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  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      LAMAS, T. E. e QUIVY, A. A. p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2002). p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA. p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant. Resumos. 2002 ;[citado 2024 mar. 28 ]
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA. p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant. Resumos. 2002 ;[citado 2024 mar. 28 ]
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Ortiz de Zevallos, A. M., Cano, N. F., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2006). Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
    • NLM

      Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético [Internet]. 2006 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
    • Vancouver

      Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético [Internet]. 2006 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
  • Source: International Journal of Modern Physics B. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      DUARTE, Cesário Antonio et al. Valley splitting and g-factor in A1As quantum wells. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific. Disponível em: http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062608.pdf. Acesso em: 28 mar. 2024. , 2009
    • APA

      Duarte, C. A., Gusev, G. M., Lamas, T. E., Bakarov, A. K., & Portal, J. C. (2009). Valley splitting and g-factor in A1As quantum wells. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific. Recuperado de http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062608.pdf
    • NLM

      Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Valley splitting and g-factor in A1As quantum wells [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2948-2954.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062608.pdf
    • Vancouver

      Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Valley splitting and g-factor in A1As quantum wells [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2948-2954.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062608.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      CUNHA, J F R et al. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2008). Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
    • NLM

      Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
    • Vancouver

      Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO MOSSBAUER, LASER

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RUDNO-RUDZIÑSKI, W et al. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy. Journal of Applied Physics, v. 101, n. 7, p. 0735018/1-073518/4, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2714686. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Rudno-Rudziñski, W., Sek, G., Misiewicz, J., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2007). The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy. Journal of Applied Physics, 101( 7), 0735018/1-073518/4. doi:10.1063/1.2714686
    • NLM

      Rudno-Rudziñski W, Sek G, Misiewicz J, Lamas TE, Quivy AA. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 7): 0735018/1-073518/4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2714686
    • Vancouver

      Rudno-Rudziñski W, Sek G, Misiewicz J, Lamas TE, Quivy AA. The formation of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 'mü'm followed by photoreflectance spectroscopy [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( 7): 0735018/1-073518/4.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2714686
  • Source: Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. Unidade: IF

    Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, v. 204, n. 8, p. 2548-2454, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2007). Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science, 204( 8), 2548-2454. doi:10.1002/pssa.200675673
    • NLM

      Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
    • Vancouver

      Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron x-ray renninger scanning for studying strain in InAs/GaAs quantum dot system [Internet]. Physica Status Solidi A - Application and Materials Science. 2007 ; 204( 8): 2548-2454.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.200675673
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2006). Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
    • NLM

      Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
    • Vancouver

      Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
    • NLM

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
    • Vancouver

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, FO

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Duarte, C. A., Gusev, G. M., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2005). Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
    • NLM

      Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
    • Vancouver

      Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, EFEITO HALL

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      DUARTE, Celso de Araújo et al. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 488-491, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Duarte, C. de A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 488-491. doi:10.1590/s0103-97332006000300068
    • NLM

      Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
    • Vancouver

      Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
  • Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
  • Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      QUIVY, A. A. et al. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, M. J. da, & Silva, E. C. F. da. (2003). Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
    • NLM

      Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 mar. 28 ]
    • Vancouver

      Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva MJ da, Silva ECF da. Segregation of In atoms during strained and unstrained epitaxy of InGaAs on (001) surfaces. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 mar. 28 ]
  • Source: Abstracts. Conference titles: Congresso Brasileiro de Microscopia de Materiais. Unidade: IF

    Subjects: MICROSCOPIA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LAMAS, T. E. e QUIVY, A. A. Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors. 2000, Anais.. São Carlos: UFSCAR, 2000. . Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2000). Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors. In Abstracts. São Carlos: UFSCAR.
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA. Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors. Abstracts. 2000 ;[citado 2024 mar. 28 ]
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA. Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors. Abstracts. 2000 ;[citado 2024 mar. 28 ]
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SÉRGIO, C. S. et al. Resonant subband-Landau-level coupling in parabolic quantum wells. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2002). Resonant subband-Landau-level coupling in parabolic quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Resonant subband-Landau-level coupling in parabolic quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 mar. 28 ]
    • Vancouver

