ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento
Ion exchange effects in porous silicon (1993)
Matvienko, B.; Basmaji, Pierre; Grivickas, V.; Bernussi, A. A.
Fonte: Materials Research Society Symposium Proceedings. Nome do evento: MRS Spring Meeting. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATVIENKO, B. et al. Ion exchange effects in porous silicon. 1993, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1993. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-298-331. Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Matvienko, B., Basmaji, P., Grivickas, V., & Bernussi, A. A. (1993). Ion exchange effects in porous silicon. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 298). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-298-331
NLM
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ion exchange effects in porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 298[citado 2024 out. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-298-331
Vancouver
Matvienko B, Basmaji P, Grivickas V, Bernussi AA. Ion exchange effects in porous silicon [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1993 ; 298[citado 2024 out. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-298-331
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. 1990, Anais.. Aachen: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1990). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. In Abstracts. Aachen: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by MOVPE. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. 1990, Anais.. San Diego: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. In Abstracts. San Diego: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 out. 15 ]
Trabalho de evento
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence (1989)
Bernussi, A. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: Escola Brasileira de Física de Semicondutores. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. 1989, Anais.. Belo Horizonte: UFMG, 1989. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. In Anais. Belo Horizonte: UFMG.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE (1989)
Bernussi, A. A.; Ilkawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional Systems - EP2DS8. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. 1989, Anais.. Grenoble: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Ilkawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. In Abstracts. Grenoble: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Ilkawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. Abstracts. 1989 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Bernussi AA, Ilkawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE. Abstracts. 1989 ;[citado 2024 out. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Fonte: Program and Abstracts. Nome do evento: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989. . Acesso em: 15 out. 2024.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2024 out. 15 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2024 out. 15 ]

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Nome do evento