ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
{\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires (2005)
Hobi Jr, Edwin; Fazzio, Adalberto; Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antônio J. R. da; Silva, E Z da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, NANOPARTÍCULAS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HOBI JR, Edwin et al. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Hobi Jr, E., Fazzio, A., Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Silva, E. Z. da. (2005). {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
NLM
Hobi Jr E, Fazzio A, Novaes FD, Silva AJR da, Silva EZ da. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
Vancouver
Hobi Jr E, Fazzio A, Novaes FD, Silva AJR da, Silva EZ da. {\it Ab initio} molecular dynamics study of pure and contaminated gold nanowires [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0882-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Venezuela, P; Dalpian, G M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P et al. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian GM, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Miranda CR, Arantes Junior JT, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, Caetano Rodrigues; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Fazzio A, Silva AJR da. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' (2002)
Dalpian, G. M.; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of vancancies in 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O (2009)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2009). Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Theoretical study of the electronic and structural properties of amorphous `Hf IND.X´`Si IND.Y´O [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0192-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes (2003)
Baierle, Rogério José; Schmidt, Tomé Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAIERLE, Rogério José e SCHMIDT, Tomé Mauro e FAZZIO, Adalberto. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical study of natives defects in BN-nanotubes. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100) (2000)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da; Fazzio, Adalberto; Kintop, Jorge Alberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Silveira, M. A. G. da, Fazzio, A., Kintop, J. A., & Silva, A. J. R. da. (2000). Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silveira MAG da, Fazzio A, Kintop JA, Silva AJR da. Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Silveira MAG da, Fazzio A, Kintop JA, Silva AJR da. Theoretical study of Si nanostructures deposited on the Si(100). Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of "NH IND.3" sensors based on "CN IND.x" nanotubes (2005)
Rossi, Mariana; Novaes, Frederico D; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio José Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ROSSI, Mariana et al. Theoretical study of "NH IND.3" sensors based on "CN IND.x" nanotubes. 2005, Anais.. São Pedro: SBQT, 2005. Disponível em: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0136-1.doc. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Rossi, M., Novaes, F. D., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). Theoretical study of "NH IND.3" sensors based on "CN IND.x" nanotubes. In Resumos. São Pedro: SBQT. Recuperado de http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0136-1.doc
NLM
Rossi M, Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical study of "NH IND.3" sensors based on "CN IND.x" nanotubes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0136-1.doc
Vancouver
Rossi M, Novaes FD, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical study of "NH IND.3" sensors based on "CN IND.x" nanotubes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbqt.net/XIII-SBQT/SIMPOSIO/RESUMOS/R0136-1.doc
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of ice: defects on the rocks (2005)
Koning, Maurice de; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da; Antonelli, Alex
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KONING, Maurice de et al. Theoretical studies of ice: defects on the rocks. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Koning, M. de, Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Antonelli, A. (2005). Theoretical studies of ice: defects on the rocks. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf
NLM
Koning M de, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Theoretical studies of ice: defects on the rocks [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf
Vancouver
Koning M de, Fazzio A, Silva AJR da, Antonelli A. Theoretical studies of ice: defects on the rocks [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1352-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100) (2002)
Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2002). Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Theoretical STM images of Ge adsorption on Si(100). Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system (2000)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e FAZZIO, Adalberto. The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, & Fazzio, A. (2000). The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva CRS da, Fazzio A. The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A. The formation and structural properties of the amorphous-crystal interface in a nano-Si system. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si (2003)
Schmidt, Tomé M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tomé M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2003). The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. The eletrostatic potential of the '90 GRAUS' partial dislocation and its interaction with point defects in Si. Resumos. 2003 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals (2009)
Schoenhalz, A L; Arantes, José Tadeu; Fazzio, Adalberto; Dalpian, Gustavo M
Source: Resumos. Conference titles: International Conference on Advanced Materias. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHOENHALZ, A L et al. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals. 2009, Anais.. Rio de Janeiro: ICAM, 2009. Disponível em: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Schoenhalz, A. L., Arantes, J. T., Fazzio, A., & Dalpian, G. M. (2009). Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals. In Resumos. Rio de Janeiro: ICAM. Recuperado de http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
NLM
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
Vancouver
Schoenhalz AL, Arantes JT, Fazzio A, Dalpian GM. Surface effects on the electronic and structural properties of ZnO nanocrystals [Internet]. Resumos. 2009 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.icam2009.com/submission/autor/arquivos/Y537.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of intrinsic defects in germanium (2000)
Silva, Antonio Jose Roque da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e JANOTTI, A. e FAZZIO, Adalberto. Study of intrinsic defects in germanium. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., & Fazzio, A. (2000). Study of intrinsic defects in germanium. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Study of intrinsic defects in germanium. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A. Study of intrinsic defects in germanium. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault (2000)
Schmidt, Tome Mauro; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2' (2002)
Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, Walter M e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A. Spin effects on the oxidation process in 'SiO IND.2'. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo (2000)
Silva, Cesar Renato Simenes da; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Cesar Renato Simenes da e FAZZIO, Adalberto. Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Silva, C. R. S. da, & Fazzio, A. (2000). Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva CRS da, Fazzio A. Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Silva CRS da, Fazzio A. Simulação da formação de CSi amorfo mediante resfriamento da fase cristalina por Monte Carlo contínuo. Resumos. 2000 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Si incorporation in Si(100) steps (2002)
Dalpian, G. M.; Silva, Antonio Jose Roque da; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Si incorporation in Si(100) steps. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Silva, A. J. R. da, Venezuela, P., & Fazzio, A. (2002). Si incorporation in Si(100) steps. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Dalpian GM, Silva AJR da, Venezuela P, Fazzio A. Si incorporation in Si(100) steps. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades químicas e estruturais de óxido e oxi-nitreto de silício amorfo hidrogenado (2002)
Scopel, Wanderla Luis; Orellana, Walter M; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Propriedades químicas e estruturais de óxido e oxi-nitreto de silício amorfo hidrogenado. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 24 abr. 2024.
APA
Scopel, W. L., Orellana, W. M., Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Fantini, M. C. de A. (2002). Propriedades químicas e estruturais de óxido e oxi-nitreto de silício amorfo hidrogenado. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Scopel WL, Orellana WM, Fazzio A, Silva AJR da, Fantini MC de A. Propriedades químicas e estruturais de óxido e oxi-nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]
Vancouver
Scopel WL, Orellana WM, Fazzio A, Silva AJR da, Fantini MC de A. Propriedades químicas e estruturais de óxido e oxi-nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 24 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Date published

Subjects

Publisher

Conference titles

Funding Agencies

Normalized affiliation

Non normalized affiliation