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Trabalho de evento-resumo
Um método para verificação da exatidão de transformadores de potencial indutivos. (em CD-Rom) (1997)
Silva, Izael Pereira da; Brandão Júnior, Augusto Ferreira; Silos, Antonio Carlos de; Ivanoff, Dimetri
Fonte: ALTAE'97 : memorias. Nome do evento: Jornadas Latinoamericanas en Alta Tensión y Aislamiento Eléctrico. Unidades: EP, IEE
Assuntos: TRANSFORMADORES E REATORES, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
SILVA, Izael Pereira da et al. Um método para verificação da exatidão de transformadores de potencial indutivos. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Caracas: Universidad Simón Bolívar, 1997. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Silva, I. P. da, Brandão Júnior, A. F., Silos, A. C. de, & Ivanoff, D. (1997). Um método para verificação da exatidão de transformadores de potencial indutivos. (em CD-Rom). In ALTAE'97 : memorias. Caracas: Universidad Simón Bolívar.
NLM
Silva IP da, Brandão Júnior AF, Silos AC de, Ivanoff D. Um método para verificação da exatidão de transformadores de potencial indutivos. (em CD-Rom). ALTAE'97 : memorias. 1997 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Silva IP da, Brandão Júnior AF, Silos AC de, Ivanoff D. Um método para verificação da exatidão de transformadores de potencial indutivos. (em CD-Rom). ALTAE'97 : memorias. 1997 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Artigo de periodico
Centro de excelencia propoe integrar escolas e empresas . [Entrevista] (1991)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Jardini, José Antonio
Fonte: Jornal da Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e JARDINI, José Antonio. Centro de excelencia propoe integrar escolas e empresas . [Entrevista]. Jornal da Eletricidade, v. 1 , n. 3 , p. 9 , 1991Tradução . . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, & Jardini, J. A. (1991). Centro de excelencia propoe integrar escolas e empresas . [Entrevista]. Jornal da Eletricidade, 1 ( 3 ), 9 .
NLM
Andrade CAM de, Jardini JA. Centro de excelencia propoe integrar escolas e empresas . [Entrevista]. Jornal da Eletricidade. 1991 ;1 ( 3 ): 9 .[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Jardini JA. Centro de excelencia propoe integrar escolas e empresas . [Entrevista]. Jornal da Eletricidade. 1991 ;1 ( 3 ): 9 .[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Lcd direct calibration for non cylindrical conductors (1990)
Altafim, Ruy Alberto Corrêa; Leite, D M; Kameyama, Francisco Hirakazu; Janiszewski, Jorge Mieczyslaw
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Lightning Protection. Unidades: EP, IEE, EESC
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
ALTAFIM, Ruy Alberto Corrêa et al. Lcd direct calibration for non cylindrical conductors. 1990, Anais.. Zurich: Eth, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f327e5ac-75de-4a45-ab87-0c60f97e0c4f/prod_0000226_sysno_814322%20%281%29.pdf. Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Altafim, R. A. C., Leite, D. M., Kameyama, F. H., & Janiszewski, J. M. (1990). Lcd direct calibration for non cylindrical conductors. In Proceedings. Zurich: Eth. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f327e5ac-75de-4a45-ab87-0c60f97e0c4f/prod_0000226_sysno_814322%20%281%29.pdf
NLM
Altafim RAC, Leite DM, Kameyama FH, Janiszewski JM. Lcd direct calibration for non cylindrical conductors [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2024 jun. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f327e5ac-75de-4a45-ab87-0c60f97e0c4f/prod_0000226_sysno_814322%20%281%29.pdf
Vancouver
Altafim RAC, Leite DM, Kameyama FH, Janiszewski JM. Lcd direct calibration for non cylindrical conductors [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2024 jun. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f327e5ac-75de-4a45-ab87-0c60f97e0c4f/prod_0000226_sysno_814322%20%281%29.pdf
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assuntos: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Pereyra, Inés ; Martins, R F P; Fortunato, E
Fonte: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Nome do evento: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidades: IEE, EP
Assuntos: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Artigo de periodico
Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Molina Torres, L C
Fonte: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 141-62, 1988Tradução . . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, & Molina Torres, L. C. (1988). Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 141-62.
NLM
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo (1988)
Zasnicoff, Luiz Sergio; Andrade, Carlos Américo Morato de
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Zasnicoff, L. S., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo (1988)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Martins, R F P; Fortunato, E
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1988). Transistores de filmes finos de silicio amorfo. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Attitude solar sensors for the brazilian satellites (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Andrade, Adnei Melges de ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Sanematsu, Mário Sabro; Selingardi, M L; Bertolino, M A; Matos, J D
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Conference on Electrical Drives. Unidades: IEE, EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de et al. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. 1988, Anais.. Poiana Brasov: Acad Soc Rep Romania/Min Electrotechnical Industry, 1988. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Sanematsu, M. S., Selingardi, M. L., Bertolino, M. A., & Matos, J. D. (1988). Attitude solar sensors for the brazilian satellites. In Proceedings. Poiana Brasov: Acad Soc Rep Romania/Min Electrotechnical Industry.
