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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 18 nov. 2024. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos (2022)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MODELOS MATEMÁTICOS
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2022). Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
Trabalho de evento
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Canal YouTube ICTP-SAIFR. Conference titles: ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT, 2022. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Canal YouTube ICTP-SAIFR (Vol. 10 no 2022). São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Trabalho de evento-resumo
Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra (2022)
Mazziero, Mateus Lopes; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FRAMEWORKS
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ABNT
MAZZIERO, Mateus Lopes e SIPAHI, Guilherme Matos. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Mazziero, M. L., & Sipahi, G. M. (2022). Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
NLM
Mazziero ML, Sipahi GM. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
Vancouver
Mazziero ML, Sipahi GM. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
Trabalho de evento-resumo
Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene (2021)
Pietro, Nickolas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, CARBONO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIETRO, Nickolas e SIPAHI, Guilherme Matos. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Pietro, N., & Sipahi, G. M. (2021). Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
NLM
Pietro N, Sipahi GM. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
Vancouver
Pietro N, Sipahi GM. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em nanofios politípicos (2021)
Sipahi, Guilherme Matos ; Siqueira, Anderson
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson. Efeitos de strain em nanofios politípicos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. (2021). Efeitos de strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
NLM
Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores (2021)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2021). Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
Trabalho de evento-resumo
Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers (2021)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Sipahi, Guilherme Matos ; Andrada e Silva, E. A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
NLM
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Vancouver
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 (2021)
Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2021). Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
NLM
Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
Vancouver
Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2021)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2021). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
Trabalho de evento-resumo
Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade (2021)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
Trabalho de evento-resumo
Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade (2021)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of semiconductor AlN with density functional theory (2020)
Bonani, Fabio Danielli; Alves, Horácio; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli e ALVES, Horácio e SIPAHI, Guilherme Matos. Study of semiconductor AlN with density functional theory. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Bonani, F. D., Alves, H., & Sipahi, G. M. (2020). Study of semiconductor AlN with density functional theory. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em semicondutores III-V (2020)
Siqueira, Anderson; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIQUEIRA, Anderson e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain em semicondutores III-V. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Siqueira, A., & Sipahi, G. M. (2020). Efeitos de strain em semicondutores III-V. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view

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