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Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Artigo de periodico
Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells (2002)
Laureto, E; Meneses, E A; Carvalho Junior, W; Bernussi, A A; Ribeiro, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Oliveira, J B B de
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LAURETO, E et al. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 314-317, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Laureto, E., Meneses, E. A., Carvalho Junior, W., Bernussi, A. A., Ribeiro, E., Silva, E. C. F. da, & Oliveira, J. B. B. de. (2002). Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 314-317. doi:10.1590/s0103-97332002000200017
NLM
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Vancouver
Laureto E, Meneses EA, Carvalho Junior W, Bernussi AA, Ribeiro E, Silva ECF da, Oliveira JBB de. Optical studies of the correlation between interface disorder and the photoluminescence line shape in GaAs/InGaP quantum wells [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 314-317.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200017
Trabalho de evento-anais periodico
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates (1998)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, E C F; Sperandio, A L; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
QUIVY, A. A. et al. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 10 nov. 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Sperandio, A. L., & Leite, J. R. (1998). p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 10 ]
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 10 ]
Artigo de periodico
'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates (1997)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Sperândio, A L; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
QUIVY, A. A. et al. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 125-129, 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf. Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F. da, Sperândio, A. L., & Leite, J. R. (1997). 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 125-129. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
Artigo de periodico
New results on bound exciton in quantum wells (1997)
Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, J. B. B. e MENESES, E A e SILVA, Euzi Conceição Fernandes da. New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 194-197, 1997Tradução . . Acesso em: 10 nov. 2024.
APA
Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., & Silva, E. C. F. da. (1997). New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 194-197.
NLM
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 194-197.[citado 2024 nov. 10 ]
Vancouver
Oliveira JBB, Meneses EA, Silva ECF da. New results on bound exciton in quantum wells. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 194-197.[citado 2024 nov. 10 ]

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