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Tese (Doutorado)
Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO (2017)
Sabino, Fernando Pereira; Oliveira, Luiz Nunes de (Orientador); Silva, Juarez Lopes Ferreira da (Orientador)
Unidade: IFSC
Assuntos: ÓPTICA, ZINCO, FILMES FINOS
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ABNT
SABINO, Fernando Pereira. Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Sabino, F. P. (2017). Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/
NLM
Sabino FP. Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/
Vancouver
Sabino FP. Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas de óxidos transparentes condutores na fase unária e binária baseados em Al2O3, Ga2O3, In2O3, SnO2 and ZnO [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-14032017-143438/
Artigo de periodico
Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots (2017)
Cabral, L; Sabino, Fernando Pereira; Lopes-Oliveira, Vivaldo; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Lima, Matheus P; Marques, Gilmar E; Lopez-Richard, Victor
Fonte: Physical Review B. Unidade: IQSC
Assunto: QUÍMICA QUÂNTICA
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ABNT
CABRAL, L et al. Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots. Physical Review B, v. 95, p. 205409-6, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.205409. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Cabral, L., Sabino, F. P., Lopes-Oliveira, V., Silva, J. L. F. da, Lima, M. P., Marques, G. E., & Lopez-Richard, V. (2017). Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots. Physical Review B, 95, 205409-6. doi:10.1103/PhysRevB.95.205409
NLM
Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95 205409-6.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.205409
Vancouver
Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay between structure asymmetry, defect-induced localization, and spin-orbit interaction in Mn-doped quantum dots [Internet]. Physical Review B. 2017 ; 95 205409-6.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.205409
Trabalho de evento-resumo
Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots (2017)
Cabral, L; Sabino, Fernando Pereira; Lopes-Oliveira, Vivaldo; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Lima, Matheus Paes; Marques, G E; Lopez-Richard, Victor
Fonte: Abstract Booklet. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IQSC
Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CABRAL, L et al. Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Cabral, L., Sabino, F. P., Lopes-Oliveira, V., Silva, J. L. F. da, Lima, M. P., Marques, G. E., & Lopez-Richard, V. (2017). Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Cabral L, Sabino FP, Lopes-Oliveira V, Silva JLF da, Lima MP, Marques GE, Lopez-Richard V. Interplay of structure asymmetry, defect induced localization and spin-orbit interaction in Mn doped quantum dots [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties (2017)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Sabino, Fernando Pereira; Besse, Rafael; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IQSC
Assunto: QUÍMICA QUÂNTICA
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira et al. Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. . Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Bastos, C. M. de O., Sabino, F. P., Besse, R., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CM de O, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 abr. 18 ]
Vancouver
Bastos CM de O, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theorethical study of transition metal dichacogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 abr. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In) (2016)
Sabino, Fernando Pereira; Besse, Rafael; Oliveira, Luiz Nunes de; Wei, Su-Huai; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Program Book. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, ÓPTICA
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ABNT
SABINO, Fernando Pereira et al. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In). 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2YG. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Sabino, F. P., Besse, R., Oliveira, L. N. de, Wei, S. -H., & Silva, J. L. F. da. (2016). Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In). In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2YG
NLM
Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In) [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2YG
Vancouver
Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei S-H, Silva JLF da. Origin of and tuning the optical and fundamental band gaps in transparent conducting oxides: the case of M2O3 (M = Al, Ga, In) [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2YG
Artigo de periodico
Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8 (2016)
Besse, Rafael; Sabino, Fernando Pereira; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Physical Review B. Unidade: IQSC
Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
BESSE, Rafael e SABINO, Fernando Pereira e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8. Physical Review B, v. 93, n. 16, p. 165205-1-9, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.165205. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Besse, R., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2016). Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8. Physical Review B, 93( 16), 165205-1-9. doi:10.1103/PhysRevB.93.165205
NLM
Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8 [Internet]. Physical Review B. 2016 ; 93( 16): 165205-1-9.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.165205
Vancouver
Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Electronic structure of layered quaternary chalcogenide materials for band-gap engineering: The example of Cs2 MII MIV3 Q8 [Internet]. Physical Review B. 2016 ; 93( 16): 165205-1-9.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.93.165205
