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Artigo de periodico
Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET (2022)
Alberton, S. G. ; Aguiar, Vitor^Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto H. ; Added, Nemitala ; Macchione, E L A ; Menegasso, R. ; Cesário, G. J.; Santos, Hellen Cristine ; Scarduelli, V B ; Alcántara-Núñez, J. A.; Guazzelli, M. A.; Santos, R. B. B.; Flechas, D.
Fonte: Microelectronics Reliability. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
ALBERTON, S. G. et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, v. 137, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Alberton, S. G., Aguiar, V. ^Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Menegasso, R., et al. (2022). Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, 137. doi:10.1016/j.microrel.2022.114784
NLM
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Vancouver
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Trabalho de evento-resumo
Study of radiation effects in embedded systems (2018)
Medina, Nilberto Heder; Added, Nemitala; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Alberton, S. G.; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Silveira, M. A. G.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Brazilian Meeting on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assuntos: ACELERADOR DE PARTÍCULAS, ÍONS PESADOS
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ABNT
MEDINA, Nilberto Heder et al. Study of radiation effects in embedded systems. 2018, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=3. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Medina, N. H., Added, N., Aguiar, V. Â. P. de, Alberton, S. G., Macchione, E. L. A., & Silveira, M. A. G. (2018). Study of radiation effects in embedded systems. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=3
NLM
Medina NH, Added N, Aguiar VÂP de, Alberton SG, Macchione ELA, Silveira MAG. Study of radiation effects in embedded systems [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=3
Vancouver
Medina NH, Added N, Aguiar VÂP de, Alberton SG, Macchione ELA, Silveira MAG. Study of radiation effects in embedded systems [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=3
Trabalho de evento-resumo
Passivation layer and charge collection depth in electronic devices (2018)
Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto Heder; Added, Nemitala; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Leite, A. R.; Silva, Tiago Fiorini da; Rodrigues, Cleber Lima; Escudeiro, R.; Allegro, P. R. P.; Santos, H. C.; Alberton, S. G.; Scarduelli, V. B.; Silveira, M. A. G.; Melo, M. A. A. de; Santos, R. B. B.; Giacomini, R.; Oliveira, J. A.; Leite, F. G. H.; Sayeg, Isaac Jamil
Fonte: Resumos. Nome do evento: Brazilian Meeting on Nuclear Physics. Unidades: IF, IGC
Assuntos: ACELERADOR DE PARTÍCULAS, ÍONS PESADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGUIAR, Vitor Ângelo Paulino de et al. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Aguiar, V. Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Aguiar, V. Â. P. de, Macchione, E. L. A., Leite, A. R., et al. (2018). Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17
NLM
Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Aguiar VÂP de, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC, Alberton SG, Scarduelli VB, Silveira MAG, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH, Sayeg IJ. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17
Vancouver
Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Aguiar VÂP de, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC, Alberton SG, Scarduelli VB, Silveira MAG, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH, Sayeg IJ. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17

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