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Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface (2004)
Zanella, Ivana; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ZANELLA, Ivana e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Electronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Zanella, I., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Electronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Zanella I, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Zanella I, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of 'C IND. 59'Si on the monohydride Si(100) surface. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of '['Co(tpy-SH) IND. 2'] POT. x' (2004)
Pontes, Renato B; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PONTES, Renato B e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Electronic and structural properties of '['Co(tpy-SH) IND. 2'] POT. x'. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0923-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Pontes, R. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2004). Electronic and structural properties of '['Co(tpy-SH) IND. 2'] POT. x'. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0923-1.pdf
NLM
Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of '['Co(tpy-SH) IND. 2'] POT. x' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0923-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of '['Co(tpy-SH) IND. 2'] POT. x' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0923-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation (2004)
Venezuela, P; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
VENEZUELA, P e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
NLM
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Vancouver
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes (2003)
Baierle, Rogério José; Schmidt, Tomé Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
BAIERLE, Rogério José e SCHMIDT, Tomé Mauro e FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Fazzio, Adalberto; Miwa, R H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto e MIWA, R H. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Fazzio, A., & Miwa, R. H. (2003). Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana W, Fazzio A, Miwa RH. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Orellana W, Fazzio A, Miwa RH. Carbon nanotube on Si(001): structural and electronic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si (2003)
Schmidt, Tomé M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCHMIDT, Tomé M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
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Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties (2003)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Mn adsorption on Si(100): structural, electronic and magnetic properties. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes (2003)
Faria, J Carrijo; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Silva, E Z da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FARIA, J Carrijo et al. Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Faria, J. C., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Silva, E. Z. da. (2003). Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Faria JC, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Faria JC, Silva AJR da, Fazzio A, Silva EZ da. Adsorption of gold atoms on carbon nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Effect of impurities in the large Au-Au distances in gold nanowires (2003)
Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Effect of impurities in the large Au-Au distances in gold nanowires. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Effect of impurities in the large Au-Au distances in gold nanowires. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Effect of impurities in the large Au-Au distances in gold nanowires. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Effect of impurities in the large Au-Au distances in gold nanowires. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2' (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Energetic and structural properties of N incorporation in Si'O IND. 2'. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro (2002)
Novaes, Frederico Dutilh; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da; Silva, Edison Zacarias da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: DINÂMICA DAS ESTRUTURAS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ÁTOMOS (SIMULAÇÃO COMPUTACIONAL)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh et al. Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Novaes, F. D., Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Silva, E. Z. da. (2002). Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Silva EZ da. Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da, Silva EZ da. Cálculos ab-initio de um nanofio de ouro. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube (2002)
Silva, Ivana Zanella; Piquini, Paulo Cesar; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Ivana Zanella et al. Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, I. Z., Piquini, P. C., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva IZ, Piquini PC, Silva AJR da, Fazzio A. Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Silva IZ, Piquini PC, Silva AJR da, Fazzio A. Interaction between oxygen molecules and carbon nanotube. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes (2002)
Fagan, Solange Binotto; Mota, Ronaldo; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of iron atoms interacting with carbon nanotubes. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão (2002)
Pontes, Renato Borges; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PONTES, Renato Borges e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Pontes, R. B., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Pontes RB, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo ab initio da liga 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' sob pressão. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2' (2002)
Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, Walter M e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Dalpian, G. M.; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100) (2002)
Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2002). Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 19 ]

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