Trabalho de evento-resumo
Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised (2016)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Sabino, Fernando Pereira; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Program Book. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, LASER
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira et al. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Bastos, C. M. de O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2016). Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
NLM
Bastos CM de O, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
Vancouver
Bastos CM de O, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
Trabalho de evento-resumo
Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure (2015)
Sabino, Fernando Pereira; Oliveira, Luiz Nunes de; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, NANOPARTÍCULAS, HIBRIDIZAÇÃO
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ABNT
SABINO, Fernando Pereira e OLIVEIRA, Luiz Nunes de e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure. 2015, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2015. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APNR. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, & Silva, J. L. F. da. (2015). Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APNR
NLM
Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APNR
Vancouver
Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Roles of the cation atomic radius and s-d hybridization in the stability of the gallia Ga2O3 structure [Internet]. Proceedings. 2015 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xivsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=APNR
Trabalho de evento-resumo
Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory (2015)
Besse, Rafael; Sabino, Fernando Pereira; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Livro de resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IQSC
Assuntos: FÍSICA TEÓRICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BESSE, Rafael e SABINO, Fernando Pereira e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory. 2015, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/aa5617cc-edc6-4075-8eca-89415e89fc47/P15947.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Besse, R., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2015). Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory. In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/aa5617cc-edc6-4075-8eca-89415e89fc47/P15947.pdf
NLM
Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory [Internet]. Livro de resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/aa5617cc-edc6-4075-8eca-89415e89fc47/P15947.pdf
Vancouver
Besse R, Sabino FP, Silva JLF da. Band gap engineering in the chalcogenide semicondutors Cs2 MII MIV3 Q8: the role of hybrid density functional theory [Internet]. Livro de resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/aa5617cc-edc6-4075-8eca-89415e89fc47/P15947.pdf
Trabalho de evento-resumo
Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In) (2015)
Sabino, Fernando Pereira; Besse, Rafael; Oliveira, Luiz Nunes de; Wei, S H; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Livro de resumos. Nome do evento: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Assunto: FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SABINO, Fernando Pereira et al. Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In). 2015, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/77c2a048-20d7-47eb-a6ef-e75d7ed729c1/P15948.pdf. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Sabino, F. P., Besse, R., Oliveira, L. N. de, Wei, S. H., & Silva, J. L. F. da. (2015). Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In). In Livro de resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/77c2a048-20d7-47eb-a6ef-e75d7ed729c1/P15948.pdf
NLM
Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei SH, Silva JLF da. Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In) [Internet]. Livro de resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/77c2a048-20d7-47eb-a6ef-e75d7ed729c1/P15948.pdf
Vancouver
Sabino FP, Besse R, Oliveira LN de, Wei SH, Silva JLF da. Origin and tuning of the band gaps in transparent conducting oxides: the example of M2O3 (M = Al, Ga, In) [Internet]. Livro de resumos. 2015 ;[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/77c2a048-20d7-47eb-a6ef-e75d7ed729c1/P15948.pdf
Artigo de periodico
Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides (2014)
Sabino, Fernando Pereira; Oliveira, Luiz Nunes de; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Fonte: Physical Review B. Unidades: IFSC, IQSC
Assuntos: NANOPARTÍCULAS, HIBRIDIZAÇÃO, CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SABINO, Fernando Pereira e OLIVEIRA, Luiz Nunes de e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides. Physical Review B, v. 90, n. 15, p. 155206-1-155206-7, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.155206. Acesso em: 18 abr. 2024.
APA
Sabino, F. P., Oliveira, L. N. de, & Silva, J. L. F. da. (2014). Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides. Physical Review B, 90( 15), 155206-1-155206-7. doi:10.1103/PhysRevB.90.155206
NLM
Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 90( 15): 155206-1-155206-7.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.155206
Vancouver
Sabino FP, Oliveira LN de, Silva JLF da. Role of atomic radius and d-states hybridization in the stability of the crystal structure of M2O3 (M = Al, Ga, In) oxides [Internet]. Physical Review B. 2014 ; 90( 15): 155206-1-155206-7.[citado 2024 abr. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.155206

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