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Artigo de periodico
μ-near-zero metamaterial slabs for a new concept of plasmonic sensing platforms (2018)
Girón-Sedas, J. A.; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de; Mejía-Salazar, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), SENSOR, FILMES FINOS
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ABNT
GIRÓN-SEDAS, J. A. e OLIVEIRA JUNIOR, Osvaldo Novais de e MEJÍA-SALAZAR, J. R. μ-near-zero metamaterial slabs for a new concept of plasmonic sensing platforms. Superlattices and Microstructures, v. 117, p. 423-428, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.03.062. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Girón-Sedas, J. A., Oliveira Junior, O. N. de, & Mejía-Salazar, J. R. (2018). μ-near-zero metamaterial slabs for a new concept of plasmonic sensing platforms. Superlattices and Microstructures, 117, 423-428. doi:10.1016/j.spmi.2018.03.062
NLM
Girón-Sedas JA, Oliveira Junior ON de, Mejía-Salazar JR. μ-near-zero metamaterial slabs for a new concept of plasmonic sensing platforms [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2018 ; 117 423-428.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.03.062
Vancouver
Girón-Sedas JA, Oliveira Junior ON de, Mejía-Salazar JR. μ-near-zero metamaterial slabs for a new concept of plasmonic sensing platforms [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2018 ; 117 423-428.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.03.062
Artigo de periodico
Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition (2017)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 156-161, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2017). Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, 104, 156-161. doi:10.1016/j.spmi.2016.12.060
NLM
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
Vancouver
Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
Artigo de periodico
Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells (2017)
Aquino, V M de; Iwamoto, H; Dias, I F L; Laureto, E; Silva, M A T da; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, Alain Andre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, FOTODETECTORES, ELETRÔNICA QUÂNTICA
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ABNT
AQUINO, V M de et al. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 101, n. ja, p. 236-243, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Dias, I. F. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells. Superlattices and Microstructures, 101( ja), 236-243. doi:10.1016/j.spmi.2016.11.042
NLM
Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
Vancouver
Aquino VM de, Iwamoto H, Dias IFL, Laureto E, Silva MAT da, Silva ECF da, Quivy AA. Efficient method for calculating electronic bound states in arbitrary one-dimensional quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 101( ja): 236-243.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.11.042
Artigo de periodico
Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors (2017)
Claro, M. S.; Fernandes, F. M.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, Alain Andre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
CLARO, M. S. et al. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 232-239, 2017Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via%3Dihub. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Claro, M. S., Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2017). Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors. Superlattices and Microstructures, 104, 232-239. doi:10.1016/j.spmi.2017.02.015
NLM
Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via%3Dihub
Vancouver
Claro MS, Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Simulation of the dark current of quantum-well infrared photodetectors [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 232-239.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603617300745?via%3Dihub
Artigo de periodico
Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires (2016)
Tito, M. A.; Tavares, B. G. M.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Pusep, Yuri A.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. et al. Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires. Superlattices and Microstructures, v. 100, p. 918-923, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.048. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Tito, M. A., Tavares, B. G. M., Arakaki, H., Souza, C. A. de, & Pusep, Y. A. (2016). Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires. Superlattices and Microstructures, 100, 918-923. doi:10.1016/j.spmi.2016.10.048
NLM
Tito MA, Tavares BGM, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2016 ; 100 918-923.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.048
Vancouver
Tito MA, Tavares BGM, Arakaki H, Souza CA de, Pusep YA. Radial multiple quantum well GaAs/AlGaAs heterostructure formed in nanowires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2016 ; 100 918-923.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.10.048
Artigo de periodico
Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Iwamoto, H; Meneses, E A; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES NUCLEARES
