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  • Artigo de periodico

    p-type doping of GaAs(001) layers grown by MBE using silicon as a dopant (1999)

    Quivy, A. A.; Sperandio, A. L.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Journal Crystal Growth. Unidade: IF

    Assunto: CRISTALOGRAFIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      QUIVY, A. A. et al. p-type doping of GaAs(001) layers grown by MBE using silicon as a dopant. Journal Crystal Growth, v. 206, n. 3, p. 171-176, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00325-5. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Quivy, A. A., Sperandio, A. L., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (1999). p-type doping of GaAs(001) layers grown by MBE using silicon as a dopant. Journal Crystal Growth, 206( 3), 171-176. doi:10.1016/s0022-0248(99)00325-5

    • NLM

      Quivy AA, Sperandio AL, Silva ECF da, Leite JR. p-type doping of GaAs(001) layers grown by MBE using silicon as a dopant [Internet]. Journal Crystal Growth. 1999 ; 206( 3): 171-176.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00325-5

    • Vancouver

      Quivy AA, Sperandio AL, Silva ECF da, Leite JR. p-type doping of GaAs(001) layers grown by MBE using silicon as a dopant [Internet]. Journal Crystal Growth. 1999 ; 206( 3): 171-176.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00325-5

  • Trabalho de evento-anais periodico

    p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates (1998)

    Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, E C F; Sperandio, A L; Leite, J. R.

    Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      QUIVY, A. A. et al. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 19 abr. 2024. , 1998

    • APA

      Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Sperandio, A. L., & Leite, J. R. (1998). p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 abr. 19 ]

  • Artigo de periodico

    p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures (1998)

    Rosa, A L; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, J. R.

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      ROSA, A L et al. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, v. 58, n. 23, p. 15675-15687, 1998Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Sipahi, G. M., & Leite, J. R. (1998). p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B, 58( 23), 15675-15687.

    • NLM

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Rosa AL, Scolfaro LMR, Enderlein R, Sipahi GM, Leite JR. p-type 'delta'-doping quantum wells and superlattices in Si: self-consistent hole potentials and band structures. Physical Review B. 1998 ; 58( 23): 15675-15687.[citado 2024 abr. 19 ]

  • Artigo de periodico

    Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon (1988)

    Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: HIDROGÊNIO, SILÍCIO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SILVA, E C F et al. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, v. 37, n. 6 , p. 3113-6, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, 37( 6 ), 3113-6. doi:10.1103/physrevb.37.3113

    • NLM

      Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113

    • Vancouver

      Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113

  • Artigo de periodico

    Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys (2002)

    Santos, A M; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Noriega, O C; Alves, H W L; Alves, J L A; Leite, J. R.

    Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      SANTOS, A M et al. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, v. 232, n. 1, p. 182-187, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Santos, A. M., Silva, E. C. F. da, Noriega, O. C., Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2002). Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, 232( 1), 182-187. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf

    • NLM

      Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf

    • Vancouver

      Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf

  • Artigo de periodico

    Vertical longitudinal magnetoresistence of semiconductor superlattices (2001)

    Pusep, Yuri A.; Gusev, Guennadii Michailovich; Chiquito, A j; Sokolov, S S; Bakarov, A K; Toropov, A I; Leite, J. R.

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Vertical longitudinal magnetoresistence of semiconductor superlattices. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5307/1-5307/6, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Gusev, G. M., Chiquito, A. j, Sokolov, S. S., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Leite, J. R. (2001). Vertical longitudinal magnetoresistence of semiconductor superlattices. Physical Review B, 63( 16), 5307/1-5307/6. doi:10.1103/physrevb.63.165307

    • NLM

      Pusep YA, Gusev GM, Chiquito A j, Sokolov SS, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. Vertical longitudinal magnetoresistence of semiconductor superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5307/1-5307/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307

    • Vancouver

      Pusep YA, Gusev GM, Chiquito A j, Sokolov SS, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. Vertical longitudinal magnetoresistence of semiconductor superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5307/1-5307/6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307

  • Artigo de periodico

    Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices (2001)

    Pusep, Yuri A.; Gusev, G M; Chiquito, A J; Sokolov, S S; Bakarov, A K; Toropov, A I; Leite, J. R.

    Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices. Physical Review B, v. 63, p. 165307-1-165307-6, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Gusev, G. M., Chiquito, A. J., Sokolov, S. S., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Leite, J. R. (2001). Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices. Physical Review B, 63, 165307-1-165307-6. doi:10.1103/physrevb.63.165307

    • NLM

      Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Sokolov SS, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ;63 165307-1-165307-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307

    • Vancouver

      Pusep YA, Gusev GM, Chiquito AJ, Sokolov SS, Bakarov AK, Toropov AI, Leite JR. Vertical longitudinal magnetoresistance of semiconductor superlattices [Internet]. Physical Review B. 2001 ;63 165307-1-165307-6.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165307

  • Relatorio tecnico

    Variational cellular model of the molecular and crystal electronic structure (1977)

    Ferreira, Luiz Guimarães; Leite, J. R.

    Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães e LEITE, J. R. Variational cellular model of the molecular and crystal electronic structure. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1743445.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024. , 1977

    • APA

      Ferreira, L. G., & Leite, J. R. (1977). Variational cellular model of the molecular and crystal electronic structure. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1743445.pdf

    • NLM

      Ferreira LG, Leite JR. Variational cellular model of the molecular and crystal electronic structure [Internet]. 1977 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1743445.pdf

    • Vancouver

      Ferreira LG, Leite JR. Variational cellular model of the molecular and crystal electronic structure [Internet]. 1977 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1743445.pdf

  • Artigo de periodico

    Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)

    Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Physica B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6

    • NLM

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6

  • Trabalho de evento-resumo

    Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers (2004)

    Lima, Ivan C. da Cunha; Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.

    Source: Resumos. Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices (1999)

    Rodrigues, S. C. P.; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, S. C. P. et al. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF.

    • NLM

      Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]

  • Artigo de periodico

    Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices (2000)

    Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, S C P et al. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, v. 76, n. 8, p. 1015-1017, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.125924. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2000). Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices. Applied Physics Letters, 76( 8), 1015-1017. doi:10.1063/1.125924

    • NLM

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924

    • Vancouver

      Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence band structure of cubic AlGaN/GaN superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 8): 1015-1017.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.125924

  • Trabalho de evento-resumo

    Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study (1999)

    Castineira, Jose Luis Petricelli; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.

    • NLM

      Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 19 ]

  • Artigo de periodico

    Tuning of the two-dimensional electron density in modulation-doped quantum wells by long-wavelength radiation (1991)

    Valadares, E C; Henriques, André Bohomoletz; Leite, J. R.

    Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VALADARES, E C e HENRIQUES, André Bohomoletz e LEITE, J. R. Tuning of the two-dimensional electron density in modulation-doped quantum wells by long-wavelength radiation. Superlattices and Microstructures, v. 8 , p. 201, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90092-l. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Valadares, E. C., Henriques, A. B., & Leite, J. R. (1991). Tuning of the two-dimensional electron density in modulation-doped quantum wells by long-wavelength radiation. Superlattices and Microstructures, 8 , 201. doi:10.1016/0749-6036(90)90092-l

    • NLM

      Valadares EC, Henriques AB, Leite JR. Tuning of the two-dimensional electron density in modulation-doped quantum wells by long-wavelength radiation [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1991 ;8 201.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90092-l

    • Vancouver

      Valadares EC, Henriques AB, Leite JR. Tuning of the two-dimensional electron density in modulation-doped quantum wells by long-wavelength radiation [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1991 ;8 201.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90092-l

