ReP USP - Resultado da busca

Tese (Doutorado)
Proteção catódica da liga de alumínio 5050 a partir de nanotubos de TiO2 e luz (2024)
Silva, Diego David da; Tremiliosi Filho, Germano (Orientador)
Unidade: IQSC
Subjects: CORROSÃO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Diego David da. Proteção catódica da liga de alumínio 5050 a partir de nanotubos de TiO2 e luz. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75134/tde-11062024-091913/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Silva, D. D. da. (2024). Proteção catódica da liga de alumínio 5050 a partir de nanotubos de TiO2 e luz (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75134/tde-11062024-091913/
NLM
Silva DD da. Proteção catódica da liga de alumínio 5050 a partir de nanotubos de TiO2 e luz [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75134/tde-11062024-091913/
Vancouver
Silva DD da. Proteção catódica da liga de alumínio 5050 a partir de nanotubos de TiO2 e luz [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/75/75134/tde-11062024-091913/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização microestrutural de resinas acrílicas constituídas de semicondutores para promoção de atividade antimicrobiana (2023)
Ferreira, Izabela ; Reis, Andréa Cândido dos (Orientador)
Unidade: FORP
Subjects: RESINAS ACRÍLICAS, SEMICONDUTORES, VANÁDIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Izabela. Caracterização microestrutural de resinas acrílicas constituídas de semicondutores para promoção de atividade antimicrobiana. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-160716/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Ferreira, I. (2023). Caracterização microestrutural de resinas acrílicas constituídas de semicondutores para promoção de atividade antimicrobiana (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-160716/
NLM
Ferreira I. Caracterização microestrutural de resinas acrílicas constituídas de semicondutores para promoção de atividade antimicrobiana [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-160716/
Vancouver
Ferreira I. Caracterização microestrutural de resinas acrílicas constituídas de semicondutores para promoção de atividade antimicrobiana [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-160716/
Artigo de periodico
Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Trabalho de evento-resumo
Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory (2023)
Inui, Guilherme K. ; Besse, Rafael ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Anais. Conference titles: Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química - RASBQ. Unidade: IQSC
Subjects: ENERGIA SOLAR, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
INUI, Guilherme K. e BESSE, Rafael e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory. 2023, Anais.. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Inui, G. K., Besse, R., & Silva, J. L. F. da. (2023). Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory. In Anais. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf
NLM
Inui GK, Besse R, Silva JLF da. Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory [Internet]. Anais. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf
Vancouver
Inui GK, Besse R, Silva JLF da. Theoretical Screening of Two Dimensional MQx Chalcogenides (M = Cu, Ag; Q = S, Se, Te, and x = 0.5, 1.0, 1.5, 2.0) via Density Functional Theory [Internet]. Anais. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/46rasbq/specific-files/manuscripts/46rasbq/134_1675250784.pdf
Artigo de periodico
Exploring the potential of broadband complementary metal oxide semiconductor micro-coil nclear magnetic resonance for evironmental research (2023)
Lysak, Daniel Henryk ; Grisi, Marco ; Marable, Kathryn; Conley, Gaurasundar M; Michal, Carl A; Moxley-Paquette, Vincent; Wolff, William W; Downey, Katelyn ; Kock, Flavio V. C ; Costa, Peter M; Ronda, Kiera; Moraes, Tiago Bueno de ; Steiner, Katrina; Colnago, Luiz A ; Simpson, Andre J
Source: Molecules. Unidade: ESALQ
Subjects: BRÓCOLOS, SEMENTES, CLADOCERA, PESQUISA, RESSONÂNCIA MAGNÉTICA NUCLEAR, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LYSAK, Daniel Henryk et al. Exploring the potential of broadband complementary metal oxide semiconductor micro-coil nclear magnetic resonance for evironmental research. Molecules, v. 28, p. 1-14, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/molecules28135080. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Lysak, D. H., Grisi, M., Marable, K., Conley, G. M., Michal, C. A., Moxley-Paquette, V., et al. (2023). Exploring the potential of broadband complementary metal oxide semiconductor micro-coil nclear magnetic resonance for evironmental research. Molecules, 28, 1-14. doi:10.3390/molecules28135080
NLM
Lysak DH, Grisi M, Marable K, Conley GM, Michal CA, Moxley-Paquette V, Wolff WW, Downey K, Kock FVC, Costa PM, Ronda K, Moraes TB de, Steiner K, Colnago LA, Simpson AJ. Exploring the potential of broadband complementary metal oxide semiconductor micro-coil nclear magnetic resonance for evironmental research [Internet]. Molecules. 2023 ; 28 1-14.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.3390/molecules28135080