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Resonant subband-Landau-level coupling in parabolic quantum wells. Resumos. 2002 ;[citado 2024 mar. 28 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MAMANI, Niko Churata et al. Resonance oscillations of magnetoresistance in double quantum wells. Physical Review B, v. 77, n. 20, p. 205327/1-205327/5, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.205327. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Mamani, N. C., Gusev, G. M., Lamas, T. E., Bakarov, A. K., & Raichev, O. E. (2008). Resonance oscillations of magnetoresistance in double quantum wells. Physical Review B, 77( 20), 205327/1-205327/5. doi:10.1103/physrevb.77.205327
    • NLM

      Mamani NC, Gusev GM, Lamas TE, Bakarov AK, Raichev OE. Resonance oscillations of magnetoresistance in double quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 20): 205327/1-205327/5.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.205327
    • Vancouver

      Mamani NC, Gusev GM, Lamas TE, Bakarov AK, Raichev OE. Resonance oscillations of magnetoresistance in double quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 20): 205327/1-205327/5.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.205327
  • Source: Physica E - Dimensional Systems & Nanostructures. Unidade: IF

    Subjects: NANOPARTÍCULAS, EFEITO HALL

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Reentrant quantum Hall effect in bilayer system at high filling factors. Physica E - Dimensional Systems & Nanostructures, v. 40, n. 5, p. 1576-1578, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.207. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Bakarov, A. K., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2008). Reentrant quantum Hall effect in bilayer system at high filling factors. Physica E - Dimensional Systems & Nanostructures, 40( 5), 1576-1578. doi:10.1016/j.physe.2007.09.207
    • NLM

      Gusev GM, Bakarov AK, Lamas TE, Portal JC. Reentrant quantum Hall effect in bilayer system at high filling factors [Internet]. Physica E - Dimensional Systems & Nanostructures. 2008 ; 40( 5): 1576-1578.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.207
    • Vancouver

      Gusev GM, Bakarov AK, Lamas TE, Portal JC. Reentrant quantum Hall effect in bilayer system at high filling factors [Internet]. Physica E - Dimensional Systems & Nanostructures. 2008 ; 40( 5): 1576-1578.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.207
  • Source: International Journal of Modern Physics B. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Quantum hall ferromagneti in a double well with vanishing g-factor. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific. Disponível em: http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062578.pdf. Acesso em: 28 mar. 2024. , 2009
    • APA

      Gomez Armas, L. E., Gusev, G. M., Lamas, T. E., Bakarov, A. K., & Portal, J. C. (2009). Quantum hall ferromagneti in a double well with vanishing g-factor. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific. Recuperado de http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062578.pdf
    • NLM

      Gomez Armas LE, Gusev GM, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Quantum hall ferromagneti in a double well with vanishing g-factor [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2933-2937.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062578.pdf
    • Vancouver

      Gomez Armas LE, Gusev GM, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Quantum hall ferromagneti in a double well with vanishing g-factor [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2933-2937.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: http://www.worldscinet.com.w10077.dotlib.com.br/ijmpb/23/preserved-docs/2312n13/S0217979209062578.pdf
  • Source: Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. Unidades: IF, EP

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, v. 34, n. 1-2, p. 504-507, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.097. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Sotomayor, N. M., Seabra, A. C., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2006). Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 34( 1-2), 504-507. doi:10.1016/j.physe.2006.03.097
    • NLM

      Gusev GM, Sotomayor NM, Seabra AC, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 504-507.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.097
    • Vancouver

      Gusev GM, Sotomayor NM, Seabra AC, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Quantum half ferromagnet in a two-dimensional electron gas coupled with quantum dots [Internet]. Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures. 2006 ; 34( 1-2): 504-507.[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2006.03.097
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, v. 67, n. 155313/1-155313/8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313. Acesso em: 28 mar. 2024.
    • APA

      Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, 67( 155313/1-155313/8). doi:10.1103/physrevb.67.155313
    • NLM

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
    • Vancouver

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 mar. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
  • Source: Acta Microscópica. Conference titles: Brazilian Conference on Microscopy of Materials. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LAMAS, T. E. e QUIVY, A. A. Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. Rio de Janeiro: Interamerican Committee of Societies for Electrom Microscopy. . Acesso em: 28 mar. 2024. , 1998
    • APA

      Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (1998). Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. Rio de Janeiro: Interamerican Committee of Societies for Electrom Microscopy.
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA. Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. 1998 ; 7 61-64.[citado 2024 mar. 28 ]
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA. Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. 1998 ; 7 61-64.[citado 2024 mar. 28 ]

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