  • Artigo de periodico

    Tuning of the two-dimensional electron density in modulation doped quantum wells by long wavelength radiation (1990)

    Valadares, E C; Henriques, André Bohomoletz; Leite, J. R.; Chaves, A

    Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VALADARES, E C et al. Tuning of the two-dimensional electron density in modulation doped quantum wells by long wavelength radiation. Superlattices and Microstructures, v. 8 , n. 2 , p. 201-4, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90092-l. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Valadares, E. C., Henriques, A. B., Leite, J. R., & Chaves, A. (1990). Tuning of the two-dimensional electron density in modulation doped quantum wells by long wavelength radiation. Superlattices and Microstructures, 8 ( 2 ), 201-4. doi:10.1016/0749-6036(90)90092-l

    • NLM

      Valadares EC, Henriques AB, Leite JR, Chaves A. Tuning of the two-dimensional electron density in modulation doped quantum wells by long wavelength radiation [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 201-4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90092-l

    • Vancouver

      Valadares EC, Henriques AB, Leite JR, Chaves A. Tuning of the two-dimensional electron density in modulation doped quantum wells by long wavelength radiation [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 201-4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90092-l

  • Artigo de periodico

    Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells (2004)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.11.223

    • NLM

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223

    • Vancouver

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223

  • Artigo de periodico

    Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit (2004)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015. Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.12.015

    • NLM

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015

    • Vancouver

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015

  • Trabalho de evento-resumo

    Transmission electron microscopy of nanoparticles made by reactive laser ablation (2000)

    Camata, Renato Penha; Leite, J. R.; Lemos, V; Okada, Y; Takeuchi, K

    Source: Resumos de Trabalhos. Conference titles: Reunião Anual de Usuários do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron-LNLS. Unidade: IF

    Assunto: ÓPTICA

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    • ABNT

      CAMATA, Renato Penha et al. Transmission electron microscopy of nanoparticles made by reactive laser ablation. 2000, Anais.. Campinas: LNLS, 2000. . Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Camata, R. P., Leite, J. R., Lemos, V., Okada, Y., & Takeuchi, K. (2000). Transmission electron microscopy of nanoparticles made by reactive laser ablation. In Resumos de Trabalhos. Campinas: LNLS.

    • NLM

      Camata RP, Leite JR, Lemos V, Okada Y, Takeuchi K. Transmission electron microscopy of nanoparticles made by reactive laser ablation. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Camata RP, Leite JR, Lemos V, Okada Y, Takeuchi K. Transmission electron microscopy of nanoparticles made by reactive laser ablation. Resumos de Trabalhos. 2000 ;[citado 2024 abr. 19 ]

  • Artigo de periodico

    Transition between heavy hole - light states in the valence band of CdTe at temperatures 5k - 350k (1997)

    Belogorokhov, Alexander Ivanovich; Leite, J. R.; Belogorokhova, Lubov Ivanovna

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BELOGOROKHOV, Alexander Ivanovich e LEITE, J. R. e BELOGOROKHOVA, Lubov Ivanovna. Transition between heavy hole - light states in the valence band of CdTe at temperatures 5k - 350k. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 332-335, 1997Tradução . . Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Belogorokhov, A. I., Leite, J. R., & Belogorokhova, L. I. (1997). Transition between heavy hole - light states in the valence band of CdTe at temperatures 5k - 350k. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 332-335.

    • NLM

      Belogorokhov AI, Leite JR, Belogorokhova LI. Transition between heavy hole - light states in the valence band of CdTe at temperatures 5k - 350k. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 332-335.[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Belogorokhov AI, Leite JR, Belogorokhova LI. Transition between heavy hole - light states in the valence band of CdTe at temperatures 5k - 350k. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 332-335.[citado 2024 abr. 19 ]

  • Trabalho de evento

    Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)

    Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K

    Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 19 abr. 2024.

    • APA

      Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.

    • NLM

      Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]

    • Vancouver

      Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 abr. 19 ]

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