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Artigo de periodico
Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs (1998)
Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Silva, E C F da; Levine, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, v. 57, n. 15, p. 9168-9178, 1998Tradução . . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Silva, E. C. F. da, & Levine, A. (1998). Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, 57( 15), 9168-9178.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Microelectronic Engineering. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Unidades: IF, IME
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ENGENHARIA AUTOMOBILÍSTICA
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ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science. . Acesso em: 18 nov. 2024. , 1998
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Enderlein R, Leite JR. Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon. Microelectronic Engineering. 1998 ; 43-44 489-496.[citado 2024 nov. 18 ]
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, A; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Artigo de periodico
Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy (1998)
Soares, J A N T; Enderlein, R; Beliaev, D; Leite, J. R.; Saito, M
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: ENGENHARIA MECÂNICA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy. Semiconductor Science and Technology, v. 13, n. 12, p. 1418-1425, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Beliaev, D., Leite, J. R., & Saito, M. (1998). Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy. Semiconductor Science and Technology, 13( 12), 1418-1425. doi:10.1088/0268-1242/13/12/015
NLM
Soares JANT, Enderlein R, Beliaev D, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13( 12): 1418-1425.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015
Vancouver
Soares JANT, Enderlein R, Beliaev D, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from GaAs HEMT structures reinvestigated: solution of an old controversy [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1998 ; 13( 12): 1418-1425.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/13/12/015
Artigo de periodico
p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ROSA, A L et al. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, v. 58, n. 23, p. 15675-15687, 1998Tradução . . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, 58( 23), 15675-15687.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon (1998)
Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ROSA, A L et al. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. Hole band structure calculations of 'ANTIND.p'-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in silicon. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Artigo de periodico
Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities (1998)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B, v. 206, n. 2p. 623-633, 1998Tradução . . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B, 206( 2p. 623-633).
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B. 1998 ; 206( 2p. 623-633):[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B. 1998 ; 206( 2p. 623-633):[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico (1998)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Enderlein, R. (1998). Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Artigo de periodico
Density Functional theory for Holes in Semiconductors (1997)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Density Functional theory for Holes in Semiconductors. Physical Review Letters, v. 79, n. 19, p. 3712-3715, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1997). Density Functional theory for Holes in Semiconductors. Physical Review Letters, 79( 19), 3712-3715. doi:10.1103/physrevlett.79.3712
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Density Functional theory for Holes in Semiconductors [Internet]. Physical Review Letters. 1997 ; 79( 19): 3712-3715.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Density Functional theory for Holes in Semiconductors [Internet]. Physical Review Letters. 1997 ; 79( 19): 3712-3715.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712
Artigo de periodico
Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs (1997)
Ramos, L. E.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructure. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L. E. et al. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure, v. 22, n. 4, p. 443-451, 1997Tradução . . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Ramos, L. E., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1997). Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure, 22( 4), 443-451.
NLM
Ramos LE, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure. 1997 ; 22( 4): 443-451.[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Ramos LE, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure. 1997 ; 22( 4): 443-451.[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells (1996)
Dantas, N O; Tabata, A; Martini, S.; Ceschim, A M; Scalfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, N O et al. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Dantas, N. O., Tabata, A., Martini, S., Ceschim, A. M., Scalfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1996). Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Dantas NO, Tabata A, Martini S, Ceschim AM, Scalfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Dantas NO, Tabata A, Martini S, Ceschim AM, Scalfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Photoluminescence study of radiative recombination on 'GA''AS' / gaaias 'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
Castineira, J L P; Alves, J L; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Alves, J. L., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Enderlein, R. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Castineira JLP, Alves JL, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Castineira JLP, Alves JL, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts (1996)
Soares, J A N T; Enderlein, R; Leite, J. R.; Saito, M
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Enderlein, R., Leite, J. R., & Saito, M. (1996). Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Soares JANT, Enderlein R, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Soares JANT, Enderlein R, Leite JR, Saito M. Photoreflectance spectra from 'GA''AL''AS' / 'GA''AS' hemts. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta (1996)
Pusep, Yuri A ; Silva, M T O; Silva, S W; Galzerani, J C; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices (1996)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects in the hole band structure of 'GA''AS' p-type 'GAMA'-doping quantum wells and superlattices. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells (1996)
Castilho, W M; Sipahi, Guilherme Matos ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTILHO, W M et al. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Castilho, W. M., Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Castilho WM, Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Hole band structure of silicon-based p-type'DELTA'-doping quantum wells. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento
Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Alves, J L A; Kajaj, K K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, J. L. A., & Kajaj, K. K. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento
Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1996). Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 nov. 18 ]

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