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Artigo de periodico
Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres (2009)
Macatrão, M.; Peres, M.; Rubinger, Carla Patricia Lacerda; Soares, M. J.; Costa, L. C.; Costa, F. M.; Monteiro, T.; Franco, N.; Alves, E.; Saggioro, Bruno Zaniboni; Andreeta, Marcello Rubens Barsi ; Hernandes, Antônio Carlos
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Subjects: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, FIBRAS (ESTUDO), TÂNTALO, TERRAS RARAS
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ABNT
MACATRÃO, M. et al. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres. Microelectronics Journal, v. 40, n. 2, p. 309-312, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Macatrão, M., Peres, M., Rubinger, C. P. L., Soares, M. J., Costa, L. C., Costa, F. M., et al. (2009). Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres. Microelectronics Journal, 40( 2), 309-312. doi:10.1016/j.mejo.2008.07.033
NLM
Macatrão M, Peres M, Rubinger CPL, Soares MJ, Costa LC, Costa FM, Monteiro T, Franco N, Alves E, Saggioro BZ, Andreeta MRB, Hernandes AC. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 2): 309-312.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033
Vancouver
Macatrão M, Peres M, Rubinger CPL, Soares MJ, Costa LC, Costa FM, Monteiro T, Franco N, Alves E, Saggioro BZ, Andreeta MRB, Hernandes AC. Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown 'Ta IND.2''O IND. 5' fibres [Internet]. Microelectronics Journal. 2009 ; 40( 2): 309-312.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.033
Artigo de periodico
Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel (2008)
Garzon, Carlos Mario; Alfonso Jose E; Corredor, Edna C; Recco, Abel André Cândido ; Tschiptschin, André Paulo
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EP
Subjects: TITÂNIO, LIGAS NÃO FERROSAS
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ABNT
GARZON, Carlos Mario et al. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, v. 39, p. 1329-1330, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Garzon, C. M., Alfonso Jose E,, Corredor, E. C., Recco, A. A. C., & Tschiptschin, A. P. (2008). Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel. Microelectronics Journal, 39, 1329-1330. doi:10.1016/j.mejo.2008.01.047
NLM
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Vancouver
Garzon CM, Alfonso Jose E, Corredor EC, Recco AAC, Tschiptschin AP. Hardness and structure characterization of Ti6Al4V films produced by reactive magnetron sputtering on a conventional austenitic stainless steel [Internet]. Microelectronics Journal. 2008 ; 39 1329-1330.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2008.01.047
Artigo de periodico
I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires (2006)
Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Source: Microelectronics Journal. Unidade: EESC
Subjects: EMISSÃO TERMOIÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, v. No 2006, n. 11, p. 1261-1264, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Ragi, R., & Romero, M. A. (2006). I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires. Microelectronics Journal, No 2006( 11), 1261-1264. doi:10.1016/j.mejo.2006.06.006
NLM
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Vancouver
Ragi R, Romero MA. I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wires [Internet]. Microelectronics Journal. 2006 ; No 2006( 11): 1261-1264.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2006.06.006
Artigo de periodico
Roughness and nanoholes in sol-gel thin films (2005)
Antunes, A; Amaral, T; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Abramof, E; Morelhao, Sergio Luiz
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
ANTUNES, A et al. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 567-569, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Antunes, A., Amaral, T., Brito, G. E. de S., Abramof, E., & Morelhao, S. L. (2005). Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 567-569. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.078
NLM
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Vancouver
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices (2005)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA JUNIOR, E. F. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, v. 36, n. Ju 2005, p. 434-437, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, 36( Ju 2005), 434-437. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.041
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells (2005)
D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Conference titles: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
D'EURYDICE, Marcel Nogueira et al. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 24 out. 2025. , 2005
APA
D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2025 out. 24 ]
Vancouver
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2025 out. 24 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications (2005)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Conference titles: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 24 out. 2025. , 2005
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2025 out. 24 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2025 out. 24 ]
Artigo de periodico
The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Artigo de periodico
Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces (2004)
Marega Junior, Euclydes ; Oliveira, R. M.; Souza, C. A.; Arakaki, Haroldo; González-Borrero, P. P.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERCONDUTIVIDADE, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
MAREGA JUNIOR, Euclydes et al. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces. Microelectronics Journal, v. 35, n. Ja 2004, p. 41-43, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Marega Junior, E., Oliveira, R. M., Souza, C. A., Arakaki, H., & González-Borrero, P. P. (2004). Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces. Microelectronics Journal, 35( Ja 2004), 41-43. doi:10.1016/s0026-2692(03)00221-0
NLM
Marega Junior E, Oliveira RM, Souza CA, Arakaki H, González-Borrero PP. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ; 35( Ja 2004): 41-43.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0
Vancouver
Marega Junior E, Oliveira RM, Souza CA, Arakaki H, González-Borrero PP. Optical properties of GaAs/AlAs superlattices grown on (311)A GaAs surfaces [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ; 35( Ja 2004): 41-43.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00221-0
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L K et al. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00218-0
NLM
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Vancouver
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Artigo de periodico
Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Artigo de periodico
H-band emission in single heterojunctions (2003)
Qu, Fanyao; Lino, Antônio Tadeu; Dantas, N O; Morais, P C; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QU, Fanyao et al. H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 755-757, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Qu, F., Lino, A. T., Dantas, N. O., Morais, P. C., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 755-757. doi:10.1016/s0026-2692(03)00119-8
NLM
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8
Vancouver
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8
Artigo de periodico
Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 out. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2025 out. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides (2003)
Pereira, L S; Santos, A M; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, CALOR ESPECÍFICO
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ABNT
PEREIRA, L S et al. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 655-657, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Pereira, L. S., Santos, A. M., Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (2003). Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 655-657. doi:10.1016/s0026-2692(03)00088-0
NLM
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Vancouver
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Artigo de periodico
Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SILVA, M J da et al. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 631-633. doi:10.1016/s0026-2692(03)00066-1
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Artigo de periodico
Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)
Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE
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ABNT
SÉRGIO, C. S. et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 763-766. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 out. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2025 out. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 481-484, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 481-484. doi:10.1016/s0026-2692(03)00078-8
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 481-484.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 481-484.[citado 2025 out. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8
Artigo de periodico
Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells (2003)
Pereira, T A S; Freire, J A K; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F da
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: LUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, T A S et al. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507-509, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 24 out. 2025.
APA
Pereira, T. A. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. da. (2003). Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, 34, 507-509. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2025 out. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2025 out. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

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