NLM
Andrade CAM de, Andrade AM de, Fonseca FJ, Sanematsu MS, Selingardi ML, Bertolino MA, Matos JD. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Andrade AM de, Fonseca FJ, Sanematsu MS, Selingardi ML, Bertolino MA, Matos JD. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Artigo de periodico
Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Selingardi, M L; Andrade, Adnei Melges de ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Bertolino, M A; Matos, J D; Sanematsu, Mário Sabro
Fonte: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de et al. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 417-40, 1988Tradução . . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, Selingardi, M. L., Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Bertolino, M. A., Matos, J. D., & Sanematsu, M. S. (1988). Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 417-40.
NLM
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 jun. 13 ]
Artigo de periodico
Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Zasnicoff, Luiz Sergio
Fonte: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 237-51, 1988Tradução . . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, & Zasnicoff, L. S. (1988). Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 237-51.
NLM
Andrade CAM de, Zasnicoff LS. Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 237-51.[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Zasnicoff LS. Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 237-51.[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal (1988)
Molina Torres, L C; Andrade, Carlos Américo Morato de
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOLINA TORRES, L C e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Molina Torres, L. C., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos (1987)
Galup Montoro, C; Bodinaud, Jean Albert
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALUP MONTORO, C e BODINAUD, Jean Albert. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Galup Montoro, C., & Bodinaud, J. A. (1987). Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galup Montoro C, Bodinaud JA. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. Anais. 1987 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Galup Montoro C, Bodinaud JA. Caracterização da geometria centroide para supressão de erros no casamento de componentes e nos quocientes capacitivos. Anais. 1987 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Relatorio tecnico
Proteção de redes de distribuição aérea (1987)
Lugao, E B; Rossi, Luiz Natal; Lebensztajn, Luiz ; Burani, Geraldo Francisco; GROSCHE, Rogério del Trono
Unidades: EP, IEE
Assunto: REDES DE DISTRIBUIÇÃO DE ENERGIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LUGAO, E B et al. Proteção de redes de distribuição aérea. . Sao Paulo: Fdte-Epusp. . Acesso em: 13 jun. 2024. , 1987
APA
Lugao, E. B., Rossi, L. N., Lebensztajn, L., Burani, G. F., & GROSCHE, R. del T. (1987). Proteção de redes de distribuição aérea. Sao Paulo: Fdte-Epusp.
NLM
Lugao EB, Rossi LN, Lebensztajn L, Burani GF, GROSCHE R del T. Proteção de redes de distribuição aérea. 1987 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Lugao EB, Rossi LN, Lebensztajn L, Burani GF, GROSCHE R del T. Proteção de redes de distribuição aérea. 1987 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro (1987)
Galup Montoro, C; Andrade, Carlos Américo Morato de; Bodinaud, Jean Albert; Vale Neto, José Vieira do
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: EP, IEE
Assunto: COMPUTAÇÃO GRÁFICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALUP MONTORO, C et al. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Galup Montoro, C., Andrade, C. A. M. de, Bodinaud, J. A., & Vale Neto, J. V. do. (1987). Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galup Montoro C, Andrade CAM de, Bodinaud JA, Vale Neto JV do. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. Anais. 1987 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Galup Montoro C, Andrade CAM de, Bodinaud JA, Vale Neto JV do. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. Anais. 1987 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas (1986)
Marconato, Roberto; Lange, R S
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidades: EP, IEE
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARCONATO, Roberto e LANGE, R S. Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. 1986, Anais.. Campinas: Sbmicro/Telebras, 1986. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Marconato, R., & Lange, R. S. (1986). Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. In Anais. Campinas: Sbmicro/Telebras.
NLM
Marconato R, Lange RS. Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Marconato R, Lange RS. Aluminio como dopante na obtenção de junções P-N profundas. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Modelo computacional para analise de confiabilidade de sistemas compostos de grande porte (1986)
Ramos, Dorel Soares ; Robba, Ernesto João; Kagan, Nelson ; Prieto Schmidt, Hernán
Fonte: Anais. Nome do evento: Seminario Nacional de Producao e Transmissao de Energia Eletrica. Unidades: IEE, EP
Assunto: TRANSMISSÃO DE ENERGIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, Dorel Soares et al. Modelo computacional para analise de confiabilidade de sistemas compostos de grande porte. 1986, Anais.. São Paulo: Eletrobras/Cigre/Cesp, 1986. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Ramos, D. S., Robba, E. J., Kagan, N., & Prieto Schmidt, H. (1986). Modelo computacional para analise de confiabilidade de sistemas compostos de grande porte. In Anais. São Paulo: Eletrobras/Cigre/Cesp.
