999)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Mota, R.; Piquini, P.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, v. 110, p. 457-461, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1999). Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, 110, 457-461. doi:10.1016/s0038-1098(98)00606-1
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001) (1999)
Dalpian, G. M.; Silva, Antônio J. R. da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, Janotti, A., & Fazzio, A. (1999). Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Ab initio study of initial stages of growth of Ge on Si(001). Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium (1999)
Janotti, A.; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, v. 274, p. 575-578, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Janotti, A., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Fazzio, A. (1999). Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, 274, 575-578. doi:10.1016/s0921-4526(99)00576-1
NLM
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Vancouver
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Artigo de periodico
Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers (1999)
Dalpian, G. M.; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio J. R. da
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, v. 273-274, p. 589-592, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (1999). Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, 273-274, 589-592. doi:10.1016/s0921-4526(99)00580-3
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3
Trabalho de evento-resumo
Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors (1999)
Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Janotti, A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Janotti, A. (1999). Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1997)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 110-113.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 abr. 23 ]

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