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Artigo de periodico
Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; Cerdeira, F; Meneses, E A; Li, S F; As, D J; Lischka, K
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic (2005)
Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Trabalho de evento
Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN (2004)
Duarte, C. A; Chitta, V. A; Coaquira, J. A. H; Fernandez, J. R. L; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D. J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
DUARTE, C. A et al. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Duarte, C. A., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
NLM
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
Vancouver
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0655-1.pdf
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Trabalho de evento-resumo
Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN (2004)
Duarte, C. A; Chitta, V. A; Coaquira, J. A. H; Fernandez, J. R. L; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D. J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C. A et al. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Duarte, C. A., Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
NLM
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
Vancouver
Duarte CA, Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room-temperature ferromagnetism in 'Mn POT. +' implanted cubic GaN [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0655-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Potthast, A; Lischka, K
Source: Programa e Libro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Artigo de periodico
Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S C P; Noriega, O C; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si (2002)
Marquez, A M O de Zevallos; Leite, J. R.; Tabata, Americo; As, Donat Joseph; Schickora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUEZ, A M O de Zevallos et al. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Marquez, A. M. O. de Z., Leite, J. R., Tabata, A., As, D. J., Schickora, D., & Lischka, K. (2002). Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Marquez AMO de Z, Leite JR, Tabata A, As DJ, Schickora D, Lischka K. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Marquez AMO de Z, Leite JR, Tabata A, As DJ, Schickora D, Lischka K. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico dopado com Mg e Si. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Noriega, Odille Cue; Leite, Jose Roberto; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 190, n. 1, p. 121-127, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Noriega, O. C., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, 190( 1), 121-127. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers (2002)
Teles, L. K.; Furthmüller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Tabata, A; Leite, J. R.; Bechstedt, F; Frey, T; As, D J; Lischka, K
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, TERMODINÂMICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
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ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1086-1089, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Teles, L. K., Furthmüller, J., Scolfaro, L. M. R., Tabata, A., Leite, J. R., Bechstedt, F., et al. (2002). Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, 13( 2-4), 1086-1089. doi:10.1016/s1386-9477(02)00309-0
NLM
Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0
Vancouver
Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0
Artigo de periodico
Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain (2002)
Tabata, A; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Kharchenko, A; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
TABATA, A et al. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, v. 80, n. 5, p. 769-771, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436270. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Kharchenko, A., Frey, T., et al. (2002). Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, 80( 5), 769-771. doi:10.1063/1.1436270
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270
Artigo de periodico
Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures (2002)
Husberg, O; Khartchenko, A; Vogelsang, H; As, D J; Lischka, K; Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1090-1093, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., Vogelsang, H., As, D. J., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, 13( 2-4), 1090-1093. doi:10.1016/s1386-9477(02)00310-7
NLM
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Artigo de periodico
Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers (2002)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Fernandez, J R L; Chitta, V A; Leite, J. R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Fernandez, J. R. L., Chitta, V. A., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 91( 9), 6197-6199. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips

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