NLM
Ramos DS, Robba EJ, Kagan N, Prieto Schmidt H. Modelo computacional para analise de confiabilidade de sistemas compostos de grande porte. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Ramos DS, Robba EJ, Kagan N, Prieto Schmidt H. Modelo computacional para analise de confiabilidade de sistemas compostos de grande porte. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Metodo das diferencas finitas para equacoes a derivadas parciais, nao-lineares, destinadas ao modelamento de reatores eletrotermicos (1986)
Bennaton, Jocelyn Freitas; Gambirasio, Giorgio ; Uehara, Oscar Kiyokazu
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Latino-Americano sobre Metodos Computacionais para Engenharia. Unidades: EP, EESC, IEE
Assunto: DIFERENÇAS FINITAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BENNATON, Jocelyn Freitas e GAMBIRASIO, Giorgio e UEHARA, Oscar Kiyokazu. Metodo das diferencas finitas para equacoes a derivadas parciais, nao-lineares, destinadas ao modelamento de reatores eletrotermicos. 1986, Anais.. Sao Carlos: Eesc-Usp/Amc, 1986. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Bennaton, J. F., Gambirasio, G., & Uehara, O. K. (1986). Metodo das diferencas finitas para equacoes a derivadas parciais, nao-lineares, destinadas ao modelamento de reatores eletrotermicos. In Anais. Sao Carlos: Eesc-Usp/Amc.
NLM
Bennaton JF, Gambirasio G, Uehara OK. Metodo das diferencas finitas para equacoes a derivadas parciais, nao-lineares, destinadas ao modelamento de reatores eletrotermicos. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Bennaton JF, Gambirasio G, Uehara OK. Metodo das diferencas finitas para equacoes a derivadas parciais, nao-lineares, destinadas ao modelamento de reatores eletrotermicos. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Resolucao numerica de equacoes tipo difusao -conveccao-reacao utilizadas no modelamento de gaseificadores eletrotermicos (1986)
Gambirasio, Giorgio ; Nascimento, Cláudio Augusto Oller do ; Bennaton, Jocelyn Freitas; Uehara, K
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Automatica. Unidades: EP, EESC, IEE
Assunto: REATORES QUÍMICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GAMBIRASIO, Giorgio et al. Resolucao numerica de equacoes tipo difusao -conveccao-reacao utilizadas no modelamento de gaseificadores eletrotermicos. 1986, Anais.. Belo Horizonte: Sba/Ufmg, 1986. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Gambirasio, G., Nascimento, C. A. O. do, Bennaton, J. F., & Uehara, K. (1986). Resolucao numerica de equacoes tipo difusao -conveccao-reacao utilizadas no modelamento de gaseificadores eletrotermicos. In Anais. Belo Horizonte: Sba/Ufmg.
NLM
Gambirasio G, Nascimento CAO do, Bennaton JF, Uehara K. Resolucao numerica de equacoes tipo difusao -conveccao-reacao utilizadas no modelamento de gaseificadores eletrotermicos. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Gambirasio G, Nascimento CAO do, Bennaton JF, Uehara K. Resolucao numerica de equacoes tipo difusao -conveccao-reacao utilizadas no modelamento de gaseificadores eletrotermicos. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Trabalho de evento
Pontos de equilibrio de sistemas nao-lineares de equacoes diferenciais a derivadas parciais descritivos do comportamento de reatores eletrotermicos (1986)
Bennaton, Jocelyn Freitas; Gambirasio, Giorgio ; Uehara, Oscar Kiyokazu
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Automatica. Unidades: EP, EESC, IEE
Assunto: SISTEMAS NÃO LINEARES
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ABNT
BENNATON, Jocelyn Freitas e GAMBIRASIO, Giorgio e UEHARA, Oscar Kiyokazu. Pontos de equilibrio de sistemas nao-lineares de equacoes diferenciais a derivadas parciais descritivos do comportamento de reatores eletrotermicos. 1986, Anais.. Belo Horizonte: Sba/Ufmg, 1986. . Acesso em: 13 jun. 2024.
APA
Bennaton, J. F., Gambirasio, G., & Uehara, O. K. (1986). Pontos de equilibrio de sistemas nao-lineares de equacoes diferenciais a derivadas parciais descritivos do comportamento de reatores eletrotermicos. In Anais. Belo Horizonte: Sba/Ufmg.
NLM
Bennaton JF, Gambirasio G, Uehara OK. Pontos de equilibrio de sistemas nao-lineares de equacoes diferenciais a derivadas parciais descritivos do comportamento de reatores eletrotermicos. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]
Vancouver
Bennaton JF, Gambirasio G, Uehara OK. Pontos de equilibrio de sistemas nao-lineares de equacoes diferenciais a derivadas parciais descritivos do comportamento de reatores eletrotermicos. Anais. 1986 ;[citado 2024 jun. 13 ]

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