Vancouver
Lysak DH, Grisi M, Marable K, Conley GM, Michal CA, Moxley-Paquette V, Wolff WW, Downey K, Kock FVC, Costa PM, Ronda K, Moraes TB de, Steiner K, Colnago LA, Simpson AJ. Exploring the potential of broadband complementary metal oxide semiconductor micro-coil nclear magnetic resonance for evironmental research [Internet]. Molecules. 2023 ; 28 1-14.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.3390/molecules28135080
Trabalho de evento
Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors (2023)
Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Romero, Murilo Araujo
Source: Proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidade: EESC
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, ENGENHARIA MECÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de e CELINO, Daniel Ricardo e ROMERO, Murilo Araujo. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors. 2023, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2023. Disponível em: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., & Romero, M. A. (2023). Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors. In Proceedings. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302479
NLM
Souza AM de, Celino DR, Romero MA. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors [Internet]. Proceedings. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Romero MA. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors [Internet]. Proceedings. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479
Trabalho de evento
Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)
Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
NLM
Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
Vancouver
Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593
Trabalho de evento
Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604
Artigo de periodico
Formulations and an adaptive large neighborhood search for just-in-time scheduling of unrelated parallel machines with a common due window (2023)
Rolim, Gustavo Alencar; Nagano, Marcelo Seido ; Prata, Bruno de Athayde
Source: Computers and Operations Research. Unidade: EESC
Subjects: BENCHMARKS, HEURÍSTICA, SEMICONDUTORES, ENGENHARIA DE PRODUÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROLIM, Gustavo Alencar e NAGANO, Marcelo Seido e PRATA, Bruno de Athayde. Formulations and an adaptive large neighborhood search for just-in-time scheduling of unrelated parallel machines with a common due window. Computers and Operations Research, v. 153, p. 1-18, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.cor.2023.106159. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Rolim, G. A., Nagano, M. S., & Prata, B. de A. (2023). Formulations and an adaptive large neighborhood search for just-in-time scheduling of unrelated parallel machines with a common due window. Computers and Operations Research, 153, 1-18. doi:10.1016/j.cor.2023.106159
NLM
Rolim GA, Nagano MS, Prata B de A. Formulations and an adaptive large neighborhood search for just-in-time scheduling of unrelated parallel machines with a common due window [Internet]. Computers and Operations Research. 2023 ; 153 1-18.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cor.2023.106159
Vancouver
Rolim GA, Nagano MS, Prata B de A. Formulations and an adaptive large neighborhood search for just-in-time scheduling of unrelated parallel machines with a common due window [Internet]. Computers and Operations Research. 2023 ; 153 1-18.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.cor.2023.106159
Artigo de periodico
Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure (2023)
Izquierdo, Jose Enrique Eirez ; Cavallari, Marco Roberto ; García, Dennis Cabrera ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Quivy, Alain André
Source: Sensors. Unidades: EP, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
IZQUIERDO, Jose Enrique Eirez et al. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, v. 23, n. 18, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.3390/s23187981. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Izquierdo, J. E. E., Cavallari, M. R., García, D. C., Fonseca, F. J., & Quivy, A. A. (2023). Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure. Sensors, 23( 18). doi:10.3390/s23187981
NLM
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Vancouver
Izquierdo JEE, Cavallari MR, García DC, Fonseca FJ, Quivy AA. Detection of water contaminants by organic transistors as gas sensors in a bottom-gate/bottom-contact cross-linked structure [Internet]. Sensors. 2023 ; 23( 18):[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.3390/s23187981
Tese (Doutorado)
Desenvolvimento de sistema de irradiação por feixe de elétrons e sua aplicação na modificação de materiais semicondutores e não-metálicos (2023)
Costa, João Paulo de Campos da; Carmo, João Paulo Pereira do (Orientador) ; Silva, Elson Longo da (coorient)
Unidade: EESC
