Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd (1992)
Source: Cbecimat: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia dos Materiais. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, Maria Lucia Pereira da et al. Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. 1992, Anais.. Campinas: Unicamp, 1992. . Acesso em: 28 ago. 2024.APA
Silva, M. L. P. da, Cardoso, A. R., Morimoto, N. I., Escote, A. T., Shibata, N. Y., & Matsumura, W. T. (1992). Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. In Cbecimat: Anais. Campinas: Unicamp.NLM
Silva MLP da, Cardoso AR, Morimoto NI, Escote AT, Shibata NY, Matsumura WT. Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 ago. 28 ]Vancouver
Silva MLP da, Cardoso AR, Morimoto NI, Escote AT, Shibata NY, Matsumura WT. Estudos de filmes finos de oxido de silicio depositados por r / pecvd. Cbecimat: Anais. 1992 ;[citado 2024 ago. 28 ]