Menu

Filtros : "Martino, João Antonio" Removidos: "BUENO, SONIA MARIA VILLELA" "Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)" "Reuniao Anual da Sociedade Brasileira de Bioquimica e Biologia Molecular" Limpar

Filtros

Refine with date range

1 - 20 (355 records)

  • Artigo de periodico

    An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830

    • NLM

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

    • Vancouver

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

  • Dissertação (Mestrado)

    Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (2024)

    Silva, Wenita de Lima; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Silva, W. de L. (2024). Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php

    • NLM

      Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php

    • Vancouver

      Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Artigo de periodico

    ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

  • Trabalho de evento

    Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes (2023)

    Santos, Fernando L Nogueira; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Martino, João Antonio

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: SENSOR, RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, Fernando L Nogueira e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos e MARTINO, João Antonio. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Santos, F. L. N., Santos Filho, S. G. dos, & Martino, J. A. (2023). Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302558

    • NLM

      Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558

    • Vancouver

      Santos FLN, Santos Filho SG dos, Martino JA. Low-cost ultraviolet radiation sensor using epoxy-resin optical filters over MOS photodiodes [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302558

  • Artigo de periodico

    Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis (2023)

    Fernandes, Lucas Almir dos Santos; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: FRACTAIS, SIMULAÇÃO, AVALIAÇÃO DE DESEMPENHO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERNANDES, Lucas Almir dos Santos e ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías e MARTINO, João Antonio. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Fernandes, L. A. dos S., Alayo Chávez, M. I., & Martino, J. A. (2023). Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-5. doi:10.29292/jics.v18i1.660

    • NLM

      Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-5.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660

    • Vancouver

      Fernandes LA dos S, Alayo Chávez MI, Martino JA. Fractional-order MOS capacitor: experimental results and Monte Carlo analysis [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-5.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.660

  • Artigo de periodico

    Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)

    Silva, Wenita de Lima; Toledo, Rodrigo do Nascimento; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611

    • NLM

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

    • Vancouver

      Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611

  • Artigo de periodico

    Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)

    Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729

    • NLM

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

    • Vancouver

      Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729

  • Artigo de periodico

    Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies (2023)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 9, p. 1-12, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies. Semiconductor Science and Technology, 38( 9), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/aceb84

    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Hybrid low-dropout voltage regulator designed with TFET-MOSFET nanowire technologies [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 9): 1-12.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aceb84

  • Dissertação (Mestrado)

    Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)

    Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • NLM

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • Vancouver

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

  • Artigo de periodico

    Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742

  • Artigo de periodico

    Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: ECS Transactions. Unidade: EP

    Subjects: ELETRODO, REFRATÁRIOS, METALOGRAFIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, v. 111, n. 1, p. 279-284, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Sasaki, K. R. A., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity. ECS Transactions, 111( 1), 279-284. doi:10.1149/11101.0279ecst

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. Back gate bias influence on BESOI ISFET sensitivity [Internet]. ECS Transactions. 2023 ; 111( 1): 279-284.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1149/11101.0279ecst

  • Artigo de periodico

    MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f

    • NLM

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

    • Vancouver

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

  • Artigo de periodico

    Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data (2023)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-6. doi:10.29292/jics.v18il.653

    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653

    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Low-dropout voltage regulator designed with nanowire TFET with different source composition experimental data [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ;18( 1): 1-6.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.653

  • Artigo de periodico

    Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Silva, Wenita de Lima; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328

    • NLM

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328

    • Vancouver

      Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328

  • Trabalho de evento

    Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET (2022)

    Camargo, Raphael Gil; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Subjects: ANÁLISE TÉRMICA, AMPLIFICADORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CAMARGO, Raphael Gil e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Camargo, R. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962

    • NLM

      Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962

    • Vancouver

      Camargo RG, Martino JA, Agopian PGD. Temperature influence on operational transconductance amplifier designed with triple gate TFET [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9880962

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)

    Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

    • NLM

      Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

    • Vancouver

      Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/

  • Trabalho de evento

    Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator (2022)

    Toledo, Rodrigo do Nascimento; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, NANOELETRÔNICA, CIRCUITOS ANALÓGICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TOLEDO, Rodrigo do Nascimento e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. p. 1-4. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Toledo, R. do N., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO (p. 1-4). Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035

    • NLM

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035

    • Vancouver

      Toledo R do N, Martino JA, Agopian PGD. Nanowire TFET with different source compositions applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO. 2022 ; 1-4.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881035

  • Trabalho de evento

    Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator (2022)

    Silva, Wenita de Lima; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: SBMICRO: proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTABILIDADE, CIRCUITOS ANALÓGICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, Wenita de Lima e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. 2022, Anais.. [s.L.]: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Silva, W. de L., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator. In SBMICRO: proceedings. [s.L.]: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041

    • NLM

      Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041

    • Vancouver

      Silva W de L, Agopian PGD, Martino JA. Experimental behavior of line-TFET applied to low-dropout voltage regulator [Internet]. SBMICRO: proceedings. 2022 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881041

  • Artigo de periodico

    Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)

    Sousa, Julia Cristina Soares; Perina, Welder F; Rangel, Roberto; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 04 set. 2024.

    • APA

      Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238

    • NLM

      Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238

    • Vancouver

      Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238

1 - 20 (355 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024