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Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations (2007)
Lino, A T; Borges, P D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silva Junior, E F da
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LINO, A T et al. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 23 abr. 2024. , 2007
APA
Lino, A. T., Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. da. (2007). Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Lino AT, Borges PD, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silva Junior EF da. Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 529-530.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000259000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations (2006)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lino, Antonio Tadeu; Freire, V N; Farias, G A; Silva, C C; Alves, H W Leite; Rodrigues, S C P; Silva, E F da
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Trabalho de evento
Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn (2006)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E F; Sipahi, Guilherme Matos; Marin, I. S. P.; Lima, I. C. da Cunha
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Silva Junior, E. F., Sipahi, G. M., Marin, I. S. P., & Lima, I. C. da C. (2006). Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Propriedades eletrônicas de multicamadas ferromagnéticas (III, V)-Mn e IV-Mn [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-3.pdf
Trabalho de evento
Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV (2006)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E F; Sipahi, Guilherme Matos; Marin, I. S. P.; Lima, I. C. da Cunha
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Silva Junior, E. F., Sipahi, G. M., Marin, I. S. P., & Lima, I. C. da C. (2006). Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Silva Junior EF, Sipahi GM, Marin ISP, Lima IC da C. Distribuições de carga e spin em semicondutores magnéticos diluídos do grupo IV [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0922-1.pdf
Artigo de periodico
Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2005)
Lima, Ivan Costa da Cunha; Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Superconductivity. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LIMA, Ivan Costa da Cunha et al. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 1, p. 61-67, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, 18. n. 1, 61-67. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Artigo de periodico
Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, I C C; Sipahi, Guilherme Matos; Boselli, M A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lima, I. C. C., Sipahi, G. M., & Boselli, M. A. (2004). Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Noriega, O C; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Noriega, O. C., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., & Lischka, K. (2002). Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Noriega OC, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Lischka K. Interband transitions in cubic AlGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells (2002)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S C P e SIPAHI, Guilherme Matos. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells. Journal of Crystal Growth, v. 246, n. 3-4, p. 347-354, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Sipahi, G. M. (2002). Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells. Journal of Crystal Growth, 246( 3-4), 347-354. doi:10.1016/s0022-0248(02)01760-8
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;246( 3-4): 347-354.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM. Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2002 ;246( 3-4): 347-354.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)01760-8
Trabalho de evento-resumo
Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem (2001)
Rodrigues, S C P; Zanetti, Maria Lucia
Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (SIIC-USP). Unidade: EERP
Subjects: PROFISSIONAIS DE ENFERMAGEM, ENFERMAGEM CIRÚRGICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P e ZANETTI, Maria Lucia. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001, Anais.. São Paulo: USP, 2001. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., & Zanetti, M. L. (2001). Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. In . São Paulo: USP.
NLM
Rodrigues SCP, Zanetti ML. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Zanetti ML. Análise das dificuldades para manutenção do fluxo das infusões endovenosas segundo a equipe de enfermagem. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ; 302 106-113.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics:Condensed Matter. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MECÂNICA ESTATÍSTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, v. 13, p. 3381-3387, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices. Journal of Physics:Condensed Matter, 13, 3381-3387. doi:10.1088/0953-8984/13/14/311
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.x''Ga IND.1-x'N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics:Condensed Matter. 2001 ; 13 3381-3387.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/14/311
Trabalho de evento-resumo
Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells (2001)
Leite, J. R.; Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silveira, E; MENESES, Eliermes Arraes; Ribeiro, E; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Leite, J. R., Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Silveira, E., et al. (2001). Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 13, n. 14, p. 3381-3387, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices. Journal of Physics-Condensed Matter, 13( 14), 3381-3387. Recuperado de http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 14): 3381-3387.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Exchange-correlation effects on the hole miniband structure and confinement potential in zinc-blende 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' N/GaN superlattices [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2001 ; 13( 14): 3381-3387.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/35/zzLGssKIC,HW1qAP6barow/c11411.pdf
Trabalho de evento-resumo
Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2001)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Program and abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. 2001, Anais.. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2001. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. In Program and abstracts. Guarujá: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Inter and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento-resumo
Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures (2001)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Program and abstracts. Conference titles: Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures. 2001, Anais.. São José dos Campos: INPE, 2001. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures. In Program and abstracts. São José dos Campos: INPE.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR. Calculated luminescence spectra of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' derived heterostructures. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Artigo de periodico
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, v. 302-303, p. 106-113, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells. Physica B, 302-303, 106-113. doi:10.1016/s0921-4526(01)00413-6
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells [Internet]. Physica B. 2001 ;302-303 106-113.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00413-6
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' multiple quantum wells (2001)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Program and abstracts. Conference titles: Ibero American Workshop on Nanostructures for Application in Micro and Optoelectronics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Electronic properties of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' multiple quantum wells. 2001, Anais.. São José dos Campos: INPE, 2001. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Electronic properties of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' multiple quantum wells. In Program and abstracts. São José dos Campos: INPE.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' multiple quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaAs/Ga'As IND.1-x''N IND.x' multiple quantum wells. Program and abstracts. 2001 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Trabalho de evento
Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping (2000)
Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2000). Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Cubic AlGaN/GaN and GaN/InGaN heterostructures: effects of p-type doping. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 abr. 23 ]

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