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Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Pereyra, Inés ; Silva, C R S da
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 set. 08 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 set. 08 ]
Artigo de periodico
A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond (2005)
Larico-Mamani, Rolando; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Source: Diamond & Related Materials. Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
LARICO-MAMANI, Rolando et al. A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond. Diamond & Related Materials, v. 14, n. 3-7, p. 380-382, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.10.007. Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Larico-Mamani, R., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2005). A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond. Diamond & Related Materials, 14( 3-7), 380-382. doi:10.1016/j.diamond.2004.10.007
NLM
Larico-Mamani R, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 380-382.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.10.007
Vancouver
Larico-Mamani R, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical model for the nickel-related defect centers in diamond [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 380-382.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.10.007
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, L. V. C. ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide (2005)
Silva, C R S da; Justo Filho, João Francisco ; Pereyra, Inés ; Assali, L. V. C.
Source: Diamond & Related Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
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ABNT
SILVA, C R S da et al. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, v. 14, n. 3-7, p. 1142-1145, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011. Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, Justo Filho, J. F., Pereyra, I., & Assali, L. V. C. (2005). A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide. Diamond & Related Materials, 14( 3-7), 1142-1145. doi:10.1016/j.diamond.2004.12.011
NLM
Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
Vancouver
Silva CRS da, Justo Filho JF, Pereyra I, Assali LVC. A first principles investigation on hypothetical crystalline phases of silicon oxycarbide [Internet]. Diamond & Related Materials. 2005 ; 14( 3-7): 1142-1145.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2004.12.011
Tese (Doutorado)
Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (2005)
Oliveira Neto, Frederico Ayres de; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
OLIVEIRA NETO, Frederico Ayres de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2". 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/. Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Oliveira Neto, F. A. de. (2005). Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
NLM
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2024 set. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
Vancouver
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2024 set. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
Artigo de periodico
Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride (2005)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 08 set. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 08 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047

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