Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111) (2020)
Kagerer, Philipp 
; Fornari, Celso Israel ; Buchberger, S.; Morelhao, Sergio L.; Vidal, R. C.; Tcakaev, Abdul-Vakhab ; Zabolotnyy, V.; Weschke, E.; Hinkov, Vladimir ; Kamp, Martin ; Büchner, B.; Isaeva, Anna ; Bentmann, H.; Reinert, F.
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X, FILMES FINOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
KAGERER, Philipp et al. Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111). Journal of Applied Physics, v. 128, n. 13, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0025933. Acesso em: 12 ago. 2024.APA
Kagerer, P., Fornari, C. I., Buchberger, S., Morelhao, S. L., Vidal, R. C., Tcakaev, A. -V., et al. (2020). Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111). Journal of Applied Physics, 128( 13). doi:10.1063/5.0025933NLM
Kagerer P, Fornari CI, Buchberger S, Morelhao SL, Vidal RC, Tcakaev A-V, Zabolotnyy V, Weschke E, Hinkov V, Kamp M, Büchner B, Isaeva A, Bentmann H, Reinert F. Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111) [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 128( 13):[citado 2024 ago. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0025933Vancouver
Kagerer P, Fornari CI, Buchberger S, Morelhao SL, Vidal RC, Tcakaev A-V, Zabolotnyy V, Weschke E, Hinkov V, Kamp M, Büchner B, Isaeva A, Bentmann H, Reinert F. Molecular beam epitaxy of antiferromagnetic (MnBi2Te4)(Bi2Te3) thin films on BaF2 (111) [Internet]. Journal of Applied Physics. 2020 ; 128( 13):[citado 2024 ago. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0025933
