Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers (2004)
Fonte: Resumos. Nome do evento: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
ABNT
LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 25 set. 2024.APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 25 ]Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 25 ]