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 29, n. 2, p. 225-231, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Iwamoto, H., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 29( 2), 225-231. Recuperado de http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Artigo de periodico
Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices (2000)
Zeballos-Velasquez, E L; Moncada L, H; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
ZEBALLOS-VELASQUEZ, E L e MONCADA L, H e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 28, n. 3, p. 207-215, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Zeballos-Velasquez, E. L., Moncada L, H., & Fantini, M. C. de A. (2000). Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices. Superlattices and Microstructures, 28( 3), 207-215. doi:10.1006/spmi.2000.0902
NLM
Zeballos-Velasquez EL, Moncada L H, Fantini MC de A. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2000 ; 28( 3): 207-215.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902
Vancouver
Zeballos-Velasquez EL, Moncada L H, Fantini MC de A. Reflectivity modeling of Si-based amorphous superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2000 ; 28( 3): 207-215.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.2000.0902
Artigo de periodico
Effects of intersubband coupling on Friedel oscillations in quasi-two-dimensional electron systems (1999)
Hai, Guo-Qiang; Peeters, F M; Studart, Nelson; Marques, G E
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
HAI, Guo-Qiang et al. Effects of intersubband coupling on Friedel oscillations in quasi-two-dimensional electron systems. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 185-189, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0635. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Hai, G. -Q., Peeters, F. M., Studart, N., & Marques, G. E. (1999). Effects of intersubband coupling on Friedel oscillations in quasi-two-dimensional electron systems. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 185-189. doi:10.1006/spmi.1998.0635
NLM
Hai G-Q, Peeters FM, Studart N, Marques GE. Effects of intersubband coupling on Friedel oscillations in quasi-two-dimensional electron systems [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ;25( 1/2): 185-189.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0635
Vancouver
Hai G-Q, Peeters FM, Studart N, Marques GE. Effects of intersubband coupling on Friedel oscillations in quasi-two-dimensional electron systems [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ;25( 1/2): 185-189.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0635
Artigo de periodico
Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
Tabata, A.; Martini, S.; Quivy, A. A.; Ceschin, Artemis Marti; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Trabalho de evento-anais periodico
Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors (1999)
Manzoli, J. E.; Romero, Murilo Araújo; Hipólito, Oscar
Fonte: Superlattices and Microstructures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructure and Microdevices. Unidade: EESC
Assuntos: SEMICONDUTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
MANZOLI, J. E. e ROMERO, Murilo Araújo e HIPÓLITO, Oscar. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. London: Academic Press. . Acesso em: 25 abr. 2024. , 1999
APA
Manzoli, J. E., Romero, M. A., & Hipólito, O. (1999). Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. London: Academic Press.
NLM
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 289-293.[citado 2024 abr. 25 ]
Vancouver
Manzoli JE, Romero MA, Hipólito O. Self-consistent modeling of C-V and electronic properties of strained heterostructure modulation-doped field-effect transistors. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 289-293.[citado 2024 abr. 25 ]
Artigo de periodico
Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas (1999)
Santos, Marcelo Trindade dos; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bykov, A. A.; Moshegov, N. T.; Kudryashev, V. M.; Toporov, A. I.; Nataushev, Y. V.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Marcelo Trindade dos et al. Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Superlattices and Microstructures, v. 24, n. 1/2, p. 167-173, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0632. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Santos, M. T. dos, Gusev, G. M., Leite, J. R., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., Kudryashev, V. M., et al. (1999). Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Superlattices and Microstructures, 24( 1/2), 167-173. doi:10.1006/spmi.1998.0632
NLM
Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nataushev YV. Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 24( 1/2): 167-173.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0632
Vancouver
Santos MT dos, Gusev GM, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toporov AI, Nataushev YV. Commensurability oscillations in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 24( 1/2): 167-173.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0632
Artigo de periodico
Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon (1999)
Rosa, A. L.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSA, A. L. et al. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 67-71, 1999Tradução . . Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 67-71.
