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Trabalho de evento-resumo periodico
Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose (1998)
Laranja-da-Fonseca, Luís Fernando; Lucci, Carlos de Sousa; Rodrigues, Paulo Henrique Mazza; Santos, Marcos Veiga dos; Lima, A. P.
Source: Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. Conference titles: American Dairy Science Association and American Society of Animal Science Joint Meeting. Unidade: FMVZ
Subjects: BOVINOCULTURA LEITEIRA, NUTRIÇÃO ANIMAL
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ABNT
LARANJA-DA-FONSECA, Luís Fernando et al. Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. Cary: Oxford University Press. . Acesso em: 10 maio 2024. , 1998
APA
Laranja-da-Fonseca, L. F., Lucci, C. de S., Rodrigues, P. H. M., Santos, M. V. dos, & Lima, A. P. (1998). Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. Cary: Oxford University Press.
NLM
Laranja-da-Fonseca LF, Lucci C de S, Rodrigues PHM, Santos MV dos, Lima AP. Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. 1998 ; 76/ 81 320.[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Laranja-da-Fonseca LF, Lucci C de S, Rodrigues PHM, Santos MV dos, Lima AP. Supplementation of propyleneglycol to dairy cows in periparturient period: effects on plasma concentration of BHBA, NEFA and glucose. Journal of Animal Science/Journal of Dairy Science. 1998 ; 76/ 81 320.[citado 2024 maio 10 ]
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Trabalho de evento-resumo
Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (1999)
Pusep, Yuri A. ; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, Pierre
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. 1999, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1999. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (1999). Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman study of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 10 ]
Artigo de periodico
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices (1996)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, v. 54, n. 19, p. 13927-31, 1996Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, 54( 19), 13927-31. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Artigo de periodico
Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.
NLM
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2024 maio 10 ]
Artigo de periodico
Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A.; Silva, M. T. O.; Galzerani, J. C.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N. T.; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Artigo de periodico
Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, P
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, IFSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Trabalho de evento-resumo
Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro (1994)
Ceschin, A M; Quivy, A. A.; Soares, J A N T; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, A M et al. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. 1994, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Ceschin, A. M., Quivy, A. A., Soares, J. A. N. T., Lima, A. P., & Leite, J. R. (1994). Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Lima AP, Leite JR. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Ceschin AM, Quivy AA, Soares JANT, Lima AP, Leite JR. Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Perfil da concentração de histamina intratesticular durante o desenvolvimento sexual em ratos machos (1997)
Lima, A. P.; Lunardi, Laurelúcia Orive; Gomes, J C; Rosa e Silva, Alzira Amélia Martins
Source: Anais. Conference titles: Reunião Anual da Federação de Sociedades de Biologia Experimental. Unidades: FORP, FMRP
Assunto: ENDOCRINOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Perfil da concentração de histamina intratesticular durante o desenvolvimento sexual em ratos machos. 1997, Anais.. São Paulo: Federação de Sociedades de Biologia Experimental, 1997. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Lima, A. P., Lunardi, L. O., Gomes, J. C., & Rosa e Silva, A. A. M. (1997). Perfil da concentração de histamina intratesticular durante o desenvolvimento sexual em ratos machos. In Anais. São Paulo: Federação de Sociedades de Biologia Experimental.
