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Trabalho de evento-resumo
Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the dynamical and thermodynamical properties of BP and InN. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Dynamical properties of III-nitrides (2001)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Dynamical properties of III-nitrides. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Dynamical properties of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Dynamical properties of III-nitrides. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
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Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Dynamical properties of III-nitrides. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N' (2001)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2001). Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico das ligas 'Ga IND.1-X' 'Al INDX' 'N' e 'Al IND.1-X' 'B IND.X' 'N'. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos (2001)
Oliveira, C de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA, ÁTOMOS
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ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2001). Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Oliveira C de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR. Estudo teórico de nanoestruturas de compostos III-nitretos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras (2000)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Alves, J L A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PAIVA, R de et al. Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Alves, J. L. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2000). Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. Resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Alves JLA, Leite JR, Scolfaro LMR. Estudo teórico de primeiros princípios de massas efetivas em ligas semicondutoras. Resumos. 2000 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces (1998)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1998). Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
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Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Molecular cluster model studies of the initial growth of cubic GaN over 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Lattice dynamics of boron nitride (1998)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Castineira, J L P; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Lattice dynamics of boron nitride. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Castineira, J. L. P., & Leite, J. R. (1998). Lattice dynamics of boron nitride. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Castineira JLP, Leite JR. Lattice dynamics of boron nitride. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Castineira JLP, Leite JR. Lattice dynamics of boron nitride. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces (1998)
Oliveira, C.; Paiva, R de; Alves, J L A; Alves, H W Leite; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C. et al. Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Oliveira, C., Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (1998). Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Oliveira C, Paiva R de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Oliveira C, Paiva R de, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN (1998)
Alves, J L A; Oliveira, C.; Paiva, R.; Alves, H. W. L.; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, J L A et al. Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Alves, J. L. A., Oliveira, C., Paiva, R., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (1998). Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves JLA, Oliveira C, Paiva R, Alves HWL, Leite JR. Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Alves JLA, Oliveira C, Paiva R, Alves HWL, Leite JR. Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces (1997)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1997). Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1997 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic and structural properties of 3C-SiC(100) surfaces. Resumos. 1997 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC (1997)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite e ALVES, J L A e LEITE, J. R. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1997). Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. Resumos. 1997 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Electronic structure of acceptor impurities in diamond and 3C-SiC. Resumos. 1997 ;[citado 2024 set. 10 ]

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