Assuntos: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
FONSECA, Reusi Ines. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 24 abr. 2024.APA
Fonseca, R. I. (1985). Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Fonseca RI. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;[citado 2024 abr. 24 ]Vancouver
Fonseca RI. Estruturação de um método de fabricação de transistores bipolares auto-alinhados para circuitos integrados de alta velocidade. 1985 ;[citado 2024 abr. 24 ]