NLM
Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 67-71.[citado 2024 abr. 25 ]
Vancouver
Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Rigorous hole band structure calculations of p-type 'delta'-doping superlattices in silicon. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 67-71.[citado 2024 abr. 25 ]
Artigo de periodico
Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells (1999)
Choque, N. M. S.; Beliaev, D.; Soares, J. A. N. T.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sperandio, A. L.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHOQUE, N. M. S. et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 26, n. 4, p. 243-250, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1999). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 26( 4), 243-250. doi:10.1006/spmi.1999.0770
NLM
Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770
Vancouver
Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770
Artigo de periodico
Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires (1998)
Gusev, G M; La Scala, N; Lubyshev, D I; González-Borrero, P P; Silva, M A P; Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Portal, J C
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, v. 24, n. 3, p. 197-291, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Gusev, G. M., La Scala, N., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., Silva, M. A. P., Basmaji, P., et al. (1998). Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires. Superlattices and Microstructures, 24( 3), 197-291. doi:10.1006/spmi.1996.0343
NLM
Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343
Vancouver
Gusev GM, La Scala N, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Silva MAP, Basmaji P, Rossi JC, Portal JC. Magneto-oscillations in a trapezoidal two-dimensional electron gas grown over GaAs wires [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 24( 3): 197-291.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0343
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, A; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
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ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Artigo de periodico
Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates (1998)
González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D I; Marega Júnior, Euclydes; Petitprez, E; Basmaji, Pierre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo et al. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 365-368, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Marega Júnior, E., Petitprez, E., & Basmaji, P. (1998). Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 365-368. doi:10.1006/spmi.1996.0353
NLM
González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 365-368.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353
Vancouver
González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 365-368.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353
Artigo de periodico
Optical properties of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on high-index 'GA''AS' substrates (1997)
González-Borrero, P P; Marega Júnior, Euclydes; Lubyshev, D I; Petitprez, E; Basmaji, Pierre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, P P et al. Optical properties of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on high-index 'GA''AS' substrates. Superlattices and Microstructures, v. 22, n. 1 , p. 85-89, 1997Tradução . . Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
González-Borrero, P. P., Marega Júnior, E., Lubyshev, D. I., Petitprez, E., & Basmaji, P. (1997). Optical properties of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on high-index 'GA''AS' substrates. Superlattices and Microstructures, 22( 1 ), 85-89.
NLM
González-Borrero PP, Marega Júnior E, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on high-index 'GA''AS' substrates. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 22( 1 ): 85-89.[citado 2024 abr. 25 ]
Vancouver
González-Borrero PP, Marega Júnior E, Lubyshev DI, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of self-assembled 'IN''AS' quantum dots on high-index 'GA''AS' substrates. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 22( 1 ): 85-89.[citado 2024 abr. 25 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells (1997)
Soler, M A G; Depeyrot, J; Morais, P C; Soares, J A N T; Scólfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Enderlein, R; Weimann, G; Trankle, G
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MECÂNICA QUÂNTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER, M A G et al. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 21, n. 4, p. 581-585, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Soler, M. A. G., Depeyrot, J., Morais, P. C., Soares, J. A. N. T., Scólfaro, L. M. R., Silva, E. C. F. da, et al. (1997). Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells. Superlattices and Microstructures, 21( 4), 581-585. doi:10.1006/spmi.1996.0206
NLM
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206
Vancouver
Soler MAG, Depeyrot J, Morais PC, Soares JANT, Scólfaro LMR, Silva ECF da, Enderlein R, Weimann G, Trankle G. Photoreflectance measurements in GaAs/AlGaAs asymmetric quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1997 ; 21( 4): 581-585.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0206
Artigo de periodico
Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire (1995)
Campos, V B; Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMPOS, V B e DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire. Superlattices and Microstructures, v. 17, n. 1 , p. 85-90, 1995Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1018. Acesso em: 25 abr. 2024.
APA
Campos, V. B., Degani, M. H., & Hipólito, O. (1995). Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire. Superlattices and Microstructures, 17( 1 ), 85-90. doi:10.1006/spmi.1995.1018
NLM
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1995 ;17( 1 ): 85-90.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1018
Vancouver
Campos VB, Degani MH, Hipólito O. Exchange and correlation effects in a semiconductor quantum-well wire [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1995 ;17( 1 ): 85-90.[citado 2024 abr. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1995.1018

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