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Trabalho de evento-resumo
Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers (2004)
Lima, Ivan C. da Cunha; Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of InGaAs/InGaMnAs magnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices (1999)
Rodrigues, S. C. P.; Beliaev, Dmitri; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1999). Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Valence subband structures of group-III nitride-derived quantum wells and superlattices. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study (1999)
Castineira, Jose Luis Petricelli; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 05 ]
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Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., & Schikora, D. (1996). Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D. Total energy calculations of 'BETA'-gan epitaxial layers grown on 'SI'-and c- terminated 'BETA'-sic substrates. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 05 ]
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Thermal properties of lightly doped and compensated quantum well, by Monte Carlo simulation (1997)
Serra, R M; Leite, J. R.; Emmel, P D
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SERRA, R M e LEITE, J. R. e EMMEL, P D. Thermal properties of lightly doped and compensated quantum well, by Monte Carlo simulation. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Serra, R. M., Leite, J. R., & Emmel, P. D. (1997). Thermal properties of lightly doped and compensated quantum well, by Monte Carlo simulation. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Serra RM, Leite JR, Emmel PD. Thermal properties of lightly doped and compensated quantum well, by Monte Carlo simulation. Resumos. 1997 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Serra RM, Leite JR, Emmel PD. Thermal properties of lightly doped and compensated quantum well, by Monte Carlo simulation. Resumos. 1997 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Theory of hole confinement in delta-doping structures (1994)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of hole confinement in delta-doping structures. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1994). Theory of hole confinement in delta-doping structures. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Theory of hole confinement in delta-doping structures. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR. Theory of hole confinement in delta-doping structures. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, Friedhelm
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2002). Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Theoretical studies of thermodynamics, electronic and structural properties of zinc-blende 'Al IND.1-X' 'In IND.X' N alloys. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects (2001)
Dantas, N O; Qu, Fanyao; Leite, J. R.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
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ABNT
DANTAS, N O et al. The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Dantas, N. O., Qu, F., Leite, J. R., & Silva, E. C. F. da. (2001). The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 05 ]
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The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects (2001)
Dantas, N O; Qu, Fanyao; Leite, J. R.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, N O et al. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Dantas, N. O., Qu, F., Leite, J. R., & Silva, E. C. F. da. (2001). The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells (2004)
Pagnossin, I. R; Silva, Emílio Carlos Nelli ; Quivy, A. A.; Martini, S; Sergio, C. S; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidades: EP, IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PAGNOSSIN, I. R et al. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf. Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Silva, E. C. N., Quivy, A. A., Martini, S., Sergio, C. S., & Leite, J. R. (2004). The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf
NLM
Pagnossin IR, Silva ECN, Quivy AA, Martini S, Sergio CS, Leite JR. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf
Vancouver
Pagnossin IR, Silva ECN, Quivy AA, Martini S, Sergio CS, Leite JR. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)
Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN (1998)
Alves, J L A; Oliveira, C.; Paiva, R.; Alves, H. W. L.; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, J L A et al. Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Alves, J. L. A., Oliveira, C., Paiva, R., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (1998). Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves JLA, Oliveira C, Paiva R, Alves HWL, Leite JR. Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Alves JLA, Oliveira C, Paiva R, Alves HWL, Leite JR. Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations (2000)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro e LEITE, J. R. Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2000). Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Study of thermodynamic and strutural properties in strained cubic InGaN and AlGaN alloys through first-principles calculations. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates (1998)
Frizzarini, M; Silva, E C F; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRIZZARINI, M et al. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1998). Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Frizzarini M, Silva ECF, Quivy AA, Leite JR. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Frizzarini M, Silva ECF, Quivy AA, Leite JR. Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates. Resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy (1997)
Choque, Nilo Maurício Sotomayor; Soares, Júlio Antônio Nieri de Toledo; Enderlein, Rolf; Leite, J. R.; Belogorokhov, Alexander Ivanovich; Belogorokhova, Lubov Ivanovna
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHOQUE, Nilo Maurício Sotomayor et al. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Choque, N. M. S., Soares, J. A. N. de T., Enderlein, R., Leite, J. R., Belogorokhov, A. I., & Belogorokhova, L. I. (1997). Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Choque NMS, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Choque NMS, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on valence band structure in cubic GaN/InGaN and AlGaN/GaN superlattices (2000)
Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto et al. Strain effects on valence band structure in cubic GaN/InGaN and AlGaN/GaN superlattices. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2000). Strain effects on valence band structure in cubic GaN/InGaN and AlGaN/GaN superlattices. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on valence band structure in cubic GaN/InGaN and AlGaN/GaN superlattices. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on valence band structure in cubic GaN/InGaN and AlGaN/GaN superlattices. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf. Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Trabalho de evento
Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf. Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 maio 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0125-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy (2000)
Martini, S.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Lange, C; Richter, W; Tokranov, V E
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S. et al. Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Leite, J. R., Lange, C., Richter, W., & Tokranov, V. E. (2000). Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Martini S, Quivy AA, Leite JR, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Leite JR, Lange C, Richter W, Tokranov VE. Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy. Resumos. 2000 ;[citado 2024 maio 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method (1999)
Ramos, L. E.; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RAMOS, L. E. e LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 maio 2024.
APA
Ramos, L. E., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ramos LE, Leite JR, Scolfaro LMR. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 05 ]
Vancouver
Ramos LE, Leite JR, Scolfaro LMR. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 05 ]

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