ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study (2002)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
ABNT
MORBEC, F M O et al. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 19 set. 2024.APA
Morbec, F. M. O., Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.NLM
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 19 ]Vancouver
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 set. 19 ]