Subjects: IRRADIAÇÃO, ELÉTRONS, SEMICONDUTORES, MATERIAIS NÃO METÁLICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COSTA, João Paulo de Campos da. Desenvolvimento de sistema de irradiação por feixe de elétrons e sua aplicação na modificação de materiais semicondutores e não-metálicos. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18152/tde-03032023-143934/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Costa, J. P. de C. da. (2023). Desenvolvimento de sistema de irradiação por feixe de elétrons e sua aplicação na modificação de materiais semicondutores e não-metálicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18152/tde-03032023-143934/
NLM
Costa JP de C da. Desenvolvimento de sistema de irradiação por feixe de elétrons e sua aplicação na modificação de materiais semicondutores e não-metálicos [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18152/tde-03032023-143934/
Vancouver
Costa JP de C da. Desenvolvimento de sistema de irradiação por feixe de elétrons e sua aplicação na modificação de materiais semicondutores e não-metálicos [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18152/tde-03032023-143934/
Dissertação (Mestrado)
Correlação estrutura-propriedades e efeito antimicrobiano da adição de semicondutores em resinas acrílicas (2023)
Sahm, Beatriz Danieletto; Reis, Andréa Cândido dos (Orientador)
Unidade: FORP
Subjects: TESTES DE SENSIBILIDADE MICROBIANA, RESINAS ACRÍLICAS, SEMICONDUTORES, PRÓTESE DENTÁRIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SAHM, Beatriz Danieletto. Correlação estrutura-propriedades e efeito antimicrobiano da adição de semicondutores em resinas acrílicas. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-154425/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Sahm, B. D. (2023). Correlação estrutura-propriedades e efeito antimicrobiano da adição de semicondutores em resinas acrílicas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, Ribeirão Preto. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-154425/
NLM
Sahm BD. Correlação estrutura-propriedades e efeito antimicrobiano da adição de semicondutores em resinas acrílicas [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-154425/
Vancouver
Sahm BD. Correlação estrutura-propriedades e efeito antimicrobiano da adição de semicondutores em resinas acrílicas [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/58/58131/tde-25102023-154425/
Artigo de periodico
Multifractal conductance fluctuations of helical edge states (2023)
Olshanetsky, E. B.; Gusev, Gennady ; Levine, Alexandre ; Kvon, Z. D.; Armand, Johnnier Perez
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLSHANETSKY, E. B. et al. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, v. 131, n. 7, p. 076301, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Olshanetsky, E. B., Gusev, G., Levine, A., Kvon, Z. D., & Armand, J. P. (2023). Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, 131( 7), 076301. doi:10.1103/PhysRevLett.131.076301
NLM
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Vancouver
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Artigo de periodico
MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)
Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f
NLM
Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f
Vancouver
Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f
Parte de monografia/livro
Halide-based perovskites in photonics: from photocatalysts to highly efficient optoelectronic devices (2023)
Passini, Luan do Nascimento ; Dias, Jeferson Almeida ; Gonçalves, Giovanna Ferreira Bigotto; Ullah, Sajjad ; Ferreira Neto, Elias Paiva ; Manzani, Danilo
Source: Perovskite Ceramics: Recent Advances and Emerging Applications. Unidade: IQSC
Subjects: MATERIAIS CERÂMICOS, FOTOCATÁLISE, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PASSINI, Luan do Nascimento et al. Halide-based perovskites in photonics: from photocatalysts to highly efficient optoelectronic devices. Perovskite Ceramics: Recent Advances and Emerging Applications. Tradução . Amsterdam: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2023. p. 624 . Disponível em: https://doi.org/10.1016/C2020-0-03937-X. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Passini, L. do N., Dias, J. A., Gonçalves, G. F. B., Ullah, S., Ferreira Neto, E. P., & Manzani, D. (2023). Halide-based perovskites in photonics: from photocatalysts to highly efficient optoelectronic devices. In Perovskite Ceramics: Recent Advances and Emerging Applications (p. 624 ). Amsterdam: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1016/C2020-0-03937-X
NLM
Passini L do N, Dias JA, Gonçalves GFB, Ullah S, Ferreira Neto EP, Manzani D. Halide-based perovskites in photonics: from photocatalysts to highly efficient optoelectronic devices [Internet]. In: Perovskite Ceramics: Recent Advances and Emerging Applications. Amsterdam: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo; 2023. p. 624 .[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/C2020-0-03937-X
Vancouver
