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Tese (Doutorado)
Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos (2012)
Maia, Álvaro Diego Bernardino; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTORES, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO
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ABNT
MAIA, Álvaro Diego Bernardino. Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Maia, Á. D. B. (2012). Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/
NLM
Maia ÁDB. Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos [Internet]. 2012 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/
Vancouver
Maia ÁDB. Crescimento, fabricação e teste de fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos [Internet]. 2012 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-26032013-125013/
Artigo de periodico
Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing (2012)
Keizer, J. G; Henriques, André Bohomoletz; Maia, A D B; Quivy, A. A.; Koenraad, P. M
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
KEIZER, J. G et al. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 101 24, p. 243113, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4770371. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Keizer, J. G., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., & Koenraad, P. M. (2012). Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing. APPLIED PHYSICS LETTERS, 101 24, 243113. doi:10.1063/1.4770371
NLM
Keizer JG, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012 ;101 24 243113.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4770371
Vancouver
Keizer JG, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012 ;101 24 243113.[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4770371

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