Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
NOTARI, Airton Carlos. Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares. 1993. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1993. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/. Acesso em: 23 abr. 2024.APA
Notari, A. C. (1993). Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/NLM
Notari AC. Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. 1993 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/Vancouver
Notari AC. Estudo de incorporações de impurezas doadoras em estruturas semicondutoras iii-v crescidas por epitaxia por feixes moleculares [Internet]. 1993 ;[citado 2024 abr. 23 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-09032009-150110/
