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Trabalho de evento-anais periodico
Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors (1999)
Manzoli, J. E.; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Fonte: Superlattices and Microstructures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructure and Microdevices. Unidade: EESC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
MANZOLI, J. E. e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. London: Academic Press. . Acesso em: 08 jul. 2024. , 1999
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1999). Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. London: Academic Press.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 289-293.[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 289-293.[citado 2024 jul. 08 ]
Artigo de periodico
Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells (1998)
Osório, Francisco Aparecido Pinto; Maialle, Marcelo Zoega; Hipólito, Oscar
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
OSÓRIO, Francisco Aparecido Pinto e MAIALLE, Marcelo Zoega e HIPÓLITO, Oscar. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B, v. 57, n. 3, p. 1644-1648, 1998Tradução . . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Osório, F. A. P., Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1998). Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B, 57( 3), 1644-1648.
NLM
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 57( 3): 1644-1648.[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Osório FAP, Maialle MZ, Hipólito O. Electron-optical-phonon interaction effect on the intradonor transition energies in doped GaAs-'Al IND.X''Ga IND.1-X' quantum wells. Physical Review B. 1998 ; 57( 3): 1644-1648.[citado 2024 jul. 08 ]
Artigo de periodico
On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s (1998)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araujo ; Hipólito, Oscar
Fonte: IEEE Journal of Quantum Electronics. Unidades: EESC, IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araujo e HIPÓLITO, Oscar. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, v. 34, n. 12, p. 2314-2320, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/3.736099. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s. IEEE Journal of Quantum Electronics, 34( 12), 2314-2320. doi:10.1109/3.736099
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. On the capacitance-voltage modeling of strained quantum-well MODFET´s [Internet]. IEEE Journal of Quantum Electronics. 1998 ; 34( 12): 2314-2320.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/3.736099
Trabalho de evento-resumo
Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs (1998)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Fonte: Book of abstracts. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures, and Microdevices. Unidades: EESC, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. 1998, Anais.. Hurghada: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. In Book of abstracts. Hurghada: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. Book of abstracts. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure MODFETs. Book of abstracts. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Tese (Doutorado)
Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos (1998)
Manzoli, José Eduardo; Hipólito, Oscar (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
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ABNT
MANZOLI, José Eduardo. Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-19082015-112652/. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E. (1998). Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-19082015-112652/
NLM
Manzoli JE. Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos [Internet]. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-19082015-112652/
Vancouver
Manzoli JE. Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos [Internet]. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-19082015-112652/
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs (1998)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: EESC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Electronic properties, C-V and transconductance measurements of strained heterostructure MODFETs. Resumos. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento
Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs (1998)
Manzoli, J E; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Fonte: Proceedings. Nome do evento: European Solid-State Device Research Conference. Unidades: EESC, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J E e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. 1998, Anais.. Bordeaux: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1998). Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. In Proceedings. Bordeaux: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. Proceedings. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Stress-related effects on the C-V characteristics of pseudomorphic MODFETs. Proceedings. 1998 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure (1997)
Bosquetti, D; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar; Marega Júnior, Euclydes
Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSQUETTI, D et al. Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. 1997, Anais.. Águas de Lindóia: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Bosquetti, D., Basmaji, P., Hipólito, O., & Marega Júnior, E. (1997). Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. In . Águas de Lindóia: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. 1997 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Electric field induce delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. 1997 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.) (1997)
Manzoli, José Eduardo; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures, and Microdevices. Unidades: EESC, IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). 1997, Anais.. Lincoln: University of Nebraska, 1997. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1997). Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). In Abstracts. Lincoln: University of Nebraska.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). Abstracts. 1997 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Characteristics and electronic structure of pHEMT/InP (presence of strain and 'delta'-doped channel.). Abstracts. 1997 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Artigo de periodico
Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires (1997)
Borges, A N; Leao, S A; Hipólito, Oscar
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, A N e LEAO, S A e HIPÓLITO, Oscar. Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires. Physical Review B, v. 55, n. 7 , p. 4680-4683, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4680. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Borges, A. N., Leao, S. A., & Hipólito, O. (1997). Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires. Physical Review B, 55( 7 ), 4680-4683. doi:10.1103/physrevb.55.4680
NLM
Borges AN, Leao SA, Hipólito O. Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 55( 7 ): 4680-4683.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4680
Vancouver
Borges AN, Leao SA, Hipólito O. Subbands , exchange and correlation effects on collective excitations in parabolic-quantum-well wires [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 55( 7 ): 4680-4683.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.55.4680
Trabalho de evento
Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping (1997)
Manzoli, J. E.; Hipólito, Oscar
Fonte: Materials Research Society Symposium Proceedings. Nome do evento: MRS Fall Meeting. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J. E. e HIPÓLITO, Oscar. Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping. 1997, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1997. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-450-439. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1997). Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 450). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-450-439
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1997 ; 450[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-450-439
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Numerical simulation of electronic behavior in a finite superlattice with a tamm state: a possible submillimeter wave emitter without optical pumping [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1997 ; 450[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-450-439
Artigo de periodico
Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure (1997)
Bosquetti, Diogenes; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar; Marega Júnior, Euclydes
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSQUETTI, Diogenes et al. Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 308-311, 1997Tradução . . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Bosquetti, D., Basmaji, P., Hipólito, O., & Marega Júnior, E. (1997). Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 308-311.