Passini L do N, Dias JA, Gonçalves GFB, Ullah S, Ferreira Neto EP, Manzani D. Halide-based perovskites in photonics: from photocatalysts to highly efficient optoelectronic devices [Internet]. In: Perovskite Ceramics: Recent Advances and Emerging Applications. Amsterdam: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo; 2023. p. 624 .[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/C2020-0-03937-X
Artigo de periodico
Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides (2023)
Querne, Mateus Bazan Peters ; Bracht, Jean M; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Janotti, Anderson; Lima, Matheus P
Source: Physical Review B. Unidade: IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUERNE, Mateus Bazan Peters et al. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides. Physical Review B, p. 085409, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Querne, M. B. P., Bracht, J. M., Silva, J. L. F. da, Janotti, A., & Lima, M. P. (2023). Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides. Physical Review B, 085409. doi:10.1103/PhysRevB.108.085409
NLM
Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 085409.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409
Vancouver
Querne MBP, Bracht JM, Silva JLF da, Janotti A, Lima MP. Crystal structure and electrical and optical properties of two-dimensional group-IV monochalcogenides [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 085409.[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.085409
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Trabalho de evento
A method for deposition rate estimation on a low-cost home-built DC sputter system (2022)
Pinto, H. M.; Jasinevicius, Renato Goulart; Cirino, G. A.
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidade: EESC
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, ENGENHARIA MECÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PINTO, H. M. e JASINEVICIUS, Renato Goulart e CIRINO, G. A. A method for deposition rate estimation on a low-cost home-built DC sputter system. 2022, Anais.. Piscataway, NJ, USA: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881038. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Pinto, H. M., Jasinevicius, R. G., & Cirino, G. A. (2022). A method for deposition rate estimation on a low-cost home-built DC sputter system. In . Piscataway, NJ, USA: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881038
NLM
Pinto HM, Jasinevicius RG, Cirino GA. A method for deposition rate estimation on a low-cost home-built DC sputter system [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881038
Vancouver
Pinto HM, Jasinevicius RG, Cirino GA. A method for deposition rate estimation on a low-cost home-built DC sputter system [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881038
Artigo de periodico
Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET (2022)
Alberton, S. G. ; Aguiar, Vitor^Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto H. ; Added, Nemitala ; Macchione, E L A ; Menegasso, R. ; Cesário, G. J.; Santos, Hellen Cristine ; Scarduelli, V B ; Alcántara-Núñez, J. A.; Guazzelli, M. A.; Santos, R. B. B.; Flechas, D.
Source: Microelectronics Reliability. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTON, S. G. et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, v. 137, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Alberton, S. G., Aguiar, V. ^Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Menegasso, R., et al. (2022). Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, 137. doi:10.1016/j.microrel.2022.114784
NLM
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Vancouver
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Dissertação (Mestrado)
Avaliação de reator de LEDs UVA conjugado com tecido revestido com prata para a desinfecção de água de consumo (2022)
Bessa, Isabela Moreira; Paz, Lyda Patrícia Sabogal (Orientador)
Unidade: EESC
Subjects: DESINFECÇÃO DA ÁGUA, RADIAÇÃO ULTRAVIOLETA, SEMICONDUTORES, DIODOS, LUZ
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BESSA, Isabela Moreira. Avaliação de reator de LEDs UVA conjugado com tecido revestido com prata para a desinfecção de água de consumo. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18138/tde-12012023-161511/. Acesso em: 30 set. 2024.
APA
Bessa, I. M. (2022). Avaliação de reator de LEDs UVA conjugado com tecido revestido com prata para a desinfecção de água de consumo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18138/tde-12012023-161511/
NLM
Bessa IM. Avaliação de reator de LEDs UVA conjugado com tecido revestido com prata para a desinfecção de água de consumo [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18138/tde-12012023-161511/
Vancouver
Bessa IM. Avaliação de reator de LEDs UVA conjugado com tecido revestido com prata para a desinfecção de água de consumo [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18138/tde-12012023-161511/

USP Schools

ReP

Filtros

Document Types

USP Schools

Departament

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Grupo de pesquisa

Funding Agencies

Indexado em

Normalized affiliation

Non normalized affiliation

Countries of institutions of collaboration

Área de concentração

Sigla do Departamento/Programa de Pós Graduação

Departamento/Programa de Pós Graduação