NLM
Lima AP, Lunardi LO, Gomes JC, Rosa e Silva AAM. Perfil da concentração de histamina intratesticular durante o desenvolvimento sexual em ratos machos. Anais. 1997 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Lima AP, Lunardi LO, Gomes JC, Rosa e Silva AAM. Perfil da concentração de histamina intratesticular durante o desenvolvimento sexual em ratos machos. Anais. 1997 ;[citado 2024 maio 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. 1996, Anais.. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. In Resumos. Sao Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Observation of the plateau-behavior of vertical transport in 'GA''AS' - 'GAMA' doping by raman studies. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Artigo de periodico
Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schikora, D.; Schottker, B.; Kohler, U.; As, D. J.; Lischka, K.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Trabalho de evento-anais periodico
Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs (1998)
Tabata, A; Enderlein, R; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Kaiser, S; Schikora, D; Schoettker, B; Koehler, U; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III-Nitrides and Related Materials International Conference. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 10 maio 2024. , 1998
APA
Tabata, A., Enderlein, R., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Kaiser, S., et al. (1998). Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2024 maio 10 ]
Relatorio tecnico
Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, Americo; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Schikora, D; Schottker, B; Kohler, U; As, D J; Lischka, K
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf. Acesso em: 10 maio 2024. , 1999
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Trabalho de evento
Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Anais. Conference titles: Internatuonal Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Artigo de periodico
Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (1999)
Lima, A. P.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Kaiser, S.; Schikora, D.; Schottker, B.; Frey, T.; Lischka, K.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assunto: CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 202, p. 396-398, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Lima, A. P., Tabata, A., Leite, J. R., Kaiser, S., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 202, 396-398. doi:10.1016/s0022-0248(98)01359-1
NLM
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Vancouver
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Trabalho de evento-resumo
Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS' (1996)
Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Pudenzi, M A A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, A. P. et al. Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Lima, A. P., Quivy, A. A., Leite, J. R., & Pudenzi, M. A. A. (1996). Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Pudenzi MAA. Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Pudenzi MAA. Growth of 'SI' gama-doping superlattice in 'GA''AS'. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Artigo de periodico
Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices (1998)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W da; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 5, p. 1033-1035, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W. da, Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1998). Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 23( 5), 1033-1035. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW da, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Fano-like electron-phonon interference in delta-doping GaAs superlattices [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 5): 1033-1035.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2a55523d-db8c-4fde-ab92-a6ff51119491/1-s2.0-S0749603696902207-main%20%281%29.pdf
Trabalho de evento-resumo
Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
Silveira, E.; Lemos, V.; Tabata, Americo; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Frey, T.; Schttker, B.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Silveira, E., Lemos, V., Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Frey, T., et al. (1999). Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silveira E, Lemos V, Tabata A, Lima AP, Leite JR, Frey T, Schttker B, Schikora D, Lischka K. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Silveira E, Lemos V, Tabata A, Lima AP, Leite JR, Frey T, Schttker B, Schikora D, Lischka K. Evidência da formação de fase minoritária com alto teor de In em crescimento MBE de 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Resumos. 1999 ;[citado 2024 maio 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta (1996)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Silva, S W; Galzerani, J C; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Silva SW, Galzerani JC, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Estudo por espectroscopia raman da interacao eletron-fonon tipo-fano em super-redes de 'GA''AS' com dopagem-delta. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance (2007)
Mello, Ana Paula de Queiroz; Lima, A. P.; Abdalla, Dulcinéia Saes Parra ; Gidlund, Magnus Ake ; Damasceno, Nágila Raquel Teixeira
Source: Abstracts. Conference titles: Free Radicals in Montevideo. Unidades: FCF, ICB, FSP
Subjects: LIPOPROTEÍNAS, OXIDAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MELLO, Ana Paula de Queiroz et al. Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. 2007, Anais.. Montevideo: Facultad de Medicina/Departamento de Bioquímica, 2007. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Mello, A. P. de Q., Lima, A. P., Abdalla, D. S. P., Gidlund, M. A., & Damasceno, N. R. T. (2007). Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. In Abstracts. Montevideo: Facultad de Medicina/Departamento de Bioquímica.
NLM
Mello AP de Q, Lima AP, Abdalla DSP, Gidlund MA, Damasceno NRT. Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. Abstracts. 2007 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Mello AP de Q, Lima AP, Abdalla DSP, Gidlund MA, Damasceno NRT. Electronegative low density lipoprotein content is modulated by physical activity performance. Abstracts. 2007 ;[citado 2024 maio 10 ]

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