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Artigo de periodico
Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes (2006)
Cano, Nilo Francisco; Duarte, Celso de Araújo; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CANO, Nilo Francisco et al. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 336-339, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Cano, N. F., Duarte, C. de A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 336-339. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
NLM
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Vancouver
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Trabalho de evento
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs (2006)
Lopes, E M; Duarte, J L; César, D F; Poças, L C; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Trabalho de evento
Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético (2006)
Ortiz de Zevallos, Angela M; Cano, Nilo Francisco; Gusev, G M; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Portal, J C
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Cano, N. F., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2006). Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
NLM
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
Artigo de periodico
Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs (2006)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Silva, M A T da; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Source: Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. Unidade: IF
Subjects: VÁCUO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, v. 25, n. 1, p. 111-117, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo, 25( 1), 111-117. Recuperado de http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Silva MAT da, Quivy AA, Lamas TE. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 111-117.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Silva MAT da, Quivy AA, Lamas TE. Influência das flutuações da composição química das barreiras sobre as recombinações excitônicas em poços quânticos de 'Al IND.X' Ga IND.1-X' As/GaAs [Internet]. Revista Brasileira de Aplicações de Vácuo. 2006 ; 25( 1): 111-117.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbvacuo.org.br/rbav/revistavol252/25_2_111.pdf
Trabalho de evento
Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices (2006)
Freitas, Raul de Oliveira; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2006). Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
NLM
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
Vancouver
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
Artigo de periodico
Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well (2006)
Duarte, Celso de Araújo; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, EFEITO HALL
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ABNT
DUARTE, Celso de Araújo et al. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 488-491, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Duarte, C. de A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 488-491. doi:10.1590/s0103-97332006000300068
NLM
Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Vancouver
Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Artigo de periodico
Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots (2006)
Gusev, Guennadii Michailovich; Sotomayor, N M; Seabra, Antonio Carlos ; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Portal, J C
Source: Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. Unidades: IF, EP
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL
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ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, v. 34, n. 1-2, p. 504-507, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.097. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Gusev, G. M., Sotomayor, N. M., Seabra, A. C., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2006). Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 34( 1-2), 504-507. doi:10.1016/j.physe.2006.03.097
NLM
Gusev GM, Sotomayor NM, Seabra AC, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 504-507.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.097
Vancouver
Gusev GM, Sotomayor NM, Seabra AC, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 504-507.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.097
Trabalho de evento-resumo
Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in (2005)
Sergio, C S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Goussev, Guennadii Michailovich; Portal, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL
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ABNT
SERGIO, C S et al. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Sergio, C. S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Goussev, G. M., & Portal, J. C. (2005). Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
NLM
Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
Vancouver
Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures (2005)
Goussev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Seabra, Antonio Carlos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOUSSEV, Guennadii Michailovich et al. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Goussev, G. M., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Seabra, A. C. (2005). Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
NLM
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Vancouver
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Artigo de periodico
Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Source: Thin Solid Films. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Trabalho de evento-resumo
Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well (2005)
Duarte, Cesário Antonio; Gusev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, FO
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2005). Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ (2005)
Silva, M A T; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Dias, I. F. L.; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenco, S A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M A T et al. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, M. A. T., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., & Lourenco, S. A. (2005). Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
NLM
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Vancouver
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Artigo de periodico
Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region (2005)
Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, v. 278, p. 103-107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2005). Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, 278, 103-107. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
Artigo de periodico
Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas (2005)
Gusev, Guennadii Michailovich; Duarte, C A; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
NLM
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Vancouver
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Artigo de periodico
High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Portal, J C
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates. Journal of Applied Physics, v. 97, p. 076107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1888041. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Sérgio, C. S., Gusev, G. M., & Portal, J. C. (2005). High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates. Journal of Applied Physics, 97, 076107. doi:10.1063/1.1888041
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Sérgio CS, Gusev GM, Portal JC. High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates [Internet]. Journal of Applied Physics. 2005 ; 97 076107.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1888041
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Sérgio CS, Gusev GM, Portal JC. High mobility of a three-dimensional hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates [Internet]. Journal of Applied Physics. 2005 ; 97 076107.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1888041
Artigo de periodico
Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field (2004)
Gousev, Guennadii Michailovich; Sergio, C. S.; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O.; Portal, J. C.
Source: Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOUSEV, Guennadii Michailovich et al. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Gousev, G. M., Sergio, C. S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2004). Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf
NLM
Gousev GM, Sergio CS, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field [Internet]. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf
Vancouver
Gousev GM, Sergio CS, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field [Internet]. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf
Artigo de periodico
Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields (2004)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Abramof, E
Source: Journal of Physics D. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. Journal of Physics D, v. 37, n. 21, p. 2949-2953, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2004). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. Journal of Physics D, 37( 21), 2949-2953. doi:10.1088/0022-3727/37/21/002
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics D. 2004 ; 37( 21): 2949-2953.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics D. 2004 ; 37( 21): 2949-2953.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002
Trabalho de evento-resumo
Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices (2003)
Oliveira, R. F.; Henriques, André Bohomoletz; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Book of Abstracs. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, R. F. et al. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. In Book of Abstracs. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Book of Abstracs. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Book of Abstracs. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Artigo de periodico
Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Trabalho de evento-resumo
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain (2003)
Gomes, Paulo F; Godoy, M P F; Nakaema, M K K; Iikawa, F; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Paulo F et al. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Iikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]
Vancouver
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 abr. 19 ]

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