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Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP (2001)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS;PROPRIEDADES TÉRMICAS)
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, v. 117, n. 6, p. 353-355, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (2001). Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP. Solid State Communications, 117( 6), 353-355. doi:10.1016/s0038-1098(00)00487-7
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Ab initio calculations on the compensation mechanisms in InP [Internet]. Solid State Communications. 2001 ; 117( 6): 353-355.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00487-7
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes (2001)
Baierle, Rogerio Jose; Fagan, Solange Binotto; Mota, R.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CLUSTERS
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, v. 64, n. 8, p. 5413/1-5413/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Baierle, R. J., Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, 64( 8), 5413/1-5413/4. doi:10.1103/physrevb.64.085413
NLM
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Vancouver
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Artigo de periodico
Self-interstitial defect in germanium (2000)
Silva, Antonio J R da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, Antonio J R da et al. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, v. 61, n. 15, p. 9903-9906, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 61( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Artigo de periodico
Microscopic picture of the single vacancy in germanium (2000)
Fazzio, Adalberto; Janotti, A.; Silva, Antonio Jose Roque da; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, v. 61. n. 4, p. R2401-R2404, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Silva, A. J. R. da, & Mota, R. (2000). Microscopic picture of the single vacancy in germanium. Physical Review B, 61. n. 4, R2401-R2404. doi:10.1103/physrevb.61.r2401
NLM
Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Silva AJR da, Mota R. Microscopic picture of the single vacancy in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61. n. 4 R2401-R2404.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.r2401
Artigo de periodico
Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes (2000)
Fagan, Solange B; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Silva, Antonio J R da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, v. 61, n. 15, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Fagan, S. B., Baierle, R. J., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2000). Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, 61( 15). doi:10.1103/physrevb.61.9994
NLM
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15):[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Vancouver
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15):[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Artigo de periodico
Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes (2000)
Fagan, Solange B; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Silva, Antonio Jose Roque; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, v. 61, n. 15, p. 9994-9996, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Fagan, S. B., Baierle, R. J., Mota, R., Silva, A. J. R., & Fazzio, A. (2000). Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes. Physical Review B, 61( 15), 9994-9996. doi:10.1103/physrevb.61.9994
NLM
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9994-9996.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Vancouver
Fagan SB, Baierle RJ, Mota R, Silva AJR, Fazzio A. Ab initio calculations for a hypothetical material: silicon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9994-9996.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.61.9994
Artigo de periodico
Self-interstitial defect in germanium (2000)
Silva, Antonio Jose Roque da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, v. 62, n. 15, p. 9903-9906, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 62( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 15): 9903-9906.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Trabalho de evento-resumo
"P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Mota, R., & Fazzio, A. (1999). "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs (1999)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Mota, R.; Piquini, P.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, v. 110, p. 457-461, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1999). Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs. Solid State Communications, 110, 457-461. doi:10.1016/s0038-1098(98)00606-1
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for antistructure pair defects in GaAs [Internet]. Solid State Communications. 1999 ; 110 457-461.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(98)00606-1
Artigo de periodico
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Mota, R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium (1999)
Janotti, A.; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, v. 274, p. 575-578, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Janotti, A., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Fazzio, A. (1999). Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, 274, 575-578. doi:10.1016/s0921-4526(99)00576-1
NLM
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Vancouver
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Trabalho de evento-resumo
Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors (1999)
Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Janotti, A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto et al. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Janotti, A. (1999). Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Fazzio A, Silva AJR da, Mota R, Janotti A. Kinetic Monte Carlo simulations of defects diffusion in semiconductors. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 09 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 09 maio 2024. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 maio 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Mota, R.; Piquini, P
Source: resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2024 maio 09 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)
Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P
Source: Radiation Effects and Defect in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 09 maio 2024. , 1998
APA
Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.
NLM
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1997)
Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 27A, n. 4, p. 110-113, 1997Tradução . . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 27A( 4), 110-113.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 110-113.[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Defect complexes in GaAs: first-principles calculations (1997)
Janotti, Anderson; Fazzio, Adalberto; Piquini, P; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, Anderson et al. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, v. 56, n. 20, p. 13073-13076, 1997Tradução . . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1997). Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B, 56( 20), 13073-13076.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Defect complexes in GaAs: first-principles calculations. Physical Review B. 1997 ; 56( 20): 13073-13076.[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride (1997)
Piquini, P; Mota, R.; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIQUINI, P et al. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B, v. 56, n. 7, p. 3556-3559, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Piquini, P., Mota, R., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1997). Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride. Physical Review B, 56( 7), 3556-3559. doi:10.1103/physrevb.56.3556
NLM
Piquini P, Mota R, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 3556-3559.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556
Vancouver
Piquini P, Mota R, Schmidt TM, Fazzio A. Theoretical studies of native defects in cubic boron nitride [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 3556-3559.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.56.3556
Trabalho de evento-resumo
Estudo teorico de defeitos nativos em bn (1996)
Fazzio, A; Schmidt, T M; Piquini, P; Mota, R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A et al. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Fazzio, A., Schmidt, T. M., Piquini, P., & Mota, R. (1996). Estudo teorico de defeitos nativos em bn. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Fazzio A, Schmidt TM, Piquini P, Mota R. Estudo teorico de defeitos nativos em bn. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 09 ]

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