NLM
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 308-311.[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Electric field induced delocalization in an aperiodic semiconductor heterostructure. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 308-311.[citado 2024 jul. 08 ]
Parte de monografia/livro
Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs (1997)
Manzoli, José Eduardo; Hipólito, Oscar
Fonte: Materials modification and synthesis by ion beam processing. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, José Eduardo e HIPÓLITO, Oscar. Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. Materials modification and synthesis by ion beam processing. Tradução . Pittsburgh: Materials Research Society, 1997. . . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1997). Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. In Materials modification and synthesis by ion beam processing. Pittsburgh: Materials Research Society.
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. In: Materials modification and synthesis by ion beam processing. Pittsburgh: Materials Research Society; 1997. [citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs. In: Materials modification and synthesis by ion beam processing. Pittsburgh: Materials Research Society; 1997. [citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Características e estrutura eletrônica de HEMT pseudomórfica (presença de strain e canal 'delta' dopado) (1997)
Manzoli, J E; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: EESC, IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J E e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Características e estrutura eletrônica de HEMT pseudomórfica (presença de strain e canal 'delta' dopado). 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1997). Características e estrutura eletrônica de HEMT pseudomórfica (presença de strain e canal 'delta' dopado). In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Características e estrutura eletrônica de HEMT pseudomórfica (presença de strain e canal 'delta' dopado). Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Características e estrutura eletrônica de HEMT pseudomórfica (presença de strain e canal 'delta' dopado). Resumos. 1997 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento
Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets (1996)
Manzoli, J E; Hipólito, Oscar
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Materials Research Society Fall Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J E e HIPÓLITO, Oscar. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. 1996, Anais.. Boston: Materials Research Society, 1996. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1996). Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. In Proceedings. Boston: Materials Research Society.
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Electronic structure and gate capacitance-voltage characteristics of mbe silicon 'DELTA'-fets. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Modelo teorico de fio quantico (1996)
Mosman Junior, E. O.; Hipólito, Oscar
Fonte: [Resumos]. Nome do evento: Simpósio de Iniciação Cientifica da Universidade de São Paulo. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOSMAN JUNIOR, E. O. e HIPÓLITO, Oscar. Modelo teorico de fio quantico. 1996, Anais.. São Carlos: USP, 1996. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Mosman Junior, E. O., & Hipólito, O. (1996). Modelo teorico de fio quantico. In [Resumos]. São Carlos: USP.
NLM
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Mosman Junior EO, Hipólito O. Modelo teorico de fio quantico. [Resumos]. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica e propriedades eletricas de 'DELTA'-fets de 'SB' em 'SI' (1996)
Manzoli, J E; Hipólito, Oscar
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J E e HIPÓLITO, Oscar. Estrutura eletronica e propriedades eletricas de 'DELTA'-fets de 'SB' em 'SI'. 1996, Anais.. São Paulo: Sbf, 1996. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Manzoli, J. E., & Hipólito, O. (1996). Estrutura eletronica e propriedades eletricas de 'DELTA'-fets de 'SB' em 'SI'. In Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
Manzoli JE, Hipólito O. Estrutura eletronica e propriedades eletricas de 'DELTA'-fets de 'SB' em 'SI'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Manzoli JE, Hipólito O. Estrutura eletronica e propriedades eletricas de 'DELTA'-fets de 'SB' em 'SI'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure (1996)
Bosquetti, D; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar; Marega Júnior, Euclydes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSQUETTI, D et al. Electronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure. 1996, Anais.. Águas de Lindóia: Sbf, 1996. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Bosquetti, D., Basmaji, P., Hipólito, O., & Marega Júnior, E. (1996). Electronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure. In Resumos. Águas de Lindóia: Sbf.
NLM
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Electronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Electronic properties of an aperiodic semiconductor heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Trabalho de evento-resumo
Resonance properties on periodic and aperiodic semiconductor heterostructure (1996)
Bosquetti, D; Basmaji, Pierre; Hipólito, Oscar; Marega Júnior, Euclydes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSQUETTI, D et al. Resonance properties on periodic and aperiodic semiconductor heterostructure. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sbf, 1996. . Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Bosquetti, D., Basmaji, P., Hipólito, O., & Marega Júnior, E. (1996). Resonance properties on periodic and aperiodic semiconductor heterostructure. In Resumos. Sao Paulo: Sbf.
NLM
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Resonance properties on periodic and aperiodic semiconductor heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Vancouver
Bosquetti D, Basmaji P, Hipólito O, Marega Júnior E. Resonance properties on periodic and aperiodic semiconductor heterostructure. Resumos. 1996 ;[citado 2024 jul. 08 ]
Artigo de periodico
Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density (1996)
Maialle, M Z; Hipólito, Oscar
Fonte: American Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MAIALLE, M Z e HIPÓLITO, Oscar. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density. American Journal of Physics, v. 64, n. 4 , p. 434-6, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1119/1.18186. Acesso em: 08 jul. 2024.
APA
Maialle, M. Z., & Hipólito, O. (1996). Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density. American Journal of Physics, 64( 4 ), 434-6. doi:10.1119/1.18186
NLM
Maialle MZ, Hipólito O. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density [Internet]. American Journal of Physics. 1996 ;64( 4 ): 434-6.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1119/1.18186
Vancouver
Maialle MZ, Hipólito O. Acceleration of gravity for the earth model as an ellipsoidal mass with nonuniform density [Internet]. American Journal of Physics. 1996 ;64( 4 ): 434-6.[citado 2024 jul. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1119/1.18186

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