ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy (1993)
Scolfaro, L M R; Pintanel, R; Fazzio, A; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R et al. Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry, v. 27, n. suppl., p. 213-7, 1993Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Pintanel, R., Fazzio, A., & Leite, J. R. (1993). Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry, 27( suppl.), 213-7.
NLM
Scolfaro LMR, Pintanel R, Fazzio A, Leite JR. Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry. 1993 ;27( suppl.): 213-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Pintanel R, Fazzio A, Leite JR. Eletronic states induced by a 'GA' vacancy in the 'GA''AS IND.1-X''P IND.X' alloy. International Journal of Quantum Chemistry. 1993 ;27( suppl.): 213-7.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Theoretical model of the au-te complex in silicon (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 8085-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, 32, 8085-91. doi:10.1103/physrevb.32.8085
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Caldas, Marília Junqueira; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Trabalho de evento-resumo periodico
Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI' (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniaoo Anual da Sbpc. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 10 ago. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 ago. 10 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors