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Trabalho de evento-anais periodico
Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices (2001)
Pusep, Yuri A.; Liang, Jun-Jih; Geurts, J; Moshegov, N N
Source: Physica B. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices. Physica B. Amsterdam: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00328-3. Acesso em: 10 ago. 2024. , 2001
APA
Pusep, Y. A., Liang, J. -J., Geurts, J., & Moshegov, N. N. (2001). Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices. Physica B. Amsterdam: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1016/S0921-4526(01)00328-3
NLM
Pusep YA, Liang J-J, Geurts J, Moshegov NN. Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ;298 324-328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00328-3
Vancouver
Pusep YA, Liang J-J, Geurts J, Moshegov NN. Raman probe of classical magnetoresistance in doped Ga/As/AlAs superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ;298 324-328.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00328-3
Artigo de periodico
Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy (2001)
Zanelato, G; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; González-Borrero, Pedro Pablo
Source: Physica E. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ZANELATO, G et al. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Physica E, v. 10, n. 4, p. 587-592, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Zanelato, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & González-Borrero, P. P. (2001). Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Physica E, 10( 4), 587-592. doi:10.1016/s1386-9477(00)00289-7
NLM
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Physica E. 2001 ;10( 4): 587-592.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7
Vancouver
Zanelato G, Pusep YA, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP. Raman study of the segregation of GaAs/AlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Physica E. 2001 ;10( 4): 587-592.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(00)00289-7
Artigo de periodico
Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys (2001)
Pusep, Yuri A.; Sokolov, S S; Fortunato, W; Galzerani, J C; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 13, n. 45, p. 10165-10174, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/45/305. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Sokolov, S. S., Fortunato, W., Galzerani, J. C., & Leite, J. R. (2001). Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys. Journal of Physics-Condensed Matter, 13( 45), 10165-10174. doi:10.1088/0953-8984/13/45/305
NLM
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 45): 10165-10174.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/45/305
Vancouver
Pusep YA, Sokolov SS, Fortunato W, Galzerani JC, Leite JR. Raman probing of spatial extents of collective excitations in AlGaAs alloys [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 45): 10165-10174.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/45/305
Artigo de periodico
Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices (2001)
Pusep, Yuri A.; Gusev, G M; Chiquito, A J; Sokolov, S S; Bakarov, A K; Toropov, A I; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices. Physical Review B, v. 63, p. 165307-1-165307-6, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gusev, G. M., Chiquito, A. J., Sokolov, S. S., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Leite, J. R. (2001). Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices. Physical Review B, 63, 165307-1-165307-6. doi:10.1103/physrevb.63.165307
NLM
Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Sokolov SS, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ;63 165307-1-165307-6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307
Vancouver
Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Sokolov SS, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ;63 165307-1-165307-6.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307
Trabalho de evento-resumo
Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As (2001)
Pusep, Yuri A.; Chiquito, A. J.; Fortunato, W.; Galzerani, J. C.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. 2001, Anais.. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Chiquito, A. J., Fortunato, W., & Galzerani, J. C. (2001). Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. In Proceedings. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Chiquito AJ, Fortunato W, Galzerani JC. Plasmon- like oscillations of the electrons localized by the DX centers in doped 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
2DEG formed by magnetic field in superlattices (2001)
Pusep, Yuri A.; Gusev, G. M.; Chiquito, A. J.; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. 2DEG formed by magnetic field in superlattices. 2001, Anais.. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gusev, G. M., Chiquito, A. J., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Leite, J. R. (2001). 2DEG formed by magnetic field in superlattices. In Proceedings. Giessen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. 2DEG formed by magnetic field in superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. 2DEG formed by magnetic field in superlattices. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A.; Silva, M. T. O.; Galzerani, J. C.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N. T.; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A. ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1999)
Zanelatto, G; Pusep, Yuri A.; Moshegov, N T; Toropov, A I; Basmaji, Pierre; Galzerani, J C
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELATTO, G et al. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 86, n. 8, p. 4387-4389, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.371375. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Moshegov, N. T., Toropov, A. I., Basmaji, P., & Galzerani, J. C. (1999). Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Journal of Applied Physics, 86( 8), 4387-4389. doi:10.1063/1.371375
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Moshegov NT, Toropov AI, Basmaji P, Galzerani JC. Raman study of topology of InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 1999 ;86( 8): 4387-4389.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.371375
Trabalho de evento
Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G; Galzerani, J C; González-Borrero, P P; Basmaji, Pierre
Conference titles: Conferência Internacional de Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE). Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998, Anais.. Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1998. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1998). Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. In . Cannes: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, González-Borrero PP, Basmaji P. Kinetic modelling of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, v. 58, n. 16, p. 10683-10686, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Moshegov, N. T., & Basmaji, P. (1998). Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems. Physical Review B, 58( 16), 10683-10686. doi:10.1103/physrevb.58.10683
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influence of crystal-potential fluctuations on Raman spectra of coupled plasmon-Lo-phonon modes in disordered systems [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 16): 10683-10686.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10683
Artigo de periodico
Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G.; Silva, S. W.; Galzerani, J. C.; González-Borrero, Pedro Pablo; Toropov, A. I.; Basmaji, Pierre
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, v. 58, n. 4, p. R1770-R1773, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Silva, S. W., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Basmaji, P. (1998). Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, 58( 4), R1770-R1773. doi:10.1103/physrevb.58.r1770
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Trabalho de evento-resumo
Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
Pusep, Yuri A.; Zanelatto, G; Galzerani, J C; Silva, S W; Gonzales-Borrero, Pedro P; Basmaji, Pierre; Toropov, A I
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Gonzales-Borrero, P. P., Basmaji, P., & Toropov, A. I. (1998). Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Galzerani JC, Silva SW, Gonzales-Borrero PP, Basmaji P, Toropov AI. Spectroscopy of optical phonons in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
Zanelatto, G; Pusep, Yuri A.; Galzerani, J C; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D; Basmaji, Pierre
Source: Physics of Low-Dimensional Structures. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELATTO, G et al. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 10 ago. 2024. , 1998
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D., & Basmaji, P. (1998). Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas (1998)
Basmaji, Pierre; Gusev, G M; La Scala Junior, N; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D I; Silva, M P A da; Maude, D K; Portal, J C; Pusep, Yuri A.; Rossi, J C
Source: Physics of Low-Dimensional Structures. Conference titles: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 10 ago. 2024. , 1998
APA
Basmaji, P., Gusev, G. M., La Scala Junior, N., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Silva, M. P. A. da, et al. (1998). Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Gusev GM, La Scala Junior N, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, Maude DK, Portal JC, Pusep YA, Rossi JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ; 1-2 187-192.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Basmaji P, Gusev GM, La Scala Junior N, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, Maude DK, Portal JC, Pusep YA, Rossi JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ; 1-2 187-192.[citado 2024 ago. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Moshegov, N. T., & Basmaji, P. (1998). Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Moshegov NT, Basmaji P. Influência das flutuações de potencial das ligas de AlGaAs dopadas nos espectros Raman dos modos acoplados fônon LO-plasmon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots (1997)
Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; Gonzalez-Borrero, Pedro P; Marega Júnior, Euclydes; Petitprez, E; La Scala Junior, Newton; Basmaji, Pierre
Source: Physica Status Solidi A. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A, v. 164, p. 455-457, 1997Tradução . . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., Gonzalez-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., et al. (1997). Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A, 164, 455-457.
NLM
Pusep YA, Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Gonzalez-Borrero PP, Marega Júnior E, Petitprez E, La Scala Junior N, Basmaji P. Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A. 1997 ; 164 455-457.[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Gonzalez-Borrero PP, Marega Júnior E, Petitprez E, La Scala Junior N, Basmaji P. Photoluminescence of excitons in differently oriented self-assembled InAs quantum dots. Physica Status Solidi A. 1997 ; 164 455-457.[citado 2024 ago. 10 ]
Artigo de periodico
Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering (1997)
Silva, S W da; Lubyshev, D I; Basmaji, Pierre; Pusep, Yuri A.; Pizani, Paulo Sérgio; Galzerani, J C; Katiyar, R S; Morell, G
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, S W da et al. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, v. 82, n. 12, p. 6247-6250, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.366511. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Silva, S. W. da, Lubyshev, D. I., Basmaji, P., Pusep, Y. A., Pizani, P. S., Galzerani, J. C., et al. (1997). Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering. Journal of Applied Physics, 82( 12), 6247-6250. doi:10.1063/1.366511
NLM
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511
Vancouver
Silva SW da, Lubyshev DI, Basmaji P, Pusep YA, Pizani PS, Galzerani JC, Katiyar RS, Morell G. Characterization of GaAs wire crystals grown on porous silicon by Raman scattering [Internet]. Journal of Applied Physics. 1997 ; 82( 12): 6247-6250.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.366511
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence study of excitons in the differently oriented self-assembled InAs and In IND.0.5Ga IND.0.5As quantum dots (1997)
Pusep, Yuri A.; Silva, S W da; Galzerani, J C; Lubyshev, D I; González-Borrero, P P; Marega Júnior, Euclydes; Petitprez, E; La Scala Júnior, Newton; Basmaji, Pierre
Conference titles: International Meeting on Optics of Excitons in Confined Systems. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Photoluminescence study of excitons in the differently oriented self-assembled InAs and In IND.0.5Ga IND.0.5As quantum dots. 1997, Anais.. Gottingen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1997. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, S. W. da, Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., et al. (1997). Photoluminescence study of excitons in the differently oriented self-assembled InAs and In IND.0.5Ga IND.0.5As quantum dots. In . Gottingen: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Silva SW da, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Petitprez E, La Scala Júnior N, Basmaji P. Photoluminescence study of excitons in the differently oriented self-assembled InAs and In IND.0.5Ga IND.0.5As quantum dots. 1997 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva SW da, Galzerani JC, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Marega Júnior E, Petitprez E, La Scala Júnior N, Basmaji P. Photoluminescence study of excitons in the differently oriented self-assembled InAs and In IND.0.5Ga IND.0.5As quantum dots. 1997 ;[citado 2024 ago. 10 ]

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