ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells (2014)
Matusalem, F.; Ribeiro Jr., M; Marques, M.; Pelá, R. R.; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: SBF. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATUSALEM, F. et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Matusalem, F., Ribeiro Jr., M., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2014). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
NLM
Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
Vancouver
Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
Relatorio tecnico
Some surprising results of the kohn-sham density functional (2014)
Ferreira, Luiz Guimarães; Marques, M.; Teles, L. K.; Pelá, R. R.
Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Luiz Guimarães et al. Some surprising results of the kohn-sham density functional. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2014
APA
Ferreira, L. G., Marques, M., Teles, L. K., & Pelá, R. R. (2014). Some surprising results of the kohn-sham density functional. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
NLM
Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. Some surprising results of the kohn-sham density functional [Internet]. 2014 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
Vancouver
Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. Some surprising results of the kohn-sham density functional [Internet]. 2014 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
Artigo de periodico
All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces (2013)
Silva Filho, O. P.; Ribeiro, M., Jr.; Pela, R. R.; Teles, L. K.; Marques, M.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Assuntos: ESPECTROMETRIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA FILHO, O. P. et al. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 3, p. 033709 , 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4812493. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Silva Filho, O. P., Ribeiro, M., Pela, R. R., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2013). All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 3), 033709 . doi:10.1063/1.4812493
NLM
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
Vancouver
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
Artigo de periodico
GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations (2012)
Pela, R R; Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Furthmüller, Jurgen; Teles, L. K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PELA, R R et al. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408/1-202408/4, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4718602. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Pela, R. R., Marques, M., Ferreira, L. G., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2012). GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, 100( 20), 202408/1-202408/4. doi:10.1063/1.4718602
NLM
Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
Vancouver
Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
Artigo de periodico
Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach (2012)
Santos, J P T; Marques, M; Pelá, R R; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
NLM
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Artigo de periodico
Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs (2010)
Caetano, Clóvis; Teles, L. K.; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, Clóvis et al. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 12, p. 123904/1-123904/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3448025. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2010). Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, 107( 12), 123904/1-123904/5. doi:https://doi.org/10.1063/1.3448025
NLM
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
Vancouver
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
Trabalho de evento-resumo
Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters (2010)
Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.; Marcelo Marques
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Luiz Guimarães e TELES, L. K. e MARCELO MARQUES,. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Marcelo Marques,. (2010). Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
NLM
Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
Vancouver
Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
Artigo de periodico
Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors (2010)
Santos, J P T; Gusev, Guennadii Michailovich; Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, J P T et al. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 81, n. 8, p. 115209/1-115209/8, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Gusev, G. M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2010). Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 81( 8), 115209/1-115209/8. doi:10.1103/physrevb.81.115209
NLM
Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
Vancouver
Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
Artigo de periodico
Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys (2009)
Caetano, Clovis; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, Clovis et al. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, v. 94, n. 24, p. 241914/1-241914/3. 2009, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3154560. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Caetano, C., Marques, M., Ferreira, L. G., & Teles, L. K. (2009). Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, 94( 24), 241914/1-241914/3. 2009. doi:10.1063/1.3154560
NLM
Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560
Vancouver
Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560
Trabalho de evento-resumo
Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr (2008)
Caetano, C; Teles, L. K.; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, C et al. Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2008). Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf
NLM
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf
Vancouver
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy (2008)
Marques, V; Marques, Marcelo; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, V et al. Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Marques, V., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2008). Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf
NLM
Marques V, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf
Vancouver
Marques V, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals (2008)
Santos, J P T; Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, J P T et al. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2008). Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
NLM
Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fast and precise calculation of band gaps (2008)
Ferreira, Luiz Guimarães; Marques, Marcelo; Teles, L. K.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Luiz Guimarães e MARQUES, Marcelo e TELES, L. K. Fast and precise calculation of band gaps. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ferreira, L. G., Marques, M., & Teles, L. K. (2008). Fast and precise calculation of band gaps. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf
NLM
Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Fast and precise calculation of band gaps [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf
Vancouver
Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Fast and precise calculation of band gaps [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure (2007)
Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2007
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2007). Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures (2007)
Caetano, C; Teles, L. K.; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, C et al. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2007). Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
NLM
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
Vancouver
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN (2007)
Ribeiro Junior, Mauro; Marques, Marcelo; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, Mauro et al. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ribeiro Junior, M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
NLM
Ribeiro Junior M, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
Vancouver
Ribeiro Junior M, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN [Internet]. 2007 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain (2007)
Ribeiro Junior, M; Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, M et al. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 19 abr. 2024. , 2007
APA
Ribeiro Junior, M., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations (2006)
Marques, M; FERROMAGNETISMO; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmuller, J; Bechstedt, F
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations. Physical Review B, v. 73, n. 22, p. 224409, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Marques, M., FERROMAGNETISMO,, Ferreira, L. G., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmuller, J., & Bechstedt, F. (2006). Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations. Physical Review B, 73( 22), 224409. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, FERROMAGNETISMO, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmuller J, Bechstedt F. Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 22): 224409.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, FERROMAGNETISMO, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmuller J, Bechstedt F. Magnetic properties of GaN/MnxGa1-xN digital heterostructures: first-principles and Monte Carlo calculations [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 22): 224409.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000022224409000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)
Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802
NLM
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802
Trabalho de evento
Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain: structural and magnetic properties (2006)
Ribeiro Junior, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Marques, M; Ferreira, L G; Teles, L. K.
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, M et al. Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain: structural and magnetic properties. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0540-2.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024.
APA
Ribeiro Junior, M., Scolfaro, L. M. R., Marques, M., Ferreira, L. G., & Teles, L. K. (2006). Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain: structural and magnetic properties. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0540-2.pdf
NLM
Ribeiro Junior M, Scolfaro LMR, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain: structural and magnetic properties [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0540-2.pdf
Vancouver
Ribeiro Junior M, Scolfaro LMR, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Ab initio calculation of transition metals nitrides under strain: structural and magnetic properties [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0540-2.pdf

Unidades USP

ReP

Filtros

Tipo de material

Autores

Ano de publicação

Assuntos

Título da fonte

Editora

Nome do evento

Afiliação dos autores externos normalizada

Afiliação dos autores externos não normalizada