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ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210
NLM
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Vancouver
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
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ABNT
RAMOS, L. E. e LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ramos, L. E., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ramos LE, Leite JR, Scolfaro LMR. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Ramos LE, Leite JR, Scolfaro LMR. Stability and structural properties of c-BN, h-BN and w-BN in the ab initio FLAPW method. Resumos. 1999 ;[citado 2024 abr. 23 ]
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ABNT
TELES, L. K. et al. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 541-545, 1999Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Ramos, L. E., Tabata, A., Castineira, J. L. P., & As, D. J. (1999). Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, 216( 1), 541-545.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2024 abr. 23 ]
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure, v. 22, n. 4, p. 443-451, 1997Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ramos, L. E., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1997). Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure, 22( 4), 443-451.
NLM
Ramos LE, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure. 1997 ; 22( 4): 443-451.[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Ramos LE, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure. 1997 ; 22( 4): 443-451.[citado 2024 abr. 23 ]
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RAMOS, L. E. e SCOLFARO, L M R. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. 1995, Anais.. São Paulo: Usp, 1995. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1995). Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. In Resumos. São Paulo: Usp.
NLM
Ramos LE, Scolfaro LMR. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Ramos LE, Scolfaro LMR. Estudo do transporte eletrico em super-redes semicondutoras. Resumos. 1995 ;[citado 2024 abr. 23 ]
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ABNT
RAMOS, L. E. Estrutura de minibandas de super-redes de GaAs. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. . Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ramos, L. E. (1998). Estrutura de minibandas de super-redes de GaAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ramos LE. Estrutura de minibandas de super-redes de GaAs. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
Vancouver
Ramos LE. Estrutura de minibandas de super-redes de GaAs. 1998 ;[citado 2024 abr. 23 ]
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 14, n. 10, p. 2577-2589, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf. Acesso em: 23 abr. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, 14( 10), 2577-2589. Recuperado de http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
NLM
Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
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Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf