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Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of a-SiN (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of a-SiN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of a-SiN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Mota, R.; Piquini, P
Source: resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
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ABNT
FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 23 abr. 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j
Trabalho de evento
Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)
Fazzio, A
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia! (1996)
Barbosa, K O; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, K O e FAZZIO, A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Barbosa, K. O., & Fazzio, A. (1996). Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Barbosa KO, Fazzio A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Barbosa KO, Fazzio A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of n impurity in amorphous germanium (1996)
Venezuela, P P M; Fazzio, A
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P P M e FAZZIO, A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, v. 77, n. 3 , p. 546-9, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Venezuela, P. P. M., & Fazzio, A. (1996). Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, 77( 3 ), 546-9.
NLM
Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 392-4, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1996). Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 392-4.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teorico de defeitos nativos em bn (1996)
Fazzio, A; Schmidt, T M; Piquini, P; Mota, R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Fazzio, A., Schmidt, T. M., Piquini, P., & Mota, R. (1996). Estudo teorico de defeitos nativos em bn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium (1996)
Venezuela, P; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P e FAZZIO, A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., & Fazzio, A. (1996). Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Venezuela P, Fazzio A. Ab anitio study of group v elements in amorphous silicon and germanium. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model (1996)
Piquini, P; Dal Pino Junior, A; Fazzio, A
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e DAL PINO JUNIOR, A e FAZZIO, A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 277-9, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Piquini, P., Dal Pino Junior, A., & Fazzio, A. (1996). Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 277-9.
NLM
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Piquini P, Dal Pino Junior A, Fazzio A. Interaction of atoms with 'GA''AS' [110] surface using local softness model. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 277-9.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Germanium negative-u center in 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 53, n. 3 , p. 1315-21, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1996). Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, 53( 3 ), 1315-21.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB' (1996)
Silva, A. F.; Dantas, N S; Mota, F B; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, A. F. et al. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, v. 99, n. 4 , p. 295-7, 1996Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Silva, A. F., Dantas, N. S., Mota, F. B., Canuto, S., & Fazzio, A. (1996). Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications, 99( 4 ), 295-7.
NLM
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Silva AF, Dantas NS, Mota FB, Canuto S, Fazzio A. Impurity states in the narrow band-gap semiconductor n-type 'IN''SB'. Solid State Communications. 1996 ;99( 4 ): 295-7.[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito (1996)
Dantas, N S; Mota, F; Canuto, Sylvio; Fazzio, A; Alves, A; Pepe, I; Silva, A. F.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, N S et al. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Dantas, N. S., Mota, F., Canuto, S., Fazzio, A., Alves, A., Pepe, I., & Silva, A. F. (1996). Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Dantas NS, Mota F, Canuto S, Fazzio A, Alves A, Pepe I, Silva AF. Estados de impureza tipo-n em semicondutores 'IN''SB' de gap estreito. Resumos. 1996 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos (1995)
Mota, R.; Cechin, J C; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R. et al. Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. 1995, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1995. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Mota, R., Cechin, J. C., Canuto, S., & Fazzio, A. (1995). Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Mota R, Cechin JC, Canuto S, Fazzio A. Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Mota R, Cechin JC, Canuto S, Fazzio A. Transicao metal-isolante em fullerenos dopados com metais alcalinos. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS' (1995)
Fazzio, A; Schmidt, T M
Source: Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e SCHMIDT, T M. Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 29, p. 203-6, 1995Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Fazzio, A., & Schmidt, T. M. (1995). Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 29, 203-6.
NLM
Fazzio A, Schmidt TM. Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1995 ;29 203-6.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM. Electronic structure of periodically 'SI'-'GAMA'-doped'GA''AS'. Internatinal Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1995 ;29 203-6.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters (1995)
Piquini, P; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Zeitschrift Fur Physik D. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, v. 33, p. 125-31, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bf01437431. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Piquini, P., Fazzio, A., & Canuto, S. (1995). Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters. Zeitschrift Fur Physik D, 33, 125-31. doi:10.1007/bf01437431
NLM
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431
Vancouver
Piquini P, Fazzio A, Canuto S. Ab initio self-consistent-field studies of the structure, energetics and londing of small gallium arsenide clusters [Internet]. Zeitschrift Fur Physik D. 1995 ;33 125-31.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf01437431
Artigo de periodico
Carbon doping of 'GA''AS': compensation effects (1995)
Schmidt, T M; Venezuela, P P M; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Carbon doping of 'GA''AS': compensation effects. Applied Physics Letters, v. 66, n. 20, p. 2715-7, 1995Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P. P. M., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1995). Carbon doping of 'GA''AS': compensation effects. Applied Physics Letters, 66( 20), 2715-7.
NLM
Schmidt TM, Venezuela PPM, Caldas MJ, Fazzio A. Carbon doping of 'GA''AS': compensation effects. Applied Physics Letters. 1995 ;66( 20): 2715-7.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela PPM, Caldas MJ, Fazzio A. Carbon doping of 'GA''AS': compensation effects. Applied Physics Letters. 1995 ;66( 20): 2715-7.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS' (1995)
Fazzio, A; Schmidt, T M
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e SCHMIDT, T M. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, v. 196-201, p. 421-4, 1995Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Fazzio, A., & Schmidt, T. M. (1995). Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum, 196-201, 421-4.
NLM
Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM. Metastability and electronic structure of periodically n-type and p-type 'GAMA'-doped layer in 'GA''AS'. Materials Science Forum. 1995 ;196-201 421-4.[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Metal-insulator transition in fullerides: 'K IND.3''C IND.60' versus 'NA IND.3''C IND.60' (1995)
Mota, R.; Cechin, J C; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R. et al. Metal-insulator transition in fullerides: 'K IND.3''C IND.60' versus 'NA IND.3''C IND.60'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 29, p. 217-9, 1995Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Mota, R., Cechin, J. C., Canuto, S., & Fazzio, A. (1995). Metal-insulator transition in fullerides: 'K IND.3''C IND.60' versus 'NA IND.3''C IND.60'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 29, 217-9.
NLM
Mota R, Cechin JC, Canuto S, Fazzio A. Metal-insulator transition in fullerides: 'K IND.3''C IND.60' versus 'NA IND.3''C IND.60'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1995 ;29 217-9.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Mota R, Cechin JC, Canuto S, Fazzio A. Metal-insulator transition in fullerides: 'K IND.3''C IND.60' versus 'NA IND.3''C IND.60'. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1995 ;29 217-9.[citado 2024 